更新日期: 2025-03-22

從基材性能告訴你氮化鋁和氧化鋁陶瓷基板工藝有什么不同

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從基材性能告訴你氮化鋁和氧化鋁陶瓷基板工藝有什么不同 4.6

從基材性能告訴你氮化鋁和氧化鋁陶瓷基 板工藝有什么不同 氮化鋁陶瓷基板和氧化鋁陶瓷基板都同屬于陶瓷基板, 他們的制作工藝大致是一樣 的,都有都才可以采用薄膜工藝和厚膜工藝, DBC工藝、 HTCC工藝和 LTCC工藝,那 么不同的什么呢? 氮化鋁和氧化鋁陶瓷基板工藝的不同主要是因?yàn)榛牡男阅芎徒Y(jié)構(gòu)決定了, 他們 燒結(jié)溫度的不同。 氮化鋁陶瓷基板的結(jié)構(gòu)和性能原理: 1、氮化鋁陶瓷 (Aluminium Nitride Ceramic) 是以氮化鋁 (AIN) 為主晶相的陶瓷。 2、 AIN晶體以〔 AIN4 〕四面體為結(jié)構(gòu)單元共價(jià)鍵化合物,具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu),屬 六方晶系。 3、化學(xué)組成 AI 65.81% ,N34.19% ,比重 3.261g/cm3 ,白色或灰白色,單晶 無色透明,常壓下的升華分解溫度為 2450 ℃。 4、為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數(shù) (4.0-6.0)X10(-6)

氧化鋁陶瓷基板工藝研究 氧化鋁陶瓷基板工藝研究 氧化鋁陶瓷基板工藝研究

氧化鋁陶瓷基板工藝研究

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本文主要介紹了流延法生產(chǎn)氧化鋁陶瓷基板的工藝。研究了原料粒度分布對(duì)基板微觀結(jié)構(gòu)的影響,用流延法制備了96%氧化鋁陶瓷基板,并對(duì)基板表面被釉,試驗(yàn)了基板的性能,研究了基板生產(chǎn)過程中一些關(guān)鍵的因素。

鋁和氧化鋁的潤(rùn)濕性及氧化鋁陶瓷敷鋁基板 鋁和氧化鋁的潤(rùn)濕性及氧化鋁陶瓷敷鋁基板 鋁和氧化鋁的潤(rùn)濕性及氧化鋁陶瓷敷鋁基板

鋁和氧化鋁的潤(rùn)濕性及氧化鋁陶瓷敷鋁基板

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隨著大功率模塊與電力電子器件的發(fā)展,陶瓷表面金屬化已得到廣泛應(yīng)用。直接敷鋁技術(shù)是基于氧化鋁陶瓷基板發(fā)展起來的一種陶瓷表面金屬化技術(shù)。在介紹直接敷鋁基板的制備方法和性能特點(diǎn)的基礎(chǔ)上,重點(diǎn)討論影響al-al2o3潤(rùn)濕性能的因素以及這些因素對(duì)氧化鋁陶瓷基板敷鋁過程的影響,同時(shí)展望了dab基板在功率電子系統(tǒng)、汽車工業(yè)等方面的應(yīng)用前景。

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氮化鋁陶瓷基板有哪些優(yōu)勢(shì)和參數(shù)?

氮化鋁陶瓷基板有哪些優(yōu)勢(shì)和參數(shù)?

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氮化鋁陶瓷基板有哪些優(yōu)勢(shì)和參數(shù)? 4.4

