中文名 | 方塊電阻 | 外文名 | Sheet Resistance |
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又????稱 | 膜電阻 | 直接翻譯 | 方塊電阻或者面電阻 |
方塊電阻:Rs=ρ/t(其中ρ為塊材的電阻率,t為塊材厚度)
或者寫成電導(dǎo)率的表達(dá)式:Rs = 1/(σt)
這樣 在計算塊材電阻的時候,我們就可以利用方塊電阻乘以長寬比例得到,計算過程與維度無關(guān):
R=Rs*L/W(L為塊材長度,W為塊材寬度)
方塊電阻如何測試呢,可不可以用萬用表電阻檔直接測試圖一所示的材料呢?不可以的,因萬用表的表筆只能測試點到點之間的電阻,而這個點到點之間的電阻不表示任何意義。如要測試方阻,首先我們需要在A邊和B邊各壓上一個電阻比導(dǎo)電膜電阻小得多的圓銅棒,而且這個圓銅棒光潔度要高,以便和導(dǎo)電膜接觸良好。這樣我們就可以通過用萬用表測試兩銅棒之間的電阻來測出導(dǎo)電薄膜材料的方阻 。
如果方阻值比較小,如在幾個歐姆以下,因為存在接觸電阻以及萬用表本身性能等因素,用萬用表測試就會存在讀數(shù)不穩(wěn)和測不準(zhǔn)的情況。這時就需要用專門的用四端測試的低電阻測試儀器,如毫歐計、微歐儀等。測試方法如下:用四根光潔的圓銅棒壓在導(dǎo)電薄膜上,如圖二所示。四根銅棒用A、B、C、D表示,它們上面焊有導(dǎo)線接到毫歐計上,我們使BC之間的距離L等于導(dǎo)電薄膜的寬度W,至于AB、CD之間的距離沒有要求,一般在10--20mm就可以了,接通毫歐計以后,毫歐計顯示的阻值就是材料的方阻值。這種測試方法的優(yōu)點是:
1、用這種方法毫歐計可以測試到幾百毫歐,幾十毫歐,甚至更小的方阻值。
2、由于采用四端測試,銅棒和導(dǎo)電膜之間的接觸電阻,銅棒到儀器的引線電阻,即使比被測電阻大也不會影響測試精度。
3、測試精度高。由于毫歐計等儀器的精度很高,方阻的測試精度主要由膜寬W和導(dǎo)電棒BC之間的距離L的機械精度決定,由于尺寸比較大,這個機械精度可以做得比較高。在實際操作時,為了提高測試精度和為了測試長條狀材料,W和L不一定相等,可以使L比W大很多,此時方阻Rs=Rx*W/L,Rx為毫歐計讀數(shù)。
此方法雖然精度比較高,但比較麻煩,尤其在導(dǎo)電薄膜材料比較大,形狀不整齊時,很難測試,這時就需要用專用的四探針探頭來測試材料的方阻,如圖三所示。
探頭由四根探針阻成,要求四根探針頭部的距離相等。四根探針由四根引聯(lián)接到方阻測試儀上,當(dāng)探頭壓在導(dǎo)電薄膜材料上面時,方阻計就能立即顯示出材料的方阻值,具體原理是外端的兩根探針產(chǎn)生電流場,內(nèi)端上兩根探針測試電流場在這兩個探點上形成的電勢。因為方阻越大,產(chǎn)生的電勢也越大,因此就可以測出材料的方阻值。需要提出的是雖然都是四端測試,但原理上與圖二所示用銅棒測方阻的方法不同。因電流場中僅少部分電流在BC點上產(chǎn)生電壓(電勢)。所示靈敏度要低得多,比值為1:4.53 。
1、要求探頭邊緣到材料邊緣的距離大大于探針間距,一般要求10倍以上。
2、要求探針頭之間的距離相等,否則就要產(chǎn)生等比例測試誤差。
3、理論上講探針頭與導(dǎo)電薄膜接觸的點越小越好。但實際應(yīng)用時,因針狀電極容易破壞被測試的導(dǎo)電薄膜材料,所以一般采用圓形探針頭。
方塊電阻簡介
蒸發(fā)鋁膜、導(dǎo)電漆膜、印制電路板銅箔膜等薄膜狀導(dǎo)電材料,衡量它們厚度的最好方法就是測試它們的方阻。什么是方阻呢?方阻就是方塊電阻,指一個正方形的薄膜導(dǎo)電材料邊到邊“之”間的電阻,如圖一所示,即B邊到C邊的電阻值。
方塊電阻又稱膜電阻,是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值,該數(shù)值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無關(guān),其單位為Siements/sq,后增加歐姆/sq表征方式,該單位直接翻譯為方塊電阻或者面電阻,用于膜層測量又稱為膜層電阻 。
計算方法 方塊電阻:Rs=ρ/t(其中ρ為塊材的電阻率,t為塊材厚度) 或者寫成電導(dǎo)率的表達(dá)式:Rs = 1/(σt) 這樣 在...
