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采用快速熱化學(xué)氣相沉積方法在氧化鋁和氮化鋁陶瓷襯底上制備多晶硅薄膜及太陽電池。多晶硅薄膜的晶粒尺寸在經(jīng)過區(qū)再結(jié)晶后增大且霍爾遷移率提高,但隨后的薄膜生長(zhǎng)發(fā)現(xiàn)薄膜出現(xiàn)裂紋,影響了電池的效率,在Al_2O_3襯底上得到196mV開路電壓,1．93mA短路電流；在AIN襯底上得到310mV開路電壓,5．31mA短路電流。
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