十年專注pcb快板,中高端中小批量生產(chǎn)www.***.*** 氮化鋁陶瓷基板有哪些優(yōu)勢(shì)和參數(shù)? 陶瓷板中,應(yīng)用廣泛是分別是氧化鋁陶瓷基板和氮化鋁陶瓷基板,那么氮化鋁陶瓷基板是什 么,有什么優(yōu)勢(shì),有哪些參數(shù)? 氮化鋁陶瓷是一種以氮化鋁(ain)為主晶相的陶瓷材料,再在氮化鋁陶瓷基片上面蝕刻金屬電路, 就是氮化鋁陶瓷基板了。對(duì)用與大功率,因其有很強(qiáng)的耐熱性,抗硬性,絕緣性。今天具體看一下, 氮化鋁陶瓷基板有哪些優(yōu)勢(shì),參數(shù)都是哪些? 1、氮化鋁陶瓷英文:aluminiumnitrideceramic,是以氮化鋁(ain)為主晶相的陶瓷。 2、ain晶體以(ain4)四面體為結(jié)構(gòu)單元共價(jià)鍵化合物,具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu),屬六方晶系。 3、化學(xué)組成ai65.81%,n34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,單晶無色透明,常壓 十年專注pc

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氧化鋁陶瓷及相關(guān)陶瓷

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氧化鋁陶瓷及相關(guān)陶瓷 4.8

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基材性能告訴你氮化鋁和氧化鋁陶瓷基板工藝有什么熱門文檔

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氧化鋁陶瓷制作工藝簡(jiǎn)介

氧化鋁陶瓷制作工藝簡(jiǎn)介

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氧化鋁陶瓷制作工藝簡(jiǎn)介 4.5

氧化鋁陶瓷制作工藝簡(jiǎn)介 氧化鋁陶瓷目前分為高純型與普通型兩種。高純型氧化鋁陶瓷系al2o3 含量在99.9%以上的陶瓷材料,由于其燒結(jié)溫度高達(dá)1650—1990℃, 透射波長(zhǎng)為1~6μm,一般制成熔融玻璃以取代鉑坩堝:利用其透光性及可耐 堿金屬腐蝕性用作鈉燈管;在電子工業(yè)中可用作集成電路基板與高頻絕緣材料。 普通型氧化鋁陶瓷系按al2o3含量不同分為99瓷、95瓷、90瓷、85 瓷等品種,有時(shí)al2o3含量在80%或75%者也劃為普通氧化鋁陶瓷系 列。其中99氧化鋁瓷材料用于制作高溫坩堝、耐火爐管及特殊耐磨材料,如陶 瓷軸承、陶瓷密封件及水閥片等;95氧化鋁瓷主要用作耐腐蝕、耐磨部件;8 5瓷中由于常摻入部分滑石,提高了電性能與機(jī)械強(qiáng)度,可與鉬、鈮、鉭等金屬 封接,有的用作電真空裝置器件。其制作工藝如下: 一粉體制備: 將入廠的氧化鋁粉按照不同的產(chǎn)品要求與不同成型工藝制

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淺析氧化鋁陶瓷制作工藝

淺析氧化鋁陶瓷制作工藝

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淺析氧化鋁陶瓷制作工藝 4.5

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氧化鋁陶瓷基板化學(xué)鍍銅金屬化及鍍層結(jié)構(gòu) 氧化鋁陶瓷基板化學(xué)鍍銅金屬化及鍍層結(jié)構(gòu) 氧化鋁陶瓷基板化學(xué)鍍銅金屬化及鍍層結(jié)構(gòu)

氧化鋁陶瓷基板化學(xué)鍍銅金屬化及鍍層結(jié)構(gòu)

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氧化鋁陶瓷基板化學(xué)鍍銅金屬化及鍍層結(jié)構(gòu) 4.3

通過化學(xué)鍍銅在氧化鋁陶瓷基板表面實(shí)現(xiàn)了金屬化,采用sem研究了鍍銅層表面微觀形貌以及熱處理的影響,檢測(cè)分析了金屬化鍍層附著力。結(jié)果表明:通過控制鍍液中銅離子濃度以及銅沉積速率,在基板表面可形成均勻致密的銅金屬化層;熱處理后進(jìn)一步提高鍍層致密化和導(dǎo)電性,其方阻由3.6mω/□降為2.3mω/□。劃痕法測(cè)試表明鍍銅層與氧化鋁陶瓷基板結(jié)合緊密無起翹,可以滿足敷銅基板的要求。

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氧化鋁陶瓷的低溫?zé)Y(jié)技術(shù)

氧化鋁陶瓷的低溫?zé)Y(jié)技術(shù)