一般幾百到幾千不等,主要是看電壓等級可產(chǎn)品特性不同價格而不同.武漢華能聯(lián)創(chuàng)電氣生產(chǎn)的BC2010絕緣電阻測試儀具備多種電壓輸出等級(500V、1000V、2500V、5000V)、容量大、交直流兩用、...
方阻就是方塊電阻,指一個正方形的薄膜導(dǎo)電材料邊到邊“之”間的電阻,方塊電阻有一個特性,即任意大小的正方形邊到邊的電阻都是一樣的,不管邊長是1米還是0.1米,它們的方阻都是一樣,這樣方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度...
方塊電阻有一個特性,即任意大小的正方形測量值都是一樣的,不管邊長是1米還是0.1米,它們的方阻都是一樣,這樣方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度等因素有關(guān),表征膜層致密性,同時表征對熱紅外光譜的透過能力,方塊電阻測量數(shù)值愈大,則隔離熱紅外性能越差,方塊電阻測量數(shù)值愈小則隔離熱紅外性能越好,對于建筑行業(yè)來講低輻射玻璃的熱紅外性能測量的快速測量就必須選用方塊電阻測量儀,測量值愈小則建筑材料就愈節(jié)能,在建筑材料行業(yè)具有很大的作用。
1、如果被測導(dǎo)電薄膜材料表面上不干凈,存在油污或材料暴露在空氣中時間過長,形成氧化層,會影響測試穩(wěn)定性和測試精度。在測試中需要引起注意。
2、如探頭的探針存在油污等也會引起測試不穩(wěn),此時可以把探頭在干凈的白紙上滑動幾下擦一擦可以了。
3、如果材料是蒸發(fā)鋁膜等,蒸發(fā)的厚度又太薄的話,形成的鋁膜不能均勻的連成一片,而是形成點狀分布,此時方塊電阻值會大大增加,與通過稱重法計算的厚度和方阻值不一樣,因此,此時就要考慮到加入修正系數(shù)。 2100433B
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電子器件及電源基礎(chǔ) --電源部內(nèi)部教材 第一版 2010. 03.01 序 作為一個優(yōu)秀的電子工程師,必須要對 基本電子元器件的特性有很好的了解和掌 握,才能再應(yīng)用中游刃有余?;诖宋覀兙?寫了這部教材,一是為了在電源應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?基本器件及電源基礎(chǔ)做一個總結(jié), 亦是作為 一部內(nèi)部教材,以供參考。 本文共分六章,第一章電阻,第二章 LDO, 第三章電感,第四章電容,第五章 MOS,第 六章運放,第七章 IC 基本特性。 知識需要完善和傳承,在這部教材的基礎(chǔ) 上,希望更多的人能將它不斷完善。 路漫漫其修遠(yuǎn)兮, 吾將上下而求索。 共勉之! 王昱權(quán)( Davey) 目錄 序????????????????? 2 第一章 電阻??????????? ...3 1.1 電阻的種類與材質(zhì) ???????? ..3 1.2 電阻的主要特性參數(shù) ??????? ..5 1.3 標(biāo)準(zhǔn)電阻的阻值表
