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光伏組件的 PID 效應(yīng)和封裝材料的關(guān)系 一、前言 隨著光伏組件大規(guī)模使用一段時(shí)間后,特別是越來越多的投入運(yùn)營(yíng)的大型光伏電廠運(yùn) 營(yíng)三四年后,業(yè)界對(duì)光伏組件的電位誘發(fā)衰減效應(yīng)( PID,PotentialInducedDegradation ) 的關(guān)注越來越多。 盡管尚無(wú)明確的由 PID 原因引發(fā)光伏電站在工作三、 四年后發(fā)生大幅衰減 的報(bào)道,但對(duì)一些電站工作幾年后就發(fā)生明顯衰減現(xiàn)象的原因的種種猜測(cè)使光伏行業(yè)對(duì) PID 的原因和預(yù)防方法的討論越來越多。 一些國(guó)家和地區(qū)已逐步開始把抗 PID 作為組件的關(guān)鍵要 求之一。 很多日本用戶明確要求把抗 PID 寫入合同, 并隨機(jī)抽檢。 歐洲的買家也躍躍欲試提 出同樣的要求。 此趨勢(shì)也使得國(guó)內(nèi)越來越多的光伏電站業(yè)主單位、 光伏電池和組件廠、 測(cè)試 單位和材料供應(yīng)商對(duì) PID 的研究越來越深入。 其實(shí)早在 2005年,Sunpower就發(fā)現(xiàn)晶硅型的背接觸
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