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氧化鋁陶瓷的低溫?zé)Y(jié)技術(shù) 4.5

氧化鋁陶瓷的低溫?zé)Y(jié)技術(shù) 氧化鋁陶瓷是一種以al2o3為主要原料,以剛玉(α—al 2o3)為主晶相的陶瓷材料。因其具有機(jī)械強(qiáng)度高、硬度大、高頻 介電損耗小、高溫絕緣電阻高、耐化學(xué)腐蝕性和導(dǎo)熱性良好等優(yōu)良綜 合技術(shù)性能,以及原料來源廣、價(jià)格相對(duì)便宜、加工制造技術(shù)較為成 熟等優(yōu)勢(shì),氧化鋁陶瓷已被廣泛應(yīng)用于電子、電器、機(jī)械、化工、紡 織、汽車、冶金和航空航天等行業(yè),成為目前世界上用量最大的氧化 物陶瓷材料。然而,由于氧化鋁熔點(diǎn)高達(dá)2050℃,導(dǎo)致氧化鋁陶 瓷的燒結(jié)溫度普遍較高(參見表一中標(biāo)準(zhǔn)燒結(jié)溫度),從而使得氧化 鋁陶瓷的制造需要使用高溫發(fā)熱體或高質(zhì)量的燃料以及高級(jí)耐火材 料作窯爐和窯具,這在一定程度上限制了它的生產(chǎn)和更廣泛的應(yīng)用。 因此,降低氧化鋁陶瓷的燒結(jié)溫度,降低能耗,縮短燒成周期,減少 窯爐和窯具損耗,從而降低生產(chǎn)成本,一直是企業(yè)所關(guān)心和急需解決 的重要課題。 目前,對(duì)氧化鋁

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低溫?zé)Y(jié)氧化鋁陶瓷

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低溫?zé)Y(jié)氧化鋁陶瓷 4.4

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基材性能告訴你氮化鋁和氧化鋁陶瓷基板工藝有什么精華文檔

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氧化鋁陶瓷片的散熱原理是什么

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氧化鋁陶瓷片的散熱原理是什么 4.6

1 氧化鋁陶瓷片的散熱原理是什么 氧化鋁陶瓷片制品是目前應(yīng)用較廣泛的一種新型精密陶瓷、電子工業(yè)陶瓷 片、功能陶瓷產(chǎn)品。由于氧化鋁陶瓷片原料昂貴和形成工藝的特殊性,目前氧化 鋁陶瓷片主要用于高技術(shù),如冶金、化工、電子、國防、航天及核技術(shù)等高科技 領(lǐng)域。 氧化鋁陶瓷片屬于特種陶瓷,具有高強(qiáng)度、高硬度、抗磨損、耐腐蝕、耐高 溫、絕緣等優(yōu)異特性,備受多種行業(yè)關(guān)注,在集成電路芯片和航空光元器件等方 面擁有其他導(dǎo)熱絕緣材料無法比擬的優(yōu)勢(shì)。 目前,市場(chǎng)對(duì)氧化鋁陶瓷散熱片的需求日益增大,在暖氣片散熱原理大受追 捧的同時(shí),也催生了散熱片原理公司的快速發(fā)展。散熱片的原理等一系列相關(guān)經(jīng) 營(yíng)的公司應(yīng)運(yùn)而生,并得到了迅猛的發(fā)展。 接下來就讓小編帶你來看看導(dǎo)熱絕緣材料的相關(guān)情況吧~帶你了解導(dǎo)熱絕緣 材料~ 氧化鋁陶瓷在整個(gè)陶瓷行業(yè)中的應(yīng)用較為廣泛,在性能上也屬于非常優(yōu)越。 其導(dǎo)熱、絕緣、散熱已是基本

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氧化鋁陶瓷及相關(guān)陶瓷PPT課件

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氧化鋁陶瓷及相關(guān)陶瓷PPT課件 4.6

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氮化鋁陶瓷基板制作技術(shù)有哪些關(guān)鍵問題

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氮化鋁陶瓷基板制作技術(shù)有哪些關(guān)鍵問題 4.3

