中文名 | 半導(dǎo)體分立器件芯片總規(guī)范 | 實(shí)施日期 | 1994-06-01 |
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發(fā)布日期 | 1993-12-17 | 標(biāo)準(zhǔn)號(hào) | SJ/T 10416-1993 |
制修訂 | 制定 | 批準(zhǔn)發(fā)布部門(mén) | 電子工業(yè)部 |
備案信息
備案號(hào):0063-19942100433B
led芯片就是發(fā)光二極管芯片,也就是你說(shuō)的照明芯片。本質(zhì)上來(lái)說(shuō),就是一個(gè)pn節(jié),電子和空穴在pn節(jié)的耗盡層復(fù)合,復(fù)合后多出的能量以光子的形式發(fā)射出去,也就是發(fā)光照明了。這個(gè)產(chǎn)業(yè)分成三個(gè)部分:外延生長(zhǎng),...
我想你是要問(wèn)芯片應(yīng)用了半導(dǎo)體的什么性質(zhì)了吧,由于半導(dǎo)體可以進(jìn)行不同摻雜性形成pn結(jié),使其具有整流特性實(shí)現(xiàn)電路的與或非門(mén),即邏輯表達(dá)。對(duì)于集成電路來(lái)講,最底下的一層叫襯底(一般為P型半導(dǎo)體),是參與集成...
半導(dǎo)體元器件(semiconductor device)通常,這些半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵,可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測(cè)光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別,有時(shí)也稱(chēng)為分立器件。絕大部分二端...
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中金企信(北京)國(guó)際信息咨詢(xún)有限公司—國(guó)統(tǒng)調(diào)查報(bào)告網(wǎng) 特別提示: 時(shí)間和數(shù)據(jù)按月 /季度隨時(shí)更新 . 半導(dǎo)體分立器件及集成電路測(cè)試儀項(xiàng)目可 行性研究分析報(bào)告 -甲級(jí)資質(zhì) 另:提供國(guó)家發(fā)改委甲、乙、丙級(jí)工程咨詢(xún)資質(zhì) 【報(bào)告說(shuō)明】 可行性研究報(bào)告,簡(jiǎn)稱(chēng)可研,是在制訂生產(chǎn)、基建、科研計(jì)劃的前期,通過(guò)全面的調(diào)查 研究,分析論證某個(gè)建設(shè)或改造工程、 某種科學(xué)研究、 某項(xiàng)商務(wù)活動(dòng)切實(shí)可行而提出的一種 書(shū)面材料。 項(xiàng)目可行性研究報(bào)告主要是通過(guò)對(duì)項(xiàng)目的主要內(nèi)容和配套條件, 如市場(chǎng)需求、資源供應(yīng)、 建設(shè)規(guī)模、工藝路線(xiàn)、設(shè)備選型、環(huán)境影響、資金籌措、盈利能力等,從技術(shù)、經(jīng)濟(jì)、工程 等方面進(jìn)行調(diào)查研究和分析比較, 并對(duì)項(xiàng)目建成以后可能取得的財(cái)務(wù)、 經(jīng)濟(jì)效益及社會(huì)影響 進(jìn)行預(yù)測(cè), 從而提出該項(xiàng)目是否值得投資和如何進(jìn)行建設(shè)的咨詢(xún)意見(jiàn), 為項(xiàng)目決策提供依據(jù) 的一種綜合性的分析方法。 可行性研究具有預(yù)見(jiàn)性、 公正性、
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應(yīng)用ZEMAX光學(xué)設(shè)計(jì)軟件模擬了一種多芯片半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊,將12支808nm單芯片半導(dǎo)體激光器輸出光束耦合進(jìn)數(shù)值孔徑0.22、纖芯直徑105μm的光纖中,每支半導(dǎo)體激光器功率10 W,光纖輸出端面功率達(dá)到116.84W,光纖耦合效率達(dá)到97.36%,亮度達(dá)到8.88MW/(cm2·sr)。通過(guò)ZEMAX和ORIGIN軟件分析了光纖對(duì)接出現(xiàn)誤差以及單芯片半導(dǎo)體激光器安裝出現(xiàn)誤差時(shí)對(duì)光纖耦合效率的影響,得出誤差對(duì)光纖耦合效率影響的嚴(yán)重程度從大到小分別為垂軸誤差、軸向誤差、角向誤差。
1999年8月2日,《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》發(fā)布。
2000年3月1日,《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》實(shí)施。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中有兩大分支:集成電路和分立器件。
