公司名稱 | 文安縣淀森仿真草坪有限公司 | 成立時(shí)間 | 2018年04月08日 |
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總部地點(diǎn) | 河北省廊坊市文安縣興隆宮鎮(zhèn)張家村(106國道南側(cè)) |
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文安縣限價(jià)商品房管理辦法 發(fā)布時(shí)間: 2012 年 05 月 25 日 文政〔 2011〕23號 文安縣限價(jià)商品房管理辦法 第一章 總 則 第一條 為調(diào)整住房供應(yīng)結(jié)構(gòu),建立分層次的住房供應(yīng)體系,規(guī)范限價(jià)商品 房建設(shè)和管理工作, 根據(jù)《河北省人民政府關(guān)于加快保障性安居工程建設(shè)的實(shí)施 意見》)(冀政〔 2011〕28號)等政策要求和《廊坊市限價(jià)商品房管理暫行辦 法》(市政府令[ 2011]第 5號)有關(guān)規(guī)定,結(jié)合本縣實(shí)際,制定本辦法。 第二條 本辦法所稱的限價(jià)商品房, 是指由政府提供政策支持, 限定套型和 銷售價(jià)格,主要用于解決城鎮(zhèn)中等偏下收入家庭住房困難的普通商品住房。 第三條 本縣行政區(qū)域內(nèi)限價(jià)商品房的建設(shè)、申請準(zhǔn)入、銷售和監(jiān)督管理, 均適用本辦法。 第四條 限價(jià)商品房建設(shè)、申請準(zhǔn)入和銷售管理應(yīng)遵循政府主導(dǎo)、 市場運(yùn)作、 公開透明、自愿申請、限制交易的原則。 第五條 縣人民政府負(fù)責(zé)本縣行政
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一、招聘人才1.職位名稱:農(nóng)機(jī)修理操作員招聘人數(shù):3人職位性質(zhì):全職工作地點(diǎn):上海職位描述:A.會使用和保養(yǎng)農(nóng)業(yè)機(jī)械,通過學(xué)習(xí)會使用保養(yǎng)維修園林機(jī)械。B.有創(chuàng)新精神,可根據(jù)不同的需要,創(chuàng)造性地研發(fā)較實(shí)
化學(xué)氣相淀積
CVD (Chemical Vapor Deposition) 指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室,在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。
化學(xué)氣相淀積特點(diǎn):淀積溫度低,薄膜成份易控,膜厚與淀積時(shí)間成正比,均勻性,重復(fù)性好,臺階覆蓋性優(yōu)良。
化學(xué)氣相淀積是把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑引入反應(yīng)室,在晶圓表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而生成所需的固態(tài)薄膜并淀積在其表面。
目前,在芯片制造過程中,大部分所需的薄膜材料,不論是導(dǎo)體、半導(dǎo)體,或是介電材料,都可以用化學(xué)氣相淀積來制備,如二氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜等。它具有淀積溫度低,薄膜成分和厚度易控,薄膜厚度與淀積時(shí)間成正比,均勻性與重復(fù)性好,臺階覆蓋好,操作方便等優(yōu)點(diǎn)。其中淀積溫度低和臺階覆蓋好對超大規(guī)模集成電路的制造十分有利。因此是目前集成電路生產(chǎn)過程中最重要的薄膜淀積方法。目前常用的有常壓化學(xué)氣相淀積、低壓化學(xué)氣相淀積以及等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積等。
化學(xué)汽相淀積工藝正文
