氮化鋁材料(aluminium nitride material)有陶瓷型和薄膜型兩種。
氮化鋁熱導(dǎo)率高、絕緣性能好電阻率高達(dá)4x lUfs7,"cm.,熱膨脹系數(shù)小(2.55一3.8U; x i0一“K一‘,化學(xué)性能穩(wěn)定,在innU℃時才與空氣發(fā)生氧化。在真空中可穩(wěn)定到ISUU}}。致密型氮化鋁是抗水的,幾乎不與濃無機(jī)酸發(fā)生反應(yīng)。密度為3.26gIcm3,熔點24UU C'彈性模量為3U( -- 31 f7C}Pa,抗彎強(qiáng)度為2sa一350MPa ,莫氏硬度為g.A1N陶瓷用粉末冶金法制得』氮化鋁薄膜用反應(yīng)濺射法制得。AlU陶瓷片川于大功率半導(dǎo)體集成電路和大功率的厚模電路,AIN薄膜用于薄膜器件的介質(zhì)和耐磨、耐熱、散熱好的材料表l}鍍層一、
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價格100左右。氮化鋁陶瓷基板作為電路元件及互連線承載體,廣泛應(yīng)用于軍事和空間技術(shù)通訊、計算機(jī)、儀器儀表、電力電子設(shè)備、汽車、日用家電、辦公自動化等各個領(lǐng)域。如LED照明電路、點火模塊、晶閘管散熱、大...
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大多數(shù)氮化鋁膜為多晶,但已在藍(lán)寶石基材上成功地外延生長制成單晶氮化鋁膜。此外,也曾沉積出非晶氮化鋁膜 。
迭氮化鋁由迭氮化鈉和飽和三價鋁鹽(建議用硝酸鋁)溶液反應(yīng)得到。不建議制作,可能剛做出就發(fā)生爆炸。
氮化鋁膜在微電子和光電子器件、襯底材料、絕緣層材料、封裝材料上有著十分廣闊的應(yīng)用前景。由于它的聲表面波速度高,具有壓電性,可用作聲表面波器件。此外,氮化鋁還具有良好的耐磨損和耐腐蝕性能,可用作防護(hù)膜 。