鍍膜。
極限真空度:≤4x10-5 Pa (經(jīng)12小時(shí)烘烤除氣后); 系統(tǒng)真空檢漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S; 系統(tǒng)從大氣開始抽氣,60分鐘可達(dá)到5x10-4 Pa;。
冷卻液的作用把點(diǎn)火產(chǎn)生的高溫通過水道傳遞到散熱器,再由風(fēng)扇強(qiáng)制通風(fēng)散熱,把水溫溫度始終控制在110度以內(nèi)!
DEH系統(tǒng)主要功能: 汽輪機(jī)轉(zhuǎn)速控制;自動(dòng)同期控制;負(fù)荷控制;參與一次調(diào)頻;機(jī)、爐協(xié)調(diào)控制;快速減負(fù)荷;主汽壓控制;單閥控制、多閥解耦控制;閥門試驗(yàn);輪機(jī)程控啟動(dòng);OPC控制;甩負(fù)荷及失磁工況控制;...
⒈保水.保水劑不溶于水,但能吸收相當(dāng)自身重量成百倍的水.保水劑可有效抑制水分蒸發(fā).土壤中滲入保水劑后,在很大程度上抑制了水分蒸發(fā),提高了土壤飽和含水量,降低了土壤的飽和導(dǎo)水率,從而減緩了土壤釋放水的速...
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道閘 主要功能: 功能一,手動(dòng)按鈕可作 ‘升’‘降’及‘?!僮?、無線遙控可作 ‘升’‘降’‘?!皩?duì)手動(dòng)按鈕的 ‘加鎖’‘解鎖 ’操作 ; 功能二,停電自動(dòng)解鎖,停電后可手動(dòng)抬桿 ; 功能三,具有便于維護(hù)與調(diào)試的 ‘自檢模式 ’; 道閘 道閘又稱擋車器,最初從國(guó)外引進(jìn),英文名叫 Barrier Gate ,是專門用于道路上限 制機(jī)動(dòng)車行駛的通道出入口管理設(shè)備 ,現(xiàn)廣泛應(yīng)用于公路收費(fèi)站、 停車場(chǎng)系統(tǒng) 管理車 輛通道,用于管理車輛的出入。電動(dòng)道閘可單獨(dú)通過無線遙控實(shí)現(xiàn)起落桿,也可以通過 停車場(chǎng)管理系統(tǒng) (即 IC 刷卡管理系統(tǒng))實(shí)行自動(dòng)管理狀態(tài),入場(chǎng)取卡放行車輛,出場(chǎng) 時(shí),收取 停車費(fèi) 后自動(dòng)放行車輛。
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智能配電柜主要功能 摘要 : 對(duì)于智能配電柜稍微接觸比較多的人,應(yīng)該能感覺到智能配電柜 的很多性能相對(duì)于傳統(tǒng)配電柜是具有很多優(yōu)勢(shì)的。但對(duì)于具體有哪些優(yōu)勢(shì)并 不怎幺清楚。同時(shí),對(duì)于智能配電柜功能有哪些也不怎幺清楚。 對(duì)于智能配電柜稍微接觸比較多的人,應(yīng)該能感覺到智能配電柜的很多性 能相對(duì)于傳統(tǒng)配電柜是具有很多優(yōu)勢(shì)的。但對(duì)于具體有哪些優(yōu)勢(shì)并不怎幺清 楚。同時(shí),對(duì)于智能配電柜功能有哪些也不怎幺清楚。 因此,本文將對(duì)智能配電柜較傳統(tǒng)配電柜優(yōu)勢(shì)進(jìn)行分析: 1、對(duì)于傳統(tǒng)的配電柜只具備配電管理的功能,將電源分配到負(fù)載機(jī)柜之 上;而智能配電柜,除了配電管理之外,還具有運(yùn)行管理和安全管理的功 能,有效的提高整個(gè)配電系統(tǒng)可靠性,降低風(fēng)險(xiǎn)。 2、傳統(tǒng)配電柜使用的指針式儀表或數(shù)顯式儀表,只能有限的監(jiān)測(cè)配電柜 的參數(shù),滿足基本的需要,智能配電柜采用高集成度,高可靠性的計(jì)算機(jī)主 板,全面的監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的各項(xiàng)運(yùn)行參數(shù),并通
鍍膜厚度2-3微米;摩擦系統(tǒng)小于0.15。
當(dāng)今國(guó)內(nèi)外表面技術(shù)的發(fā)展和實(shí)際應(yīng)用,應(yīng)把各類表面技術(shù)作為一個(gè)系統(tǒng)工程進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)和優(yōu)化組合。
