銅鉬銅封裝材料

這種材料的熱膨脹系數(shù)可調(diào)，熱導(dǎo)率高，耐高溫性能優(yōu)異，在電子封裝中得到了廣泛的運(yùn)用。銅鉬銅材料屬于金屬基平面層狀復(fù)合型電子封裝材料，這類電子封裝復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)是層疊式，一般分為三層，中間層為低膨脹材料層，兩邊為高導(dǎo)電導(dǎo)熱的材料層，當(dāng)然，也有兩層，或者四層復(fù)合層板。生產(chǎn)工藝一般采用軋制復(fù)合，電鍍復(fù)合，爆炸成形等方法加工制備的，這類材料在平面方向有很好的熱導(dǎo)率和較低的膨脹系數(shù)，并且基本上不存在致密問(wèn)題，此外，這種材料加工成本比較低，例如可以成卷的連續(xù)軋制復(fù)合生產(chǎn)Cu/Invar/Cu復(fù)合板材，能夠大大降低生產(chǎn)成本，還可加工成70um箔材，可以廣泛的應(yīng)用于PCB的芯層和引線框架材料。由于CMC理論熱導(dǎo)率高、膨脹系數(shù)與Si相匹配，早在上世紀(jì)90年代，國(guó)內(nèi)外專家學(xué)者就對(duì)其進(jìn)行了深入研究，美國(guó)的AMAX公司和Climax Specialty Metals公司利用熱軋復(fù)合的方法，生產(chǎn)出來(lái)Cu/Mo/Cu（CMC）復(fù)合材料，并申請(qǐng)了專利，已用在B2隱形轟炸機(jī)的電子設(shè)備上.CMC的結(jié)構(gòu)與CIC一樣都是三層復(fù)合結(jié)構(gòu)，但硬度、抗拉強(qiáng)度、熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率卻比CIC高的多，這是因?yàn)镃MC的中間是鉬板，而鉬的強(qiáng)度、導(dǎo)電、和導(dǎo)熱性都要高于Inar合金。

美國(guó)Polymetallurgical、Polese、Elcon等公司采用在線連續(xù)軋制復(fù)合的技術(shù)可生產(chǎn)多種尺寸、局部或全包復(fù)的電子封裝材料，與Mo/Cu、W/Cu等粉末冶金方法生產(chǎn)的顆粒增強(qiáng)型電子封裝材料相比，軋制復(fù)合方法生產(chǎn)平面復(fù)合型電子封裝材料的效率高，生產(chǎn)成本低，并且可以生產(chǎn)大尺寸的封裝材料，因此平面復(fù)合型電子封裝材料非常有利于電子行業(yè)的生產(chǎn)，容易產(chǎn)生“規(guī)模效益”。Ploymetallurgical公司在包復(fù)型材料的生產(chǎn)上是行業(yè)內(nèi)的引導(dǎo)者，公司的產(chǎn)品非常全面，可以生產(chǎn)Ag/Cu、Ni/Cu、Au/Ni、CIC和CMC等局部或全面復(fù)合型封裝材料，尺寸控制精確，其中CMC的性能在國(guó)際上處于一流水平。國(guó)內(nèi)也有楊揚(yáng)和李正華等人試驗(yàn)了爆炸復(fù)合方法制備CMC電子封裝材料的可行性，對(duì)爆炸復(fù)合CMC封裝材料界面的結(jié)合機(jī)制進(jìn)行了詳細(xì)的研究。研究發(fā)現(xiàn)Cu/Mo/Cu爆炸復(fù)合材料有波形結(jié)合界面和平直結(jié)合界面。波形界面上存在熔區(qū)，熔區(qū)內(nèi)為Cu與Mo的非晶態(tài)混合組織，其組成為Cu約占90%，Mo約占10%，熔區(qū)內(nèi)的顯微硬度為1220MPa高于Cu基體的顯微硬度（80MPa）低于Mo基體的顯微硬度（2100MPa）。結(jié)果表明，用爆炸復(fù)合方法一次性制備Cu/Mo/Cu復(fù)合材料是可行的，恰當(dāng)?shù)墓に噮?shù)可制得無(wú)顯微裂紋的復(fù)合材料，但是爆炸復(fù)合的制備方法較為復(fù)雜，且成本較高，不適合規(guī)模化生產(chǎn)。國(guó)內(nèi)還有江蘇鼎啟科技有限公司 正在研發(fā)的高熱導(dǎo)鉚合型銅鉬銅材料項(xiàng)目，已經(jīng)取得了可喜的進(jìn)展。

Cu/Mo/Cu電子封裝材料具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能和可調(diào)節(jié)的熱膨脹系數(shù)，是國(guó)內(nèi)外大功率電子元器件首選的電子封裝材料，并能與Be0、Al203陶瓷匹配，廣泛用于微波、通訊、射頻、航空航天、電力電子、大功率半導(dǎo)體激光器、醫(yī)療等行業(yè)。例如，現(xiàn)在國(guó)際上流行的BGA封裝就大量采用該材料作為基板。另外，在微波封裝和射頻封裝領(lǐng)域，也大量采用該材料做熱沉。在軍用電子設(shè)備中，它常常被采用為高可靠線路板的基體材料。

CMC也是我國(guó)諸多高技術(shù)領(lǐng)域所必需的關(guān)鍵性配套材料，是我國(guó)高端電子產(chǎn)品開發(fā)與生產(chǎn)的基礎(chǔ)，例如，現(xiàn)代的微波通信發(fā)射裝置、電力電子器件、高性能集成電路、網(wǎng)絡(luò)通信器件等產(chǎn)品，都需要這種性能優(yōu)良的封裝材料。2100433B

鉬銅是鉬和銅的復(fù)合材料,一種很好的替代銅、鎢銅應(yīng)用的材料。

鉬銅合金綜合銅和鉬的優(yōu)點(diǎn),高強(qiáng)度、高比重、耐高溫、耐電弧燒蝕、導(dǎo)電電熱性能好、加工性能好。采用高品質(zhì)鉬粉及無(wú)氧銅粉,應(yīng)用等靜壓成型(高溫?zé)Y(jié)-滲銅),組織細(xì)密,斷弧性能好,導(dǎo)電性好,導(dǎo)熱性好,熱膨脹小。

從礦床成因看，鉬銅礦成因類型可劃分為斑巖型、接觸交代型、火山熱液型、熱液型四種成因類型。全省鉬礦儲(chǔ)量主要來(lái)源于斑巖型礦床，接觸交代型次之。斑巖型鉬礦數(shù)量雖少，但資源量大。小興安嶺一張廣嶺地區(qū)鉬礦金屬儲(chǔ)量以斑巖型為主。接觸交代型次之，就鉬銅礦產(chǎn)地?cái)?shù)量而言，以熱液型數(shù)量居多，但資源量較少。 2100433B

本規(guī)范適用于制造軍用大功率微電子器件作為熱沉封接材料與三氧化二鋁陶瓷封接和結(jié)構(gòu)材料用鉬銅合金棒，也適用于制造民用大功率微電子器件中高熱導(dǎo)定膨脹封接熱沉用鉬銅合金棒。