用氣態(tài)反應(yīng)原料在固態(tài)基體表面反應(yīng)并淀積成固體薄層或薄膜的工藝過程,類似于汽相外延工藝(見外延生長)。60年代,隨著集成電路平面技術(shù)的發(fā)展,化學(xué)汽相淀積工藝受到重視而得到迅速發(fā)展。當(dāng)時(shí)主要是常壓下的化學(xué)汽相淀積,稱為常壓化學(xué)汽相淀積工藝。70年代后期,低壓化學(xué)汽相淀積工藝取得顯著進(jìn)展,在集成電路制造工藝中發(fā)揮了更大的作用。在應(yīng)用低壓化學(xué)汽相工藝的同時(shí),等離子化學(xué)汽相淀積工藝和金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積工藝也得到迅速發(fā)展。
化學(xué)汽相淀積工藝常用于制造導(dǎo)電薄膜(如多晶硅、非晶硅)或絕緣薄膜(如氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃等)。這些薄膜經(jīng)過光刻和腐蝕,可形成各種電路圖案,與其他工藝相配合即可構(gòu)成集成電路。常見的淀積薄膜的化學(xué)反應(yīng)式如下:
SiH4─→Si(多晶硅或非晶硅)+2H2
SiH4+4N2O─→SiO2+2H2O+4N2
SiH4+2O2─→SiO2+2H2O
3SiH4+4NH3─→Si3N4+12H2
3SiH2Cl2+10NH3─→Si3N4+6NH4Cl+6H2
SiH4+2xPH3+2(2x+1)O2─→
SiO2·xP2O5(磷硅玻璃)+(3x+2)H2O
化學(xué)汽相淀積工藝還可用于其他方面,如制造超導(dǎo)薄膜材料鈮鍺合金(Nb3Ge)、光學(xué)掩模材料氧化鐵、光纖芯材鍺硅玻璃(SiO2·xGeO2),以及裝飾性薄膜氮化鈦等。
3NbCl4+GeCl4+8H2─→Nb3Ge+16HCl
4Fe(CO)5+3O2─→2Fe2O3+20CO
與物理汽相淀積薄膜工藝(如蒸發(fā)、濺射、離子鍍等)相比,化學(xué)汽相淀積具有設(shè)備簡單和成本低的優(yōu)點(diǎn),化學(xué)汽相淀積工藝,也可用于制造體材料,例如,高純?nèi)裙柰橛脷溥€原,在加熱的硅棒上不斷淀積出硅,使硅棒變粗,形成棒狀高純硅錠,成為制備半導(dǎo)體硅單晶的原料。
常壓化學(xué)汽相淀積 圖1a是高頻感應(yīng)加熱的常壓化學(xué)汽相淀積裝置,感應(yīng)受熱基座通常用石墨制成,在基座上放置片狀的襯底。例如,以單晶硅片為襯底,在硅片上淀積氧化硅、氮化硅、多晶硅或磷硅玻璃等薄膜。圖1b是電阻平臺加熱的多噴頭常壓化學(xué)汽相淀積裝置,用硅烷、磷烷或氧為原料,以氮?dú)忉屜?在400℃左右淀積氧化硅或磷硅玻璃。連續(xù)傳送裝置可以提高產(chǎn)量并改善均勻性。
低壓化學(xué)汽相淀積 圖2是低壓化學(xué)汽相淀積裝置原理,采用管式電阻爐加熱,在爐內(nèi)以直立式密集裝片。片的平面垂直于氣流方向。由于在低壓(約50帕)下工作,氣體分子的平均自由程比常壓下增加1000多倍以上,擴(kuò)散過程加快,片與片之間的距離約幾毫米。因此,每一個(gè)裝片架上可以放100~200個(gè)片子,產(chǎn)量比常壓法增加十多倍。這種工藝在半導(dǎo)體器件制造過程中,可淀積多種薄膜,應(yīng)用很廣。
等離子化學(xué)汽相淀積 利用高頻電場使低壓下的氣體產(chǎn)生輝光放電,形成非平衡等離子體,其中能量較高的電子撞擊反應(yīng)氣體分子,促使反應(yīng)在較低溫度下進(jìn)行,淀積成薄膜(圖3)。這種工藝主要用于制備集成電路或其他半導(dǎo)體芯片表面鈍化保護(hù)層,以提高器件可靠性和穩(wěn)定性。
參考書目
Donald T.Hawkins ed.,Chemical Vapor Deposition1960~1980, IFI/Plenum Data Co.,New York,1981.
引黃入冀補(bǔ)淀工程是河北省委、省政府推進(jìn)生態(tài)文明建設(shè)的重大戰(zhàn)略決策,是改善河北省中東部農(nóng)業(yè)和生態(tài)用水狀況的重要基礎(chǔ)設(shè)施,也是雄安新區(qū)生態(tài)水源保障項(xiàng)目。工程的主要任務(wù)是為沿線部分地區(qū)農(nóng)業(yè)供水和向白洋淀實(shí)施生態(tài)補(bǔ)水,緩解沿線農(nóng)業(yè)灌溉缺水及地下水超采狀況,改善白洋淀生態(tài)環(huán)境,并可作為沿線地區(qū)抗旱應(yīng)急備用水源。河北省按冬四月(11月至來年2月)引水,年均引黃水量6.2億立方米,白洋淀生態(tài)補(bǔ)水1.1億立方米。