表面復(fù)合鍍膜處理從技術(shù)上看,這種優(yōu)化組合在很大程度上就是一種“表面復(fù)合處理”技術(shù)。在強(qiáng)束流的金屬離子注人技術(shù)不理想的條件下,運(yùn)用鍍膜與離子注人的復(fù)合,即離子反沖注人技術(shù); 先用離子束輔助涂覆(IAC),再用輕離子的離子束轟擊涂層表面,使徐層元素部分混人基體。
因轟擊中的離子和涂層中的金屬原子間的化學(xué)反應(yīng),使涂層部分地或全部地轉(zhuǎn)變成氮化物或氧化物,使涂層性能得到提高; 用離子輔助沉積(AD) 在鋼、鎳、碳纖維增強(qiáng)鋁合金及Si3Al 上沉積Si3N4 梯度薄膜。目前已沉積出一側(cè)具有熱、電絕緣性能,而另一側(cè)具有導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能的薄膜材料。用激光、電子束與氣相沉積技術(shù)復(fù)合,如在Al上沉積的Ti或Al粒子,在通入N2或O2的同時(shí),用CO2激光照射,可在AI 表面上形成高硬度的TIN或Al2O3,使AI 的耐磨性能提高103~ 10倍。
光學(xué)薄膜在高真空度的鍍膜腔中實(shí)現(xiàn)。常規(guī)鍍膜工藝要求升高基底溫度(通常約為300℃);而較先進(jìn)的技術(shù),如離子輔助沉積(IAD)可在室溫下進(jìn)行。IAD工藝不但生產(chǎn)比常規(guī)鍍膜工藝具有更好物理特性的薄膜,而且可以應(yīng)用于塑料制成的基底。圖19.11展示一個(gè)操作者正在光學(xué)鍍膜機(jī)前。抽真空主系統(tǒng)由兩個(gè)低溫泵組成。電子束蒸發(fā)、IAD沉積、光控、加熱器控制、抽真空控制和自動(dòng)過程控制的控制模塊都在鍍膜機(jī)的前面板上。圖19.12示出裝配在高真空鍍膜機(jī)基板上的硬件布局。兩個(gè)電子槍源位于基板兩邊,周圍是環(huán)形罩并被擋板覆蓋。離子源位于中間,光控窗口在離子源的前方。圖19.13示出真空室的頂部,真空室里有含6個(gè)圓形夾具的行星系統(tǒng)。夾具用于放置被鍍膜的光學(xué)元件。使用行星系統(tǒng)是保證被蒸發(fā)材料在夾具區(qū)域內(nèi)均勻分布的首選方法。夾具繞公共軸旋轉(zhuǎn),同時(shí)繞其自身軸旋轉(zhuǎn)。光控和晶控處于行星驅(qū)動(dòng)機(jī)械裝置的中部,驅(qū)動(dòng)軸遮擋晶控。背面的大開口通向附加的高真空泵?;准訜嵯到y(tǒng)由4個(gè)石英燈組成,真空室的兩邊各兩個(gè)。
薄膜沉積的傳統(tǒng)方法一直是熱蒸發(fā),或采用電阻加熱蒸發(fā)源或采用電子束蒸發(fā)源。薄膜特性主要決定于沉積原子的能量,傳統(tǒng)蒸發(fā)中原子的能量?jī)H約0.1eV。IAD沉積導(dǎo)致電離化蒸汽的直接沉積并且給正在生長(zhǎng)的膜增加活化能,通常為50eV量級(jí)。離子源將束流從離子槍指向基底表面和正在生長(zhǎng)的薄膜來改善傳統(tǒng)電子束蒸發(fā)的薄膜特性。
薄膜的光學(xué)性質(zhì),如折射率、吸收和激光損傷閾值,主要依賴于膜層的顯微結(jié)構(gòu)。薄膜材料、殘余氣壓和基底溫度都可能影響薄膜的顯微結(jié)構(gòu)。如果蒸發(fā)沉積的原子在基底表面的遷移率低,則薄膜會(huì)含有微孔。當(dāng)薄膜暴露于潮濕的空氣時(shí),這些微孔逐漸被水汽所填充。
填充密度定義為薄膜固體部分的體積與薄膜的總體積(包括空隙和微孔)之比。對(duì)于光學(xué)薄膜,填充密度通常為0.75~1.0,大部分為0.85~0.95,很少達(dá)到1.0。小于l的填充密度使所蒸發(fā)材料的折射率低于其塊料的折射率。
在沉積過程中,每一層的厚度均由光學(xué)或石英晶體監(jiān)控。這兩種技術(shù)各有優(yōu)缺點(diǎn),這里不作討論。其共同點(diǎn)是材料蒸發(fā)時(shí)它們均在真空中使用,因而,折射率是蒸發(fā)材料在真空中的折射率,而不是暴露于潮濕空氣中的材料折射率。薄膜吸收的潮氣取代微孔和空隙,造成薄膜的折射率升高。由于薄膜的物理厚度保持不變,這種折射率升高伴有相應(yīng)的光學(xué)厚度的增加,反過來造成薄膜光譜特性向長(zhǎng)波方向的漂移。為了減小由膜層內(nèi)微孔的體積和數(shù)量所引起的這種光譜漂移,采用高能離子以將其動(dòng)量傳遞給正在蒸發(fā)的材料原子,從而大大增加材料原子在基底表面處凝結(jié)期間的遷移率。