1946年10月,隨著美國發(fā)射的一枚高空火箭,人類首次獲得了太陽紫外光譜。自此之后,世界上有不少國家利用高空火箭,對來自天空的紫外線進(jìn)行探索。50年代末,火箭記錄到天空背景的紫外光譜。70年代是紫外空間觀測進(jìn)展最快的10年,從“軌道天文臺”3號,“荷蘭天文衛(wèi)星’’到技術(shù)先進(jìn)的“國際紫外探測器”連接上天,獲得了大量紫外信息。
1978年發(fā)射上天的“國際紫外探測器”(簡稱IUE),是第一個國際性的空間天文臺,由美國、英國和歐洲空間局三方運(yùn)營。其口徑雖然只有45厘米,卻標(biāo)志著紫外天文學(xué)已趨成熟,并日漸取得可觀的成果。
第一次發(fā)射的國際紫外探測器,長度4.2m,重量為700kg。它的工作波長為115~320nm。對紫外的天文研究發(fā)揮很大的作用。以后的衛(wèi)星還有法國、蘇聯(lián)合作的ASTRON。它的工作波長為150~350nm。Astro一1衛(wèi)星發(fā)射十1990年,上面有一臺0.5m的望遠(yuǎn)鏡。
ICE越過賈科比尼一津納彗星時,穿越了四個互不相同的區(qū)域。國際紫外探測器穿過第四個區(qū)域——該彗星的離子尾,離彗核約16,000公里(10,000英里)。國際紫外探測器觀測到,該區(qū)域是來自該彗星的一個較冷的電離氣體區(qū),它為一個磁場所圍繞??茖W(xué)家們相信,隨著太陽風(fēng)中的磁場在彗星周圍集積起來,便會形成一條磁尾,它包圍著該彗星的離子尾。
向配電網(wǎng)直接供電的配電變壓器在國內(nèi)外均屬于應(yīng)用量大面廣的產(chǎn)品。在我國,配電變壓器的年產(chǎn)量達(dá)5000萬KVA左右,約占全部變壓器年產(chǎn)量l/3左右。因此,配電變壓器的運(yùn)行可靠性、產(chǎn)品技術(shù)性能與經(jīng)濟(jì)...
2007年1月,唐山市委、市政府啟動曹妃甸生態(tài)城的勘測選址、規(guī)劃設(shè)計等工作,同時委托北京清華城市規(guī)劃設(shè)計研究院、瑞典SWECO公司編制了可行性研究報告和城市詳細(xì)規(guī)劃。截止目前,已完成 150平方公里概...
2002年,康拜恩品牌在科龍的星光照耀下橫空出世,憑借“科龍”、“容聲”的家族榮耀及“高品質(zhì),低價位”的定位切入市場,一躍成為中國家電業(yè)發(fā)展勢頭最猛的品牌。2003年,短短一年的時間,就成為家電行業(yè)名...
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研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN/n-GaN)結(jié)構(gòu)紫外探測器的漏電機(jī)理.實驗發(fā)現(xiàn),在位錯密度幾乎相同的情況下,基于表面有較高密度的V形坑缺陷材料制備的器件表現(xiàn)出較高的反向漏電.進(jìn)一步的SEM測試發(fā)現(xiàn),這種V形坑穿透到有源區(qū)i-GaN、甚至n-GaN層.在制備p-AlGaN電極時,許多金屬會落在V形坑中,從而與i-GaN形成了肖特基接觸,有些甚至直接和n-GaN形成歐姆接觸.正是由于并聯(lián)的肖特基接觸和歐姆接觸的存在導(dǎo)致了漏電的增加.
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制備了薄p型層GaN基p-i-n型紫外探測器,并對其反向漏電特性進(jìn)行了研究。探測器材料采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方法在藍(lán)寶石襯底上外延生長獲得,p-GaN的厚度為30nm?;谠摬牧现谱髁司哂泄裁骐姌O的探測器器件,并采用SiO2對刻蝕側(cè)壁進(jìn)行了鈍化。測試結(jié)果表明,結(jié)面積為1.825×10-4cm2的器件在-1V時的反向漏電流面密度為3.0×10-9 A/cm2,優(yōu)質(zhì)因子達(dá)到3.7×109Ω.cm2。
紫外探測器材料是對紫外光敏感的材料。主要采用氮化鎵系列、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料。
一、光電真空探測器,如光電倍增管、像增強(qiáng)器和EBCCD等;
二、光電導(dǎo)探測器,如GaN基和AlGaN基電光導(dǎo)探測器等;
三、光伏探測器,如Si,SiC,GaN P-N結(jié)和肖特基勢壘光伏探測器以及CCD。
紫外線探測器對紫外輻射具有高響應(yīng)。其中,日盲紫外探測器的光譜響應(yīng)區(qū)集中在中紫外(波長小于290nm),而對紫外區(qū)以外的可見光及紅外輻射響應(yīng)較低;光盲紫外探測器長波響應(yīng)限在紫外與可見光交界處。
半導(dǎo)體SiC的禁帶寬度為3.25eV,具有高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等優(yōu)點,特別是該器件的反向漏電流低。SiC紫外探測器只對波長400nm一下的輻射選擇性接收,其紫外輻射的接收與硅探測器相比,要大兩個數(shù)量級,并且不需要表面加工處理,可保持長期的穩(wěn)定性。另外,靈敏度和暗電流在使用溫度條件下幾乎不受溫度變化的影響,可在700K的高溫下使用 。
隨著體單晶及其同質(zhì)外延SiC材料性能的不斷提高,可在不同的沉積條件下用直流濺射法在玻璃底襯的SiC襯底上沉積ITO:TIO和Ni膜,并可由此制成SiC金屬-半導(dǎo)體-金屬紫外輻射探測器。