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電阻系列: 0.25W: 0 歐--22 兆 系列規(guī)格齊全 0.5W: 0.15 歐--22 兆系列規(guī)格齊全 1W : 0.05 歐--10 兆系列規(guī)格齊全 2W: 0.05 歐--22 兆系列規(guī)格齊全 3W: 0.01 歐 --8.2 兆系列規(guī)格齊全 5W: 0.27 歐--510K 系列規(guī)格齊全 LED燈箱碳膜電阻: 1W: 1 歐 22歐 100歐 220歐 330歐 510歐 1K 2K 2W: 1 歐 22歐 100歐 220歐 330歐 510歐 1K 2K 水泥電阻: 5W:0.22 歐 0.25 歐 0.33 歐 0.5 歐 1歐 10歐 20歐 200歐 5.1K 9.1K 12K 10w: 1 歐 --5.1K 系列規(guī)格齊全 高壓電阻(片式) -可定做: 1W--8W系列規(guī)格齊全 熱敏電阻: 5D-8,5D-9,5D-1O,5D-11 壓敏電阻: 7K 1
耐堿為浸入60℃、濃度為10%氫氧化鈉溶液中5分鐘后,ITO層方塊電阻變化值不超過10%。耐酸為浸入250C、濃度為6%鹽酸溶液中5分鐘后,ITO層方塊電阻變化值不超過10%。耐溶劑為在250C、丙酮、無水乙醇或100份去離子水加3分EC101配制成的清洗液中5分鐘后,ITO層方塊電阻變化值不超過10%。附著力:在膠帶貼附在膜層表面并迅速撕下,膜層無損傷;或連撕三次后,ITO層方塊電阻變化值不超過10%。熱穩(wěn)定性:在300°C的空氣中,加熱30分鐘后,ITO導(dǎo)電膜方塊電阻值應(yīng)不大于原方塊電阻的300%。
耐堿為浸入60℃、濃度為10%氫氧化鈉溶液中5分鐘后,ITO層方塊電阻變化值不超過10%。耐酸為浸入250C、濃度為6%鹽酸溶液中5分鐘后,ITO層方塊電阻變化值不超過10%。耐溶劑為在250C、丙酮、無水乙醇或100份去離子水加3分EC101配制成的清洗液中5分鐘后,ITO層方塊電阻變化值不超過10%。附著力:在膠帶貼附在膜層表面并迅速撕下,膜層無損傷;或連撕三次后,ITO層方塊電阻變化值不超過10%。熱穩(wěn)定性:在300°C的空氣中,加熱30分鐘后,ITO導(dǎo)電膜方塊電阻值應(yīng)不大于原方塊電阻的300%。
【摘要】研究了激光摻雜選擇性發(fā)射極匹配的擴散工藝,通過調(diào)整不同的工藝參數(shù),達(dá)到相同的高方阻,比較了不同方法獲得的高方阻的均勻性,得到了在105Ω/□左右的高方阻仍能保持較好均勻性的擴散工藝。通過調(diào)整激光功率形成不同的重?fù)诫s區(qū)方塊電阻,研究了不同的重?fù)诫s區(qū)方塊電阻對電池主要電性能參數(shù)的影響,分析了變化原因。最后比較了激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池和傳統(tǒng)太陽電池的電性能及外量子效率。工藝優(yōu)化后,激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池的轉(zhuǎn)換效率相比傳統(tǒng)太陽電池有0.24%的提升。
引言
提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率是提高行業(yè)競爭力的重要途徑。發(fā)射極摻雜濃度對太陽電池轉(zhuǎn)換效率的影響是雙重的,采用高濃度的摻雜,可以減小硅片和電極之間的接觸電阻,降低電池的串聯(lián)電阻,但是高的摻雜濃度會導(dǎo)致載流子復(fù)合變大,少子壽命降低,影響電池的開路電壓和短路電流。采用低濃度的摻雜,可以降低表面復(fù)合,提高少子壽命,但是必然會導(dǎo)致接觸電阻的增大,影響電池的串聯(lián)。選擇性發(fā)射極太陽電池的結(jié)構(gòu)設(shè)計可以很好地解決這一矛盾[1]。選擇性發(fā)射極(selectiveemitter,SE)太陽電池,即在金屬柵線與硅片接觸部位及其附近進(jìn)行高濃度摻雜,而在電極以外的區(qū)域進(jìn)行低濃度摻雜。這樣既降低了硅片和電極之間的接觸電阻,又降低了表面的復(fù)合[2],提高了少子壽命。這種結(jié)構(gòu)的電池具有以下3點明顯的優(yōu)點:
