低電阻楔型線夾

本標準主要起草人：黃金飛、鄭革、陳杰、任永瓊、方偉、曹少華、唐靜、劉偉、徐馳達、陳敏、 林繼興、劉勇龍。

本標準規(guī)定了低電阻楔型線夾的術(shù)語和定義、基本要求、結(jié)構(gòu)及型號、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸、貯存和質(zhì)量承諾。

本標準適用于額定電壓 10 kV 及以下架空配電線路裸導(dǎo)線和絕緣導(dǎo)線接續(xù)的楔型線夾。

本標準由浙江省家具與五金研究所牽頭組織制定。 本標準主要起草單位：永固集團股份有限公司。 本標準參與起草單位：浙江省家具與五金研究所、浙江精創(chuàng)電力科技有限公司、上海永固電力器材 有限公司、浙江工貿(mào)職業(yè)技術(shù)學(xué)院、固力發(fā)集團股份有限公司（排名不分先后）。

楔型線夾用于固定桿塔拉線上端；可調(diào)式UT型線夾用于固定和調(diào)整桿塔拉線下端，不可調(diào)式UT型線夾用于固定桿塔拉線上端；雙拉線用聯(lián)板用于連接兩根組合拉線。

一種制備低殘壓ZnO壓敏電阻陶瓷的工藝方法專利目的

《一種制備低殘壓ZnO壓敏電阻陶瓷的工藝方法》的目的在于為克服已有技術(shù)的不足之處，開發(fā)一種新的制備低殘壓ZnO壓敏電阻陶瓷的工藝方法，使該材料具有更高的性能和更適于工業(yè)應(yīng)用。

一種制備低殘壓ZnO壓敏電阻陶瓷的工藝方法技術(shù)方案

《一種制備低殘壓ZnO壓敏電阻陶瓷的工藝方法》提出的一種制備低殘壓ZnO壓敏電阻陶瓷的工藝方法，其特征在于，該方法基于兩步燒結(jié)法和籽晶法的低殘壓ZnO壓敏電阻陶瓷的制備工藝，該制備方法的原料配方包括：ZnO（92.7-97摩爾百分比）、Bi₂O₃（0.4-0.9摩爾百分比）、MnO₂（0.4-0.7摩爾百分比）、Sb₂O₃（0.5-1.5摩爾百分比）、Co₂O₃（0.5-1.5摩爾百分比）、SiO₂（0.8-1.7摩爾百分比）、Al（NO₃）₃·9H₂O（0.1-0.4摩爾百分比）和Cr₂O₃（0.3-0.7摩爾百分比）；該方法包括以下步驟：

1）籽晶的制備與第一步燒結(jié)：

（11）采用原料配方中總量的20％-50％的ZnO、0％-20％的Bi₂O₃和全部的Al（NO₃）₃·9H₂O；置于加有去離子水或酒精的球磨罐中，球磨8-12小時，然后烘干作為籽晶原料；

（12）將球磨干燥后的籽晶原料放入高溫電爐中，在1200-1350℃下進行第一步預(yù)燒3-6小時成籽晶硬塊，隨爐冷卻至常溫；

（13）將燒結(jié)之后的籽晶硬塊粉碎后，置于球磨罐中，加去離子水或酒精球磨4-8小時；然后選取過200-500目篩的籽晶，得到粒徑為75微米以下的籽晶；

2）原料混合與第二步燒結(jié)

（21）將所有剩余的原料、步驟13）得到的籽晶以及按照每克原料加入0.5毫升的5％（wt）PVA溶液混合，在球磨罐中加去離子水球磨8-12小時，然后烘干、過70-150目的篩，含水造粒，然后采用壓力成型的方法，將其壓成坯體；

（22）將坯體的樣品在密閉的高溫電爐中進行第二步燒結(jié)，從室溫升溫至保溫溫度（350-550℃），保溫4-6小時進行排膠，然后再經(jīng)過18-23小時升溫至燒結(jié)溫度（1150℃-1200℃），在燒結(jié)溫度下保溫3-6小時，使陶瓷燒結(jié)致密，然后隨爐冷卻到常溫。

一種制備低殘壓ZnO壓敏電阻陶瓷的工藝方法改善效果

《一種制備低殘壓ZnO壓敏電阻陶瓷的工藝方法》通過嚴格改變燒制工藝流程和控制工藝參數(shù)，可以人為地控制該材料在制備過程中的結(jié)構(gòu)成分和結(jié)構(gòu)變化，在降低晶粒電阻率和降低ZnO壓敏電阻殘壓的同時，又抑制了泄漏電流的增長和非線性系數(shù)的下降。從而使該材料具有更高的性能和更適于工業(yè)應(yīng)用。

《一種制備低殘壓ZnO壓敏電阻陶瓷的工藝方法》屬于低殘壓ZnO壓敏電阻陶瓷的加工技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種新的二步燒結(jié)的籽晶法制備和燒結(jié)陶瓷工藝。