中文名 | 電極結(jié)構(gòu) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化學(xué),能源領(lǐng)域 |
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(1)管(盒)式電極管(盒)式電極是將配制好的電極粉料加人表面有微孔的管或盒中,如鉛酸電池有時(shí)正極是將活性物質(zhì)鉛粉裝人玻璃絲管或滌淪編織管中,并在管中插人匯流導(dǎo)電體。也有極板盒式的,錫一鎳電池則利用盒式電極。此類電極不易掉粉,電池壽命長。
(2)壓成式電極壓成式電極是將配制好的電極粉料放人模具中加壓而成。電極中間放導(dǎo)電骨架。
(3)涂膏式電極將電極粉料用電解液調(diào)成膏狀,涂攫在導(dǎo)電骨架上,如鉛酸電池電極、鋅一銀電池的負(fù)極。
(4)燒結(jié)式電極將電極粉料加壓成型,并經(jīng)高溫?zé)Y(jié)處理,也可以燒結(jié)成電極基板,然后,浸潰活性物質(zhì),烘干而成。鍋一鎳電池、鋅一銀電池用電極常用燒結(jié)法制造。燒結(jié)式電極強(qiáng)度高,孔隙率高,可以大電流、高倍率放電,電池壽命長,但工藝復(fù)雜,成本較高。
(5)發(fā)泡式電極發(fā)泡鎳電極是將泡沫塑料進(jìn)行化學(xué)鍍鎳,電鍍鎳處理后,經(jīng)高溫碳化后得到多孔網(wǎng)狀鎳基體,將活性物質(zhì)填充在鎳網(wǎng)上,經(jīng)軋制成泡沫電極。泡沫鎳電極孔隙率高90%以上),真實(shí)表面積大,電極放電容量大,電極柔軟性好,適合作卷繞式電極的圃筒形電池。主要用于氫一鎳和鍋一鎳電池。
氣體擴(kuò)散電極是粉末多孔電極在氣體電極中的應(yīng)用。電極的活性物質(zhì)是氣體。氣體電極反應(yīng)在電極微孔內(nèi)表面形成的氣一液-固三相界面上進(jìn)行。工業(yè)上已得到應(yīng)用的是氫電極和氧電極,如燃料電池的正、負(fù)極和鋅一空氣電池的正極都是這種氣體擴(kuò)散電極。典型的電極結(jié)構(gòu)有:雙層多孔電極(又稱培根型電極)、防水型電極、隔膜型電極等。
1、電沉積式電極電沉積式電極是以沖孔鍍鎳鋼帶為陰極,在硫酸鹽或氯化物中,將活性物質(zhì)電沉積到基體上,經(jīng)輥壓,烘干,涂粘結(jié)劑,剪切成電極片。電沉積式電極制造工藝簡單,生產(chǎn)周期短,活性物質(zhì)利用率高。用電沉法可以制備鎳、鍋、鉆、鐵等高活性電極,其中電沉積式錫電極已在隔一鎳電池中應(yīng)用。
2、纖維式電極纖維式電極是以纖維鎳氈狀物作基體,向基體孔隙中填充活性物質(zhì),電極基體孔隙率達(dá)93%一”%,具有高比容量和高活性二電極制造工藝簡單,成本低,但鎳?yán)w維易造成電池正、負(fù)極短路,自放電大,尚未大量應(yīng)用?!?
片狀電極由金屬片或板直接制成,鋅一錳干電池以鋅片沖成圓筒作負(fù)極,銼電池的負(fù)極用銼片。
粉末多孔電極應(yīng)用極廣,因?yàn)殡姌O多孔,真實(shí)表面積大,電化學(xué)極化和濃差極化小,不易鈍化。電極反應(yīng)在固液界面上進(jìn)行,充放電過程中生成枝晶少,可以防止電極間短路。
樓上回答的都不對(duì)。氫電極只是標(biāo)準(zhǔn)電極,我們?nèi)藶榈陌阉碾娢欢椤?”,以此來比較出其它電極電位的大小。電化學(xué)科研中,常用的參比電極是甘汞電極,因?yàn)樗闹苽浔容^容易(簡單)。25攝氏度下c的電極電位數(shù)據(jù)...
1、DO溶氧電極 應(yīng)用極譜式原理,以鉑金(Pt)作陰極,Ag/AgCl作陽極,電解液為0.1M氯化鉀(KCl),測量時(shí),在陽極和陰極間加上0.68V的極化電壓,氧通過滲透膜在陰極消耗,透過膜...