目前,中國(guó)的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)已經(jīng)在國(guó)際市場(chǎng)占有舉足輕重的地位并保持著持續(xù)、快速、穩(wěn)定的發(fā)展。隨著電子整機(jī)、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品等市場(chǎng)的持續(xù)升溫,半導(dǎo)體分立器件仍有很大的發(fā)展空間,因此,有關(guān)SIC基、GSN基以及封裝等新技術(shù)新工藝的發(fā)展,新型分立器件在汽車(chē)電子、節(jié)能照明等熱點(diǎn)領(lǐng)域的應(yīng)用前景等成了廣受關(guān)注的問(wèn)題。當(dāng)前全球分立器件市場(chǎng)總體保持穩(wěn)步向上,而亞洲地區(qū)特別是中國(guó)市場(chǎng)表現(xiàn)猶為顯眼。雖然受金融危機(jī)和行業(yè)周期性調(diào)整的影響,目前半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展處于低迷時(shí)期,但前景依然美好。從發(fā)展趨勢(shì)看,無(wú)論是全球還是中國(guó),分立器件在電子信息產(chǎn)品制造業(yè)中銷(xiāo)售額度所占比例正在逐步下降,分立器件產(chǎn)量和產(chǎn)值的增長(zhǎng)速率要低于整機(jī)系統(tǒng)的增長(zhǎng)速率。另一方面,整機(jī)系統(tǒng)的快速發(fā)展,也為分立器件行業(yè)提供了新的市場(chǎng)商機(jī)。特別是全球電子整機(jī)對(duì)節(jié)能、環(huán)保需求的不斷增長(zhǎng),這一方面帶動(dòng)了分立器件產(chǎn)品的需求增長(zhǎng),另一方面也帶動(dòng)了市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的快速升級(jí)。整機(jī)系統(tǒng)進(jìn)一步向小型化、集成化方向發(fā)展的趨勢(shì),對(duì)分立器件也提出了新的要求,片式貼裝器件已經(jīng)成為行業(yè)發(fā)展的主流。中國(guó)企業(yè)要想在未來(lái)市場(chǎng)中競(jìng)爭(zhēng)中掌握主動(dòng)權(quán),必須加強(qiáng)原始創(chuàng)新、集成創(chuàng)新和引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新。
半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的不斷加劇,大型半導(dǎo)體分立器件制造企業(yè)間并購(gòu)整合與資本運(yùn)作日趨頻繁,國(guó)內(nèi)優(yōu)秀的半導(dǎo)體分立器件制造企業(yè)愈來(lái)愈重視對(duì)行業(yè)市場(chǎng)的研究,特別是對(duì)企業(yè)發(fā)展環(huán)境和客戶(hù)需求趨勢(shì)變化的深入研究。
2010年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將較上年同期低迷的水平實(shí)現(xiàn)有史以來(lái)最大規(guī)模的增長(zhǎng),這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長(zhǎng)。2010年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)2910億美元,同比增長(zhǎng)約30%;2011年規(guī)模為3079億美元,同比增長(zhǎng)5.8%。這一切要?dú)w功于殺手級(jí)產(chǎn)品,如智能手機(jī)、平板電腦、電子書(shū)及游戲機(jī)等終端電子產(chǎn)品的推動(dòng),以及實(shí)際上半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是受2008與2009年的兩年下降,而積聚的向上能量。全球DRAM市場(chǎng)總體供過(guò)于求狀況持續(xù)加劇,2011年全球DRAM市場(chǎng)位元產(chǎn)能將增長(zhǎng)58.7%,高于需求增速31.5個(gè)百分點(diǎn),過(guò)剩產(chǎn)能占比達(dá)28.2%。中國(guó)2012年LED市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)605億元,2008-2012年年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)34%。至2015年LED芯片自給率將達(dá)70%。2010年1-11月國(guó)內(nèi)元器件各細(xì)分產(chǎn)品PCB、電容、電阻、電感器件、電聲器件、磁材料及器件、電接插元件出口同比增長(zhǎng)分別為32.74%、44.62%、41.30%、54.31%、36.04%、43.75%、39.59%。