中文名 | 場效應(yīng)管可變電阻區(qū) | 外文名 | Resistive Region |
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學(xué)科領(lǐng)域 | 模擬電子技術(shù) |
根據(jù)預(yù)夾斷時各極之間的電壓關(guān)系式U(DS)=U(GS)-U(GS(off)),可確定不同柵源電壓U(GS)下溝道預(yù)夾斷時的U(DS)。各點相連,得到概述圖中的虛線OA,它表示場效應(yīng)管恰好預(yù)夾斷時U(DS)與U(GS)的關(guān)系,也即可變電阻區(qū)與飽和區(qū)(恒流區(qū))的分界線。
在可變電阻區(qū)內(nèi),當U(GS)不變時,I(D)隨U(DS)的增加近似直線上升,且U(GS)越小,該段輸出特性曲線斜率越小。此時,場效應(yīng)管可視作一個受U(GS)控制的壓控電阻,且U(GS)越小,等效電阻值越大。也正因此,該區(qū)域叫做“可變電阻區(qū)”。
場效應(yīng)管可變電阻區(qū)是指輸出特性曲線中靠近縱軸,反映場效應(yīng)管預(yù)夾斷前漏極電流I(D)和漏源電壓U(DS)之間關(guān)系的部分。
電阻器阻值固定不變,可變電阻隨意調(diào)整電阻值。它的區(qū)別是: 區(qū)別一、功率較大場合下的可變電阻器(線繞式結(jié)構(gòu)),體積很大,動片可以左右滑動,進行阻值調(diào)節(jié)。 區(qū)別二、可變電阻器的體積比一般電阻器的體積大些,...
5V是可以實現(xiàn)的,但0V是不能實現(xiàn)的,因為可變電阻變化范圍是500歐到1500歐,如果說是0--1500的話就好說了,只要在變阻器前串聯(lián)一只1500的電阻,按串聯(lián)電路分壓原理就可以在變阻器的滑動臂和地...
阻值可以調(diào)整的電阻器,用于需要調(diào)節(jié)電路電流或需要改變電路阻值的場合。可變電阻器可以改變信號發(fā)生器的特性,使燈光變暗,啟動電動機或控制它的轉(zhuǎn)速。根據(jù)用途的不同,可變電阻器的電阻材料可以是金屬絲、金屬片、...
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場效應(yīng)管基礎(chǔ)知識介紹 一、場效應(yīng)三極管的型號命名方法 第二種命名方法是 CS××#, CS代表場效應(yīng)管,××以數(shù)字代表型號的序號, #用字母代表同一型號中的不同規(guī)格。 例如 CS14A、CS45G等。 二、場效應(yīng)管的參數(shù) 1、 I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,柵極電壓 U GS=0時的漏源電流。 2、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓。 3、UT — 開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓。 4、gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓 U GS — 對漏極電流 I D的控制能力,即漏極電流 I D變化量與柵源電壓 UGS變化量的比值。 gM 是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。 5、BUDS — 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓 UGS一定時,場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數(shù), 加
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電力型線繞可變電阻器(FVR)規(guī)格書