(1)降低串聯(lián)電阻,提高填充因子;
(2)減少載流子復(fù)合,提高表面鈍化效果;
(3)增強電池短波光譜響應(yīng),提高短路電流和開路電壓。
目前選擇性發(fā)射極的主要實現(xiàn)工藝[3]有氧化物掩膜法、絲網(wǎng)印刷硅墨水法、離子注入法和激光摻雜法等,其中激光PSG摻雜法由于其工藝過程簡單,從圖1可以看出從太陽電池常規(guī)產(chǎn)線升級成激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池生產(chǎn)線,工藝上只需增加激光摻雜一個步驟,從設(shè)備上來說,只需增加摻雜用激光設(shè)備,與常規(guī)產(chǎn)線的工藝及設(shè)備兼容性很高,是行業(yè)研究的熱點。激光PSG摻雜法是采用擴散時產(chǎn)生的磷硅玻璃層作為摻雜源進(jìn)行激光掃描,形成重?fù)诫s區(qū)。目前雖然對激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池的理論研究和實驗的報道很多,但是在實際的大規(guī)模生產(chǎn)中,仍然存在著擴散高方阻的均勻性、輕重?fù)诫s區(qū)方塊電阻匹配和印刷正電極的精確對位等問題,本文主要對前兩個問題相關(guān)工藝進(jìn)行研究。
2.實驗過程
2.1實驗原材料
實驗采用156.75156.75mm的單晶硅片,厚度180~200μm,電阻率范圍1~3Ω·cm.
2.2擴散工藝的實驗設(shè)計
擴散工藝的基本步驟如圖2所示。在擴散工藝中,影響擴散后硅片方塊電阻的工藝參數(shù)有大氮氣體流量、小氮氣體流量、氧氣流量、擴散溫度、擴散時間和源瓶溫度等參數(shù)。其中,擴散時間和擴散溫度是大規(guī)模生產(chǎn)中常用的調(diào)整方阻的工藝參數(shù)。目前,激光摻雜選擇性發(fā)射極擴散輕摻雜的方快電阻一般在100~110Ω/□之間。本實驗以105Ω/□為目標(biāo)方快電阻,通過縮短擴散時間和降低擴散溫度兩種方式將正常的85Ω/□升高至目標(biāo)方阻。實驗使用Tempress4管5恒溫區(qū)擴散爐進(jìn)行,實驗1為將原擴散工藝的擴散時間縮短4min,實驗2為將原擴散工藝的擴散溫度降低12℃。每組實驗做一管(500片),擴散工藝完成后,從每個恒溫區(qū)的中間位置各抽取一片,使用四探針方塊電阻測試儀測試硅片中心點和四個邊角的方塊電阻。
2.3激光摻雜工藝的實驗設(shè)計
在激光摻雜工藝中,利用激光的熱效應(yīng),熔融硅片表層,覆蓋在發(fā)射極頂部的磷硅玻璃(PSG)中的磷原子進(jìn)入硅片表層,磷原子在液態(tài)硅中的擴散系數(shù)要比在固態(tài)硅中高數(shù)個數(shù)量級[4]。固化后摻雜磷原子取代硅原子的位置,形成重?fù)诫s層。使用優(yōu)化后的擴散工藝,制作方快電阻在105Ω/□的實驗樣片400片,分成四組,每組100片。激光摻雜使用波長532nm的納秒脈沖激光器,分別調(diào)整激光功率至20W、30W、40W和50W,對四組實驗樣片進(jìn)行掃描,形成每條120μm寬的重?fù)诫s區(qū)。對于各組中用于測試方阻的樣品硅片,使用激光掃描20mm20mm的方塊面積。以得到均勻的激光重?fù)诫s區(qū)域,用四探針測試其方塊電阻。
