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更新時(shí)間：2024.12.29
槽式光熱發(fā)電與光伏發(fā)電對(duì)比分析

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目前,太陽能發(fā)電主要有兩種形式:太陽能光伏發(fā)電與太陽能光熱發(fā)電,其中光伏發(fā)電實(shí)現(xiàn)光—電轉(zhuǎn)化,而光熱發(fā)電則是光—熱—電轉(zhuǎn)化.光伏發(fā)電和光熱發(fā)電的技術(shù)路線不同,應(yīng)用范圍和廣度不同,這也就意味著不同的條件下需要選擇不同的太陽能發(fā)電形式.本文通過對(duì)光熱發(fā)電的中的槽式光熱發(fā)電與光伏發(fā)電對(duì)比分析,總結(jié)出兩者的優(yōu)勢(shì)與不足,為后續(xù)太陽能電站建設(shè)提供指導(dǎo).

光伏發(fā)電實(shí)訓(xùn)系統(tǒng)

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KNT-SPV01 光伏發(fā)電實(shí)訓(xùn)系統(tǒng) 實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書 （2011年全國職業(yè)院校技能大賽指定設(shè)備） 南京康尼科技實(shí)業(yè)有限公司 2011年 3月 第一部分 光伏發(fā)電系統(tǒng)基礎(chǔ) 1.1 光伏電池 1.1.1 半導(dǎo)體與 PN結(jié) 1．本征半導(dǎo)體 純凈半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一種物質(zhì)，純凈的半導(dǎo)體稱 為本征半導(dǎo)體。制造半導(dǎo)體器件的常用半導(dǎo)體材料有硅（ Si）、鍺（Ge）和砷化鎵 （GaAs）等。本征硅半導(dǎo)體中的硅原子核最外層有四個(gè)價(jià)電子，硅晶體為共價(jià)鍵 結(jié)構(gòu)，硅原子最外層的價(jià)電子被共價(jià)鍵束縛，在低溫下，這些共價(jià)鍵是完好的， 本征硅半導(dǎo)體顯示出絕緣體特性。當(dāng)溫度升高或受到光照等外界激發(fā)時(shí)，共價(jià)鍵 中的某些價(jià)電子會(huì)獲得能量，擺脫共價(jià)鍵束縛，成為可以自由運(yùn)動(dòng)的電子，在原 來的共價(jià)鍵中留出空穴。這些空穴又會(huì)被鄰近的共價(jià)鍵中的價(jià)電子填補(bǔ)，并在鄰 近的共價(jià)鍵中產(chǎn)生新的空穴，空穴運(yùn)動(dòng)是帶負(fù)電荷的的價(jià)電子運(yùn)

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