氮化鋁陶瓷基板制作技術(shù)有哪些關(guān)鍵問題 氮化鋁陶瓷基板在大功率器件領(lǐng)域,因其導(dǎo)熱率而被市場(chǎng)受用。那么今 天天小編要分享的氮化鋁陶瓷基板制作技術(shù)的關(guān)鍵詞問題。 一,氮化鋁基板簡(jiǎn)介和應(yīng)用概況 1.氮化鋁材料有哪些突出特性 氮化鋁是氮和二元系列中唯一穩(wěn)定的化合物,具有高的熔點(diǎn)和良好的導(dǎo)熱 特性。 晶形:六方晶系鈣鈦礦型 分解溫度:2500攝氏度 理論熱導(dǎo)率:320w/m.k 導(dǎo)熱率是氧化鋁的7倍,高溫導(dǎo)熱優(yōu)于氧化鈹; 熱膨脹系數(shù):與硅熱膨脹系數(shù)匹配 電特性:高電絕緣,低介電常數(shù);耐腐蝕特性:對(duì)熔融金屬有優(yōu)良的耐腐 蝕特殊性。 無毒,高純, 綜合性能優(yōu)異的電子封裝材料。 2,氮化鋁應(yīng)用背景。 氮化鋁陶瓷覆銅板滿足高壓igbt模塊,廣泛應(yīng)用于高鐵、電動(dòng)汽車、智能 電網(wǎng)和新能源等“綠色經(jīng)濟(jì)”。氮化鋁陶瓷封裝基板滿足大功率led芯片散熱 的需求,在汽車大燈、室外照明、舞臺(tái)燈等高速

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氧化鋁粉體性能對(duì)流延法生產(chǎn)陶瓷基板的影響 氧化鋁粉體性能對(duì)流延法生產(chǎn)陶瓷基板的影響 氧化鋁粉體性能對(duì)流延法生產(chǎn)陶瓷基板的影響

氧化鋁粉體性能對(duì)流延法生產(chǎn)陶瓷基板的影響

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氧化鋁粉體性能對(duì)流延法生產(chǎn)陶瓷基板的影響 4.8

流延法是一種生產(chǎn)電子陶瓷基板廣泛使用的先進(jìn)工藝方法。本文分析了氧化鋁原料雜質(zhì)含量、結(jié)晶形貌、α-相轉(zhuǎn)化率、粒度分布等對(duì)流延工藝及陶瓷基板的質(zhì)量影響,并提出了適用流延法陶瓷基板用氧化鋁原料性能指標(biāo)。

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黑色氧化鋁陶瓷制備與介電性能的研究 黑色氧化鋁陶瓷制備與介電性能的研究 黑色氧化鋁陶瓷制備與介電性能的研究

黑色氧化鋁陶瓷制備與介電性能的研究

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黑色氧化鋁陶瓷制備與介電性能的研究 4.8

采用正交試驗(yàn)法對(duì)黑色氧化鋁陶瓷實(shí)驗(yàn)配方進(jìn)行優(yōu)化;采用一次、二次合成法分別制備了黑色氧化鋁陶瓷;對(duì)黑色氧化鋁陶瓷進(jìn)行了xrd物相分析、燒結(jié)體斷面sem分析,測(cè)試了燒結(jié)體的體積密度、體積電阻率、介電常數(shù)和介電損耗。結(jié)果表明,黑色氧化鋁陶瓷最佳配方為:al2o391wt.%、滑石2.0wt.%、fe2o33wt.%、coo0.5wt.%、nio1wt.%、mno22.5wt.%;一次、二次合成法制備的黑色氧化鋁陶瓷的體積密度分別為3.71g/cm3、3.69g/cm3,體積電阻率分別為6.8×1012ω·cm、7.1×1012ω·cm,介電常數(shù)分別為18.6、18.8,介電損耗分別為0.015、0.014。

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氮化鋁陶瓷基板在高功率LED中應(yīng)用研究 氮化鋁陶瓷基板在高功率LED中應(yīng)用研究 氮化鋁陶瓷基板在高功率LED中應(yīng)用研究

