中文名 | 城市交通網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化與管理的若干基礎(chǔ)問題研究 | 項目類別 | 重點項目 |
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項目負責人 | 高自友 | 依托單位 | 北京交通大學 |
本項目研究以揭示我國城市交通網(wǎng)絡(luò)中交通流的時空分布及運行特點、優(yōu)化利用交通資源和緩解與預(yù)防城市交通擁堵為目的,通過系統(tǒng)科學、經(jīng)濟學、行為科學、交通科學和管理科學之間的深層交叉研究,從網(wǎng)絡(luò)交通流、路網(wǎng)結(jié)構(gòu)和交通管理三個層面研究適合我國城市混合交通流特性的數(shù)學模型,設(shè)計高效的求解算法,驗證交通流的各種組織優(yōu)化與管理策略,并結(jié)合實際問題,提出切實可行的、有效的城市交通組織優(yōu)化與管理策略,為緩解和預(yù)防城市
批準號 |
70631001 |
項目名稱 |
城市交通網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化與管理的若干基礎(chǔ)問題研究 |
項目類別 |
重點項目 |
申請代碼 |
G0102 |
項目負責人 |
高自友 |
負責人職稱 |
教授 |
依托單位 |
北京交通大學 |
研究期限 |
2007-01-01 至 2010-12-31 |
支持經(jīng)費 |
80(萬元) |
市政道路城市干線是屬于帶城市規(guī)劃性質(zhì)的規(guī)劃線路,城市交通干線在2004年5月1日前是有區(qū)分的。和交通干線、車流量無關(guān)。依次為那條車道多、隔離帶、雙黃線、雙實線、實線。 主干道應(yīng)為連接城市各主要分區(qū)的干...
今天哪個大隊能交違章
1、重慶是兩江環(huán)繞的丘陵山地,成都是平原。2、重慶自行車、電動車幾乎為零。成都很多自行車和電動車。3、重慶有立體交通,過江索道、皇冠扶梯、較場口電梯、公交車、出租車、輕軌、地鐵。成都只有公交車和出租車...
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評分: 4.5
在城市發(fā)展和建設(shè)的過程中,城市的交通問題一直以來都備受關(guān)注。交通網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展和完善不僅可以促進區(qū)域經(jīng)濟的發(fā)展,還可以給人們的出行帶來較大的便利。現(xiàn)如今,城建工作者為了進一步提升城市的交通環(huán)境。從目前我國城市交通事業(yè)發(fā)展的現(xiàn)狀中可見,雖然成績比較明顯,但是交通擁堵,事故頻發(fā)的現(xiàn)象仍然存在。本文中,筆者主要對引起城市交通問題的原因進行分析,并且提出相應(yīng)的解決措施,僅供參考。
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評分: 4.3
針對目前軌道交通運營管理無法實時掌握客流情況的現(xiàn)狀,在全網(wǎng)各站點閘機實時數(shù)據(jù)以及歷史數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)上,結(jié)合Agent仿真技術(shù)對進站客流建模,建立全網(wǎng)絡(luò)條件下軌道交通客流分布模型.快速、全面地對軌道交通各個站點、線路之間的客流分布、運行情況進行直觀仿真.通過向運營企業(yè)提供列車實時客流參數(shù),使其可以全面把握全網(wǎng)各站點、各列車的實時客流情況,以此及時調(diào)整列車運行方案.另外,出行者也可以通過手機客戶端了解網(wǎng)絡(luò)客流狀況,根據(jù)自身情況選擇合適的出行方案.