3.實驗結(jié)果與分析
3.1擴散方塊電阻結(jié)果
方塊電阻是衡量擴散質(zhì)量是否符合工藝要求的重要指標(biāo),擴散方塊電阻的均勻性尤其重要,直接關(guān)系到后續(xù)工藝的匹配,并最終對太陽電池轉(zhuǎn)換效率產(chǎn)生影響,用方塊電阻的不均勻度來反應(yīng)方塊電阻的均勻性,不均勻度的計算公式為:
以下是兩組實驗擴散方塊電阻數(shù)據(jù),并計算了方塊電阻的片內(nèi)均勻性,數(shù)據(jù)見表1和表2。
從表1和表2兩組數(shù)據(jù)中可以看出,實驗1方塊電阻的片內(nèi)不均勻度大多數(shù)都在4.0%之內(nèi),均勻性較好,而實驗2方塊電阻的片內(nèi)不均勻度大多數(shù)都在4.0%以上,其中有三個溫區(qū)在5.0%以上,均勻性較差。通過縮短擴散時間減少摻雜雜質(zhì)總量提高方塊電阻,對于工藝氣體流量、溫度場等均沒有較大的影響,因此可以最大程度地保持片內(nèi)方塊電阻的均勻性。擴散溫度的降低影響硅片表面磷硅玻璃層的形成,減弱了磷硅玻璃層對磷擴散的阻礙作用,使方塊電阻的片內(nèi)均勻性偏差。另外,在大規(guī)模生產(chǎn)中,縮短工藝實驗可以提高產(chǎn)量,節(jié)約生產(chǎn)成本。
3.2激光摻雜實驗結(jié)果
用四探針對激光掃描的2020mm的樣片進(jìn)行方塊電阻的測量,然后四組實驗在相同的工藝條件下進(jìn)行洗磷刻蝕、PECVD鍍減反膜、絲網(wǎng)印刷電極和燒結(jié),制成成品電池片,并測試其電性能參數(shù),不同激光功率對重?fù)诫s區(qū)方塊電阻以及最終對電池串聯(lián)電阻的影響如表3所示:
從表3中可以看出,當(dāng)激光功率為20W時,方塊電阻變化較小,僅有5Ω/□的降低,電池的串聯(lián)電阻較高。隨著激光功率的增加,方塊電阻明顯降低,電池串聯(lián)電阻呈現(xiàn)先下降后升高的趨勢。這主要是由于激光功率較小時,不足以使硅片表面溶化,磷原子向硅片表面的摻雜較少,不能形成重?fù)诫s區(qū),導(dǎo)致金屬電極與發(fā)射極之間無法形成良好的歐姆接觸,使電池的串聯(lián)電阻處于較高的水平。當(dāng)激光功率上升到30W以上時,隨著激光功率的增加,硅片表面溶化的深度不斷加深,摻雜磷原子在硅片表面所能達(dá)到的深度也隨之增加,因此方塊電阻有明顯的降低,低方塊電阻的重?fù)诫s區(qū)與金屬柵線形成良好的歐姆接觸,接觸電阻降低,電池的串聯(lián)電阻得到明顯的改善。當(dāng)激光功率達(dá)到50W時,電池的串聯(lián)電阻有升高的趨勢,這一方面是由于過高的激光功率會使磷硅玻璃部分蒸發(fā)而減少摻雜源[5],導(dǎo)致磷原子的表面濃度降低,另一方面,激光摻雜,磷硅玻璃作為有限源,當(dāng)激光功率較高時,隨著硅片表面溶化時間和溶化層厚度的增加高濃度區(qū)域加深,磷硅玻璃中更多的磷原子被驅(qū)趕到硅片表層,導(dǎo)致磷原子表面的濃度降低。總之,過高的激光功率會使磷原子的表面濃度降低,不能與金屬電極形成良好的歐姆接觸導(dǎo)致串聯(lián)電阻的升高。
3.3激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池電性能結(jié)果