氮化鋁陶瓷基板在高功率LED中應(yīng)用研究

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氮化鋁陶瓷基板在高功率LED中應(yīng)用研究 4.3

隨著led光源向高功率、集成化方向發(fā)展,散熱基板對(duì)于提高器件的發(fā)光效率、降低結(jié)溫、提高器件的可靠度和壽命起著十分重要的作用。本文選擇厚度為0.4mm的氮化鋁(aln)作為封裝基板材料,結(jié)合磁控濺射鍍膜、平面絲網(wǎng)印刷和光刻等半導(dǎo)體工藝技術(shù),在aln基板表面完成線路設(shè)計(jì)并增加反光層。通過力學(xué)性能測(cè)試、表面反光層的反射率表征和光源老化測(cè)試,結(jié)果顯示在1000小時(shí)老化后,aln陶瓷基板上封裝的光源在色溫漂移、發(fā)光效率衰減和可靠性等方面都明顯要好于直接將芯片綁定金屬基板上的光源。同時(shí),從晶格失配與熱失配的角度分析了aln陶瓷基板在高功率led光源封裝中的優(yōu)勢(shì)。

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MCM用氮化鋁共燒多層陶瓷基板的研究 MCM用氮化鋁共燒多層陶瓷基板的研究 MCM用氮化鋁共燒多層陶瓷基板的研究

MCM用氮化鋁共燒多層陶瓷基板的研究

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MCM用氮化鋁共燒多層陶瓷基板的研究 4.5

通過實(shí)驗(yàn)優(yōu)化aln(氮化鋁)瓷料配方及排膠工藝,對(duì)共燒w(鎢)導(dǎo)體漿料性能及aln多層基板的高溫共燒工藝進(jìn)行了研究,并對(duì)aln多層基板的界面進(jìn)行了掃描電鏡分析。采用aln流延生瓷片與w高溫共燒的方法,成功地制備出了高熱導(dǎo)率的aln多層陶瓷基板,其熱導(dǎo)率為190w/(m·k),線膨脹系數(shù)為4.6106℃1(rt~400℃),布線層數(shù)9層,w導(dǎo)體方阻為9.8m,翹曲度為0.01mm/50mm,完全滿足高功率mcm的使用要求。

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高熱導(dǎo)氮化鋁陶瓷基板量產(chǎn)控制因素 高熱導(dǎo)氮化鋁陶瓷基板量產(chǎn)控制因素 高熱導(dǎo)氮化鋁陶瓷基板量產(chǎn)控制因素

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高熱導(dǎo)氮化鋁陶瓷基板量產(chǎn)控制因素 4.4

本文討論了氮化鋁陶瓷基板獲得高熱導(dǎo)率的基本原理,介紹了批量生產(chǎn)氮化鋁陶瓷基板的控制因素,包括原料選擇、排膠、燒結(jié)氣氛控制等。

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氧化鋁陶瓷及其金屬化技術(shù)

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氧化鋁陶瓷及其金屬化技術(shù) 4.6

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SPS制備亞微米晶氧化鋁陶瓷 SPS制備亞微米晶氧化鋁陶瓷 SPS制備亞微米晶氧化鋁陶瓷

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SPS制備亞微米晶氧化鋁陶瓷 4.6

以商業(yè)α-al_2o_3粉體為原料,mgo為燒結(jié)助劑,采用放電等離子燒結(jié)技術(shù)(sps)制備亞微米晶氧化鋁陶瓷.系統(tǒng)研究了燒結(jié)溫度、燒結(jié)助劑含量對(duì)亞微米晶氧化鋁陶瓷的致密化過程及顯微結(jié)構(gòu)的影響.分析結(jié)果表明,1250℃以及0.05wt%分別是最佳的燒結(jié)溫度和燒結(jié)助劑含量;在此條件下獲得的亞微米晶氧化鋁陶瓷,其相對(duì)密度達(dá)到99.8%td(theoreticaldensity),平均晶粒尺寸約0.68μm,顯微硬度(hv5)達(dá)到20.75gpa,在3~5μm中紅外范圍內(nèi)直線透過率超過83%.當(dāng)mgo摻雜量超過0.1wt%時(shí),第二相mgal_2o_4形成,引起光散射,降低紅外透過率.