可變電阻與普通電阻在外形上有很大的區(qū)別,它具有下列一些特征,根據(jù)這些特征可以在線路板中識別可變電阻: (1)可變電阻的體積比一般電阻的體積大些,同時電路中可變電阻較少,在線路板中能方便地找到它。 (2)可變電阻共有三根引腳,這三根引腳有區(qū)別,一根為動片引腳,另兩根是定片引腳,一般兩個定片引腳之間可以互換使用,而定片與動片引腳之間不能互換使用。 (3)可變電阻上有一個調(diào)整口,用一字螺絲刀伸入此調(diào)整口中,轉(zhuǎn)動螺絲刀可以改變動片的位置,進行阻值的調(diào)整。 (4)在可變電阻上可以看出它的標稱阻值,這一標稱阻值是指兩個定片引腳之間的阻值,也是某一個定片引腳與動片引腳之間的最大阻值。 (5)立式可變電阻主要使用于小信號電路中,它的三根引腳垂直向下,垂直安裝在線路板上,阻值調(diào)節(jié)口在水平方向。 (6)臥式可變電阻也使用于小信號電路中,它的三根引腳與電阻平面成90°,垂直向下,平臥地安裝在線路板上,阻值調(diào)節(jié)口朝上。 (7)小型塑料外殼的可變電阻體積更小,呈圓形結(jié)構(gòu),它的三根引腳向下,阻值調(diào)節(jié)口朝上。 (8)用于功率較大場合下的可變電阻(線繞式結(jié)構(gòu)),體積很大,動片可以左右滑動,進行阻值調(diào)節(jié)。
1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。
2.場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.場效應(yīng)管可以用作可變電阻。
4.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。
5.場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。
(1)場效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過VGS(柵源電壓)來控制ID(漏極電流);
(2)場效應(yīng)管的輸入端電流極小,因此它的輸入電阻很大。
(3)它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;
(4)它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);
(5)場效應(yīng)管的抗輻射能力強;
(6)由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。
電力場效應(yīng)管場效應(yīng)管
(Field Effect Transistor簡稱FET )是利用電場效應(yīng)來控制半導(dǎo)體中電流的一種半導(dǎo)體器件,故因此而得名。場效應(yīng)管是一種電壓控制器件,只依靠一種載流子參與導(dǎo)電,故又稱為單極型晶體管。與雙極型晶體三極管相比,它具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強、功耗小、制造工藝簡單和便于集成化等優(yōu)點。
場效應(yīng)管有兩大類,結(jié)型場效應(yīng)管JFET和絕緣柵型場效應(yīng)管IGFET,后者性能更為優(yōu)越,發(fā)展迅速,應(yīng)用廣泛。圖Z0121 為場效應(yīng)管的類型及圖形、符號。
一、結(jié)構(gòu)與分類
圖 Z0122為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)示意圖和它的圖形、符號。它是在同一塊N型硅片的兩側(cè)分別制作摻雜濃度較高的P型區(qū)(用P 表示),形成兩個對稱的PN結(jié),將兩個P區(qū)的引出線連在一起作為一個電極,稱為柵極(g),在N型硅片兩端各引出一個電極,分別稱為源極(s)和漏極(d)。在形成PN結(jié)過程中,由于P 區(qū)是重摻雜區(qū),所以N一區(qū)側(cè)的空間電荷層寬度遠大
二、工作原理
N溝道和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理完全相同,只是偏置電壓的極性和載流子的類型不同而已。下面以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例來分析其工作原理。電路如圖Z0123所示。由于柵源間加反向電壓,所以兩側(cè)PN結(jié)均處于反向偏置,柵源電流幾乎為零。漏源之間加正向電壓使N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子-電子由源極出發(fā),經(jīng)過溝道到達漏極形成漏極電流ID。
1.柵源電壓UGS對導(dǎo)電溝道的影響(設(shè)UDS=0)
