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微電子技術(shù)的發(fā)展促進了硅傳感器的加工工藝水平的提高,使硅傳感器獲得良好的一致性、穩(wěn)定性和可靠性,而半導體的溫度特性使硅壓力傳感器的零點和靈敏度隨溫度而發(fā)生漂移。針對硅壓阻式壓力傳感器這一"弱點",介紹一種基于壓力芯片的惠斯頓電橋建立外接電阻補償網(wǎng)絡(luò)的數(shù)學模型,利用MatLab優(yōu)化工具箱提供的優(yōu)化方法構(gòu)建算法,對補償電阻求解,實現(xiàn)對溫度漂移的補償。該方法更有助于基于硅壓阻式壓力芯片的OEM型產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)。
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F-P式光纖壓力傳感器因其獨有的優(yōu)點廣泛應用于軍事、民用領(lǐng)域。由于自身結(jié)構(gòu)的關(guān)系,F-P式光纖壓力傳感器的性能受溫度影響較大。本文通過對中空F-P式光纖壓力傳感器制作過程中相關(guān)參數(shù)的設(shè)計計算,對如何實現(xiàn)傳感器自身的溫度補償設(shè)計進行了探索性研究。
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