薄膜晶體管(TFT)是主動驅(qū)動平板顯示的核心元件,微晶硅TFT性能優(yōu)于非晶硅,制作工藝比多晶硅簡單,是實現(xiàn)AM-OLED的方案之一。 我們的研究由單個TFT器件,到TFT器件的集成,最終實現(xiàn)7英寸的TFT-OLED 顯示屏。主要結(jié)果如下。 一.微晶硅TFT 器件的研究 1.有源層的研究;(a)研究了生長條件如氫稀釋濃度、襯底溫度、功率密度和反應(yīng)氣體壓強對微晶硅晶化率的影響。(b)采用PECVD雙倍頻(27.12MHz)直接生長微晶硅薄膜:采用雙倍頻技術(shù)提升微晶硅薄膜的沉積速率,改善薄膜的晶化率,直接生長出高質(zhì)量的微晶硅薄膜。 2.絕緣層的研究:(a)通過優(yōu)化工藝參數(shù)從而調(diào)節(jié)表面的粗糙度及薄膜的折射率。將SiNx的折射率控制在1.85-1.90之間,有利于生長高質(zhì)量的微晶硅薄膜.(b)SiNx絕緣層采用沉積速率“先快后慢”兩步沉積工藝,改善絕緣層/有源層之間的界面態(tài), 3.界面的改善:(a) SiNx絕緣層表面采用plasma處理,改善了器件的關(guān)態(tài)電流,提高開關(guān)比,降低了閾值電壓。(b)雙有源層結(jié)構(gòu):采用a-Si/uc-Si復合結(jié)構(gòu)薄膜代替uc-Si薄膜作為有源層,改善了關(guān)態(tài)電流,由6x10-10 A 降到 6x10-12 A. 4.基于無重摻雜的新型源漏電極的微晶硅TFT研究:為了避免傳統(tǒng)重摻雜電極使用磷烷硼烷等有毒氣體,研制安全的歐姆電極.(a)采用鋁合金作為源漏電極我們采用鋁合金作用源漏電極。(b)制備 Al/LiF源漏電極。在Al電極與μc-Si之間插入LiF薄層,制成Al/LiF源漏電極,其電子注入勢壘由Al電極的0.512eV降到0.12eV。優(yōu)化后TFT性能:遷移率0.5cm2/V.s, 閾值電壓0.59V,開關(guān)比大于106 。 二.TFT 基板的制作:(a)像素采用2T1C 結(jié)構(gòu)設(shè)計?;宄叽纾?英寸。分辨率:VGA 640×RGB(H)×480(V)。驅(qū)動電壓:6-13V。像素大?。?22um×74um。(b)工藝:6 MASK 工藝:制作柵極;形成硅島;制作源漏電極及溝道;接觸孔;制作像素電極 (ITO);制作平坦化層。 三.TFT-OLED顯示屏的制作。 在TFT基板上制備OLED 得到7inch AMOLED彩色顯示屏。分辨率:640X480;亮度:165 cd/m2;NTSC:65.5%。項目圓滿完成.
薄膜晶體管(TFT)是主動驅(qū)動平板顯示的核心元件,微晶硅TFT由于性能優(yōu)于非晶硅,其制作工藝又與非晶硅基本相同,比多晶硅便宜,因此是當前最具競爭力的AM-OLED 的控制元件。我們將開展以下研究(1)微晶硅薄膜的新的制備和晶化研究。它具雙層結(jié)構(gòu),先生長一層很薄微晶硅子晶層然后是非晶硅層;再用液相加熱晶化的方法進行晶化的以期得到高質(zhì)量,適合于量產(chǎn)的工藝。(2)歐姆接觸層的研究:以插入超薄的絕緣層來代替?zhèn)鹘y(tǒng)n a-Si:H來實現(xiàn)歐姆接觸;并探索其他制歐姆接觸層的可能性。(3)絕緣層的研究:研究Si3N4和SiO2 絕緣層制備條件與深能級的濃度和深度,表面粗糙度的關(guān)系。(4)界面層的研究。(5)新型TFT器件結(jié)構(gòu)的研究,如頂柵結(jié)構(gòu)的微晶硅TFT器件的研制等。(6)微晶硅TFT與OLED的集成的研究。尋找最佳的參數(shù)及最合適的器件結(jié)構(gòu)如底柵或頂柵TFT,微腔頂發(fā)射或微腔底發(fā)射OLED等。
《國家審計若干問題研究》由中國時代經(jīng)濟出版社出版。