電極是電子或電器裝置、設(shè)備中的一種部件,用做導(dǎo)電介質(zhì)(固體、氣體、真空或電解質(zhì)溶液)中輸入或?qū)С鲭娏鞯膬蓚€(gè)端。輸入電流的一極叫陽極或正極,放出電流的一極叫陰極或負(fù)極。電極有各種類型,如陰極、陽極、焊接...
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紫銅電極與石墨電極的區(qū)別 材料特性: 紫銅:以無雜質(zhì)鍛打的電解銅最好。 石墨:細(xì)粒致密,各向同性的高純石墨。 精加工: ? ?? ? 紫銅: 1、電極損耗小 ; 2、加工表面可達(dá)到 Ra≤0.1μm 適于鏡面加工; ? ?? ?? ?3 、 如果表面有紋,銅蝕出來的紋比較均勻。 石墨: 1、精加工電極損耗大。 粗加工: ? ?? ? 紫銅: 石墨: 1、開粗速度快,透氣性好; 2、電極損耗小,適于加大型腔的加工。 材料利用率: ? ? 紫銅: 1、用過后經(jīng)改制還可以再次利用,利用率高。 石墨: 機(jī)械加工性能: 紫銅: 1、機(jī)加性能差,在精車精磨加工難,改進(jìn)方法:將紫銅焊在鋼基上; ? ?? ?? ?2 、易變形,磨削困難,不宜用作加工微細(xì)部位; 3、易成形 ?石墨: 1、機(jī)加性能好,易于成形及修正; ? ?? ?? ??2、做薄而深的骨位電極時(shí)不會(huì)變形,它很脆,寧可斷也不會(huì)變形;
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水位電極 一、水位電極的概述 Co-fly 系列電接點(diǎn)水位計(jì),主要用于鍋爐汽包、高低加熱器、除氧器、蒸發(fā)器、直流鍋爐起動(dòng)分離器、水箱 等的水位測量。本裝置由測量筒和二次儀表組成。采用數(shù)碼顯示和汽紅水綠雙色發(fā)光二極管顯示液位。 二、儀表的特點(diǎn)及技術(shù)參數(shù) 1.水位電極的特點(diǎn): ①具有閃光、聲音報(bào)警功能。 ②具有 4-20mA 信號(hào)輸出,可接 DCS 系統(tǒng),設(shè)有保護(hù)聯(lián)鎖輸出功能。 ③具有自供電功能,斷電后可繼續(xù)工作 4 小時(shí)。 ④儀表上設(shè)有三個(gè)按鈕, a報(bào)警消音、 b排污按鈕、 c檢測按鈕。 2.水位電極的技術(shù)參數(shù): ①電源電壓: 220V±10% 、50Hz ②工作環(huán)境溫度: -10-45℃ ③工作相對(duì)濕度:≤ 85% ④液體水阻范圍: 0-500KΩ ⑤繼電器輸出接點(diǎn)容量: 220V、3A ⑥水位顯示點(diǎn)數(shù): 5-19點(diǎn) (最多可達(dá) 38點(diǎn) ) 例如 19點(diǎn): 0、± 15、± 30、± 50
氣敏電極是一種氣體傳感器,由離子選擇電極(如pH電極等)作為指示電極,與外參比電極一起插入電極管中組成復(fù)合電極,電極管中充有特定的電解質(zhì)溶液――稱為中介液,電極管端部緊靠離子選擇電極敏感膜處用特殊的透氣膜或空隙間隔把中介液與外測定液隔開,構(gòu)成了氣敏電極。
集電極開路結(jié)構(gòu)
我們先來說說集電極開路輸出的結(jié)構(gòu)。集電極開路輸出的結(jié)構(gòu)如圖1所示,右邊的那個(gè)三極管集電極什么都不接,所以叫做集電極開路(左邊的三極管為反相之用,使輸入為"0"時(shí),輸出為"1")。對(duì)于圖1,當(dāng)左端的輸入為"0"時(shí),前面的三極管截止(即集電極C跟發(fā)射極E之間相當(dāng)于斷開),所以5V電源通過1K電阻加到右邊的三極管上,右邊的三極管導(dǎo)通(即相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)閉合);當(dāng)左端的輸入為"1"時(shí),前面的三極管導(dǎo)通,而后面的三極管截止(相當(dāng)于開關(guān)斷開)。