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氧化鋁陶瓷片詳細(xì)資料

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氧化鋁陶瓷片詳細(xì)資料 4.4

廣州昂泰電子有限公司 __________________________________ 氧化鋁陶瓷片性能參數(shù)表 項(xiàng)目單位氧化鋁96%a12o3 密度g/cm333.92 吸水率%0 熱膨脹系數(shù)10-6/k8.5 楊氏彈性模量gpa340 泊松比/0.22 硬度(hv)mpa1650 彎曲強(qiáng)度(室溫)mpa310 彎曲強(qiáng)度(700°c)mpa230 抗壓強(qiáng)度(室溫)mpa2200 斷裂韌性mpa'm??4.2 導(dǎo)熱率(室溫)w/m.k25 絕緣強(qiáng)度kv/mm10 熱敏抗阻k/w0.3 長(zhǎng)期工作溫度(℃)1480 比電阻率ω?mm2/m>1016 最高使用溫度(無載荷)°c1750 耐酸堿腐蝕性能/強(qiáng) 耐火度°c2000

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熱噴涂氧化鋁陶瓷涂層失效分析及對(duì)策 熱噴涂氧化鋁陶瓷涂層失效分析及對(duì)策 熱噴涂氧化鋁陶瓷涂層失效分析及對(duì)策

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熱噴涂氧化鋁陶瓷涂層失效分析及對(duì)策 4.5

熱噴涂氧化鋁涂層技術(shù)被大量應(yīng)用在紡織機(jī)械行業(yè),而其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)決定了這種涂層塑形變形能力差,對(duì)應(yīng)力集中和裂紋敏感。本文通過對(duì)氧化鋁涂層常見失效形式進(jìn)行分析,并提出對(duì)策,以期提高工件使用壽命、減少生產(chǎn)成本。

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陶瓷金鹵燈發(fā)展的關(guān)鍵——多晶氧化鋁陶瓷泡殼(上) 陶瓷金鹵燈發(fā)展的關(guān)鍵——多晶氧化鋁陶瓷泡殼(上) 陶瓷金鹵燈發(fā)展的關(guān)鍵——多晶氧化鋁陶瓷泡殼(上)

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陶瓷金鹵燈發(fā)展的關(guān)鍵——多晶氧化鋁陶瓷泡殼(上) 4.6

本文簡(jiǎn)述了陶瓷金鹵燈的特征特性,分析了燈對(duì)陶瓷材料的要求,對(duì)比了某些陶瓷材料的結(jié)構(gòu)成分及對(duì)陶瓷燈的影響,對(duì)國產(chǎn)陶瓷材料及泡殼進(jìn)行了分析研究并給出了部分分析結(jié)果。

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氧化鋁泡沫陶瓷的制備

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氧化鋁泡沫陶瓷的制備 4.6

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二氧化硅摻雜對(duì)黑色氧化鋁陶瓷的改性 二氧化硅摻雜對(duì)黑色氧化鋁陶瓷的改性 二氧化硅摻雜對(duì)黑色氧化鋁陶瓷的改性

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二氧化硅摻雜對(duì)黑色氧化鋁陶瓷的改性 4.6

用超微細(xì)氧化鋁(al2o3),二氧化硅(sio2)粉體及適量的過渡金屬氧化物,用固相反應(yīng)法在1350℃空氣中燒結(jié)得到了致密的黑色al2o3陶瓷.研究了sio2摻雜對(duì)陶瓷顯微結(jié)構(gòu)和電性能的影響.實(shí)驗(yàn)表明:在黑色al2o3陶瓷中,sio2是一種較好的摻雜劑,它不僅可以降低燒結(jié)溫度,使陶瓷晶粒細(xì)小均勻,同時(shí)還可以改善材料的電氣性能,使之滿足用作晶體振蕩器件、光電器件及集成電路器件等的基板及避光封裝外殼的要求.

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閆曉松

職位:房建工程標(biāo)準(zhǔn)員

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