從表4中可以看出,與常規(guī)電池相比較,激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池的開路電壓和短路電流都有明顯的提升。原因是高方塊電阻的輕摻雜發(fā)射極可以有效減少載流子的復(fù)合幾率,提高載流子的收集效率,低表面摻雜濃度還可以使表面態(tài)密度降低,提高表面鈍化效果,最終提高電池的開路電壓和短路電流。另外,選擇性發(fā)射極輕、重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度差形成高低結(jié),進(jìn)一步提高電池的開路電壓。
不同激光功率對電池轉(zhuǎn)換效率的影響,從上表中可以看出,當(dāng)激光功率為20W時,激光摻雜對硅片重?fù)诫s區(qū)方阻影響不大,雖然由于發(fā)射極的輕摻雜使電池的開路電壓和短路電流都有明顯的提升,但是串聯(lián)電阻過大,導(dǎo)致最終效率較低。當(dāng)激光功率在30W~50W之間時,電池的開路電壓、短路電流、串聯(lián)電阻等電性能參數(shù)相比常規(guī)電池都有明顯的改善。激光功率在此區(qū)間內(nèi),隨著功率的增加,開路電壓沒有明顯變化,短路電流隨著功率的增加呈下降的趨勢,主要是激光功率過高時對摻雜區(qū)的絨面有損傷,影響對光的吸收。激光功率大小對串聯(lián)電阻的影響前文已進(jìn)行分析,不再重復(fù)。綜上所述,當(dāng)激光功率在40W,重?fù)诫s區(qū)方阻降至63Ω/□左右時,輕、重?fù)诫s區(qū)工藝匹配達(dá)到最優(yōu),相比傳統(tǒng)電池,效率有0.24%的提升。
3.4外量子效率測試結(jié)果
對工藝優(yōu)化的激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池和常規(guī)太陽電池進(jìn)行外量子效率的測試分析,如圖3所示,從圖中可以看出在300nm~520nm波段范圍內(nèi),激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池的外量子效率相比常規(guī)太陽電池有較明顯的提升,但是在中長波段基本與常規(guī)電池一致。主要是由于激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池發(fā)射極區(qū)域摻雜濃度低,前表面的載流子復(fù)合幾率降低,對光生載流子的收集增加,電池的光譜響應(yīng)增強。
4.結(jié)論
通過縮短擴散時間和降低擴散溫度兩種方法提高擴散的方塊電阻,形成輕摻雜,比較了兩種方法形成的高方塊電阻的均勻性,發(fā)現(xiàn)縮短擴散時間提高方塊電阻的方法得到的高方塊電阻的均勻性較好。重?fù)诫s區(qū)方塊電阻匹配的研究,通過改變激光功率形成不同的重?fù)诫s區(qū)方塊電阻,發(fā)現(xiàn)當(dāng)激光功率在40W左右,重?fù)诫s區(qū)方塊電阻在66Ω/□左右時,工藝達(dá)到最優(yōu),電池的開路電壓、短路電流和串聯(lián)電阻等參數(shù)均有明顯的改善,最終轉(zhuǎn)換效率相比傳統(tǒng)電池有0.24%的提升。比較了激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池和傳統(tǒng)太陽電池的外量子效率,相比傳統(tǒng)太陽電池,激光摻雜選擇性太陽電池主要在300~520nm的短波范圍內(nèi)有較明顯的提升。