我們將圖1簡化成圖2的樣子。圖2中的開關(guān)受軟件控制,"1"時(shí)斷開,"0"時(shí)閉合。很明顯可以看出,當(dāng)開關(guān)閉合時(shí),輸出直接接地,所以輸出電平為0。而當(dāng)開關(guān)斷開時(shí),則輸出端懸空了,即高阻態(tài)。這時(shí)電平狀態(tài)未知,如果后面一個(gè)電阻負(fù)載(即使很輕的負(fù)載)到地,那么輸出端的電平就被這個(gè)負(fù)載拉到低電平了,所以這個(gè)電路是不能輸出高電平的。
再看圖三。圖三中那個(gè)1K的電阻即是上拉電阻。如果開關(guān)閉合,則有電流從1K電阻及開關(guān)上流過,但由于開關(guān)閉合時(shí)電阻為0(方便我們的討論,實(shí)際情況中開關(guān)電阻不為0,另外對(duì)于三極管還存在飽和壓降),所以在開關(guān)上的電壓為0,即輸出電平為0。如果開關(guān)斷開,則由于開關(guān)電阻為無窮大(同上,不考慮實(shí)際中的漏電流),所以流過的電流為0,因此在1K電阻上的壓降也為0,所以輸出端的電壓就是5V了,這樣就能輸出高電平了。但是這個(gè)輸出的內(nèi)阻是比較大的(即1KΩ),如果接一個(gè)電阻為R的負(fù)載,通過分壓計(jì)算,就可以算得最后的輸出電壓為5*R/(R+1000)伏,即5/(1+1000/R)伏。所以,如果要達(dá)到一定的電壓的話,R就不能太小。如果R真的太小,而導(dǎo)致輸出電壓不夠的話,那我們只有通過減小那個(gè)1K的上拉電阻來增加驅(qū)動(dòng)能力。但是,上拉電阻又不能取得太小,因?yàn)楫?dāng)開關(guān)閉合時(shí),將產(chǎn)生電流,由于開關(guān)能流過的電流是有限的,因此限制了上拉電阻的取值,另外還需要考慮到,當(dāng)輸出低電平時(shí),負(fù)載可能還會(huì)給提供一部分電流從開關(guān)流過,因此要綜合這些電流考慮來選擇合適的上拉電阻。
如果我們將一個(gè)讀數(shù)據(jù)用的輸入端接在輸出端,這樣就是一個(gè)IO口了(51的IO口就是這樣的結(jié)構(gòu),其中P0口內(nèi)部不帶上拉,而其它三個(gè)口帶內(nèi)部上拉),當(dāng)我們要使用輸入功能時(shí),只要將輸出口設(shè)置為1即可,這樣就相當(dāng)于那個(gè)開關(guān)斷開,而對(duì)于P0口來說,就是高阻態(tài)了。
三維微電極采用MEMS微加工工藝中的光刻技術(shù)和ICP刻蝕技術(shù)制備而成. 三維微柱陣列電極大小為2mm×2 mm,其中單個(gè)微柱直徑為50 μm,微柱心心距為100 μm,微柱高度為100 μm. 該微結(jié)構(gòu)的工藝流程如下: ①清洗硅基底(晶面(100),直徑101.6mm,厚度500 μm),甩光刻膠;②曝光及顯影,形成膠柱陣列;③ICP刻蝕出硅微柱陣列;④剝離,用去膠劑去除微柱陣列表面的光刻膠,清洗;⑤濺射,在微柱陣列表面濺射一層金作為微電極的集流體;⑥陰極電沉積,在微柱陣列表面沉積功能薄膜,制備三維微電極.所制備硅基三維微柱陣列SEM照片基于ICP等方法制備的三維微電極微柱陣列結(jié)構(gòu)完整、側(cè)壁陡直,電極微柱間不易出現(xiàn)黏連、接觸等失效現(xiàn)象,這對(duì)于梳齒結(jié)構(gòu)微器件的加工有重要意義 .
尤其需要指出的是,硅基微柱陣列底部由于光刻膠去除以及硅深刻蝕中的微掩模效應(yīng)而產(chǎn)生了 “微草結(jié)構(gòu)”,這些“微草”使三維微電極表面積提高,且其納米尖端成為后續(xù)氧化釕生長的“種子”,有利于電極儲(chǔ)能特性的進(jìn)一步改善 。