在圖Z0123所示電路中,UGS <0,兩個PN結(jié)處于反向偏置,耗盡層有一定寬度,ID=0。若|UGS| 增大,耗盡層變寬,溝道被壓縮,截面積減小,溝道電阻增大;若|UGS| 減小,耗盡層變窄,溝道變寬,電阻減小。這表明UGS控制著漏源之間的導(dǎo)電溝道。當UGS負值增加到某一數(shù)值VP時,兩邊耗盡層合攏,整個溝道被耗盡層完全夾斷。(VP稱為夾斷電壓)此時,漏源之間的電阻趨于無窮大。管子處于截止狀態(tài),ID=0。
2.漏源電壓UGS對漏極電流ID的影響(設(shè)UGS=0)
當UGS=0時,顯然ID=0;當UDS>0且尚小對,P N結(jié)因加反向電壓,使耗盡層具有一定寬度,但寬度上下不均勻,這是由于漏源之間的導(dǎo)電溝道具有一定電阻,因而漏源電壓UDS沿溝道遞降,造成漏端電位高于源端電位,使近漏端PN結(jié)上的反向偏壓大于近源端,因而近漏端耗盡層寬度大于近源端。顯然,在UDS較小時,溝道呈現(xiàn)一定電阻,ID隨UDS成線性規(guī)律變化(如圖Z0124曲線OA段);若UGS再繼續(xù)增大,耗盡層也隨之增寬,導(dǎo)電溝道相應(yīng)變窄,尤其是近漏端更加明顯。
由于溝道電阻的增大,ID增長變慢了(如圖曲線AB段),當UDS增大到等于|VP|時,溝道在近漏端首先發(fā)生耗盡層相碰的現(xiàn)象。這種狀態(tài)稱為預(yù)夾斷。這時管子并不截止,因為漏源兩極間的場強已足夠大,完全可以把向漏極漂移的全部電子吸引過去形成漏極飽和電流IDSS (這種情況如曲線B點):當UDS>|VP|再增加時,耗盡層從近漏端開始沿溝道加長它的接觸部分,形成夾斷區(qū) 。
由于耗盡層的電阻比溝道電阻大得多,所以比|VP|大的那部分電壓基本上降在夾斷區(qū)上,使夾斷區(qū)形成很強的電場,它完全可以把溝道中向漏極漂移的電子拉向漏極,形成漏極電流。因為未被夾斷的溝道上的電壓基本保持不變,于是向漏極方向漂移的電子也基本保持不變,管子呈恒流特性(如曲線BC段)。但是,如果再增加UDS達到BUDS時(BUDS稱為擊穿電壓)進入夾斷區(qū)的電子將被強電場加速而獲得很大的動能,這些電子和夾斷區(qū)內(nèi)的原子碰撞發(fā)生鏈鎖反應(yīng),產(chǎn)生大量的新生載流予,使ID急劇增加而出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象(如曲線CD段)。
由此可見,結(jié)型場效應(yīng)管的漏極電流ID受UGS和UDS的雙重控制。這種電壓的控制作用,是場效應(yīng)管具有放大作用的基礎(chǔ)。
三、特性曲線
1.輸出特性曲線
輸出特性曲線是柵源電壓UGS取不同定值時,漏極電流ID 隨漏源電壓UDS 變化的一簇關(guān) 系曲線,如圖Z0124所示。由圖可知,各條曲線有共同的變化規(guī)律。UGS越負,曲線越向下移動)這是因為對于相同的UDS,UGS越負,耗盡層越寬,導(dǎo)電溝道越窄,ID越小。
由圖還可看出,輸出特性可分為三個區(qū)域即可變電阻區(qū)、恒流區(qū)和擊穿區(qū)。
◆可變電阻區(qū):預(yù)夾斷以前的區(qū)域。其特點是,當0<UDS<|VP|時,ID幾乎與UDS呈線性關(guān)系增長,UGS愈負,曲線上升斜率愈小。在此區(qū)域內(nèi),場效應(yīng)管等效為一個受UGS控制的可變電阻。
◆恒流區(qū):圖中兩條虛線之間的部分。其特點是,當UDS>|VP|時,ID幾乎不隨UDS變化,保持某一恒定值。ID的大小只受UGS的控制,兩者變量之間近乎成線性關(guān)系,所以該區(qū)域又稱線性放大區(qū)。
◆擊穿區(qū):右側(cè)虛線以右之區(qū)域。此區(qū)域內(nèi)UDS>BUDS,管子被擊穿,ID隨UDS的增加而急劇增加。
2.轉(zhuǎn)移特性曲線
當UDS一定時,ID與UGS之間的關(guān)系曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。實驗表明,當UDS>|VP|后,即恒流區(qū)內(nèi),ID 受UDS影響甚小,所以轉(zhuǎn)移特性通常只畫一條。在工程計算中,與恒流區(qū)相對應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性可以近似地用下式表示:I d=Idss(1-Ugs/Vp)(1-Ugs/Vp)
式GS0127中VP≤UGS≤0,IDSS是UGS=0時的漏極飽和電流。
圖為輸出特性曲線
N溝道MOS場效管的轉(zhuǎn)移特性曲線
N溝道MOS場效應(yīng)管的輸出特性曲線