單面紫外光刻機主要功能

曝光系統(tǒng)最核心的部件之一是紫外光源。

常見光源分為:

可見光:g線:436nm

紫外光(UV)，i線:365nm

深紫外光(DUV),KrF 準分子激光:248 nm, ArF 準分子激光:193 nm

極紫外光(EUV)，10 ~ 15 nm

對光源系統(tǒng)的要求

a.有適當?shù)牟ㄩL。波長越短，可曝光的特征尺寸就越小;[波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高，因為衍射現(xiàn)象會更嚴重。]

b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短;

c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區(qū)。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]

常用的紫外光光源是高壓弧光燈(高壓汞燈)，高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經(jīng)過濾光后使用其中的g 線(436 nm)或i 線(365 nm)。

對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準分子激光。例如KrF 準分子激光(248 nm)、ArF 準分子激光(193 nm)和F2準分子激光(157 nm)等。

曝光系統(tǒng)的功能主要有:平滑衍射效應(yīng)、實現(xiàn)均勻照明、濾光和冷光處理、實現(xiàn)強光照明和光強調(diào)節(jié)等。

光刻機一般根據(jù)操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動

A 手動:指的是對準的調(diào)節(jié)方式，是通過手調(diào)旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了;

B 半自動:指的是對準可以通過電動軸根據(jù)CCD的進行定位調(diào)諧;

C 自動: 指的是 從基板的上載下載，曝光時長和循環(huán)都是通過程序控制，自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要。

光刻機的主要性能指標有:支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產(chǎn)效率等。

分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。

對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。

曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。

曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域，光源有汞燈，準分子激光器等。