高速集成電路系統(tǒng)級封裝電磁-熱-應力協(xié)同分析設計項目摘要

電子信息系統(tǒng)的多功能化、小型化、低功耗、低成本是用戶不斷提出的要求，也一直是其發(fā)展方向。高速集成電路系統(tǒng)級封裝技術(shù)是實現(xiàn)這些發(fā)展方向的最新主流技術(shù)之一，但面臨著電磁問題及與其相關的熱與機械應力問題需要解決。本項目圍繞高速集成電路三維系統(tǒng)級封裝技術(shù)最新發(fā)展趨勢和國家重大戰(zhàn)略需求，擬開展考慮了電磁、熱與應力混合多物理場相互耦合、相互制約的高速三維系統(tǒng)級封裝的電磁-熱-應力協(xié)同分析與設計研究，提出一系列面向三維系統(tǒng)級封裝中典型場景的混合多物理機制建模和仿真方法，解決三維系統(tǒng)級封裝的多尺度和多物理場耦合分析問題，提出三維系統(tǒng)級封裝電磁、熱與應力特性優(yōu)化設計的流程與準則，結(jié)合協(xié)同分析，實現(xiàn)典型三維系統(tǒng)級封裝電磁-熱-應力一體化設計并得到設計工具，掌握系統(tǒng)級封裝的性能測試技術(shù)，為我國高速集成電路三維系統(tǒng)級封裝技術(shù)的快速發(fā)展和應用打下堅實的理論方法基礎并突破關鍵技術(shù)。

系統(tǒng)級封裝是實現(xiàn)電子系統(tǒng)多功能化、小型化、低功耗、低成本的主流技術(shù)。隨著集成度的不斷提高，三維系統(tǒng)級封裝中的電磁場、熱場、力場相互耦合的特性越來越明顯，進行電磁、熱與應力的協(xié)同分析與設計是必然的發(fā)展趨勢和要求。本項目針對系統(tǒng)級封裝在多物理場仿真和設計集成領域面臨的關鍵基礎理論與技術(shù)難題進行深入研究，取得了一系列重要的理論成果和關鍵技術(shù)突破。開發(fā)了適用于復雜三維系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的一系列高效多物理場仿真算法，在此基礎上自主開發(fā)了功能強大的ETS多物理場實用化仿真軟件，已在中物院等多家單位得到應用。設計發(fā)明了低損耗、高帶寬的高速互連技術(shù)和多款高性能的高速信道噪聲抑制結(jié)構(gòu)。基于多通道并行傳輸?shù)幕赏S互連陣列，通道間的隔離指標優(yōu)異，可實現(xiàn)太比特的數(shù)據(jù)傳輸率（設計樣品支持的最高速率為1.35Tbps，為文獻報道的電互連最高數(shù)據(jù)速率），成功解決了系統(tǒng)級封裝芯片間的高速率數(shù)據(jù)傳輸難題，已在華為公司試用。提出了電磁-熱-應力的協(xié)同分析設計方法并成功研制了射頻前端模塊的系統(tǒng)級封裝樣品。采用電-熱-應力多物理場協(xié)同分析技術(shù)，揭示了無源元件、有源器件、互連結(jié)構(gòu)和芯片模塊及其封裝結(jié)構(gòu)的性能參數(shù)隨溫度與應力的變化規(guī)律?；贐CB工藝實現(xiàn)了多芯片的封裝集成，樣品的多物理仿真分析結(jié)果與實測結(jié)果的一致性較好。在此基礎上對工作頻率為30GHz的射頻前端收發(fā)模塊進行了協(xié)同設計和封裝制備，性能指標達到設計要求，體積和重量比現(xiàn)有射頻前端模塊縮小50%以上?；陧椖砍晒?，在IEEE匯刊等權(quán)威期刊和會議上發(fā)表論文67篇，獲得IEEE亞太微波會議（APMC）等國際知名學術(shù)會議最佳論文（包括最佳學生論文）4篇，出版學術(shù)專著1部，申請國家發(fā)明專利10項，軟件著作權(quán)7項。培養(yǎng)了多名青年學術(shù)骨干人才，包括國家自然科學基金青年科學基金獲得者2人，德國洪堡學者1人，國際無線電科學聯(lián)合會(URSI)青年科學家獎獲得者1人。項目負責人當選為中國科學院院士。 2100433B

本書內(nèi)容由三部分組成：1.電路分析基礎，即第1章至第5章，主要介紹了電路分析的三種基本規(guī)律；電路分析的基本方法；電路基本定理及其應用。2.網(wǎng)絡系統(tǒng)理論，即第6章至第10章，重點闡述了現(xiàn)代電路系統(tǒng)分析理論和計算機輔助分析技術(shù)。3.現(xiàn)代電路系統(tǒng)設計，即第11章，介紹了現(xiàn)代濾波器設計基礎、有源RC濾波器設計方法、現(xiàn)代集成濾波器設計和計算機輔助設計技術(shù)。

本書的主要特點是：第一，將電路系統(tǒng)分析與設計有機融合在一起，既系統(tǒng)地闡述了理論，又突出了工程應用，做到了理論聯(lián)系實際，理論與實用技術(shù)相結(jié)合。第二，將電路理論與系統(tǒng)理論有機地融合在一起，既將現(xiàn)代系統(tǒng)理論的觀點、方法用于電路理論中，又將電路理論中的新方法、新成果推廣到系統(tǒng)中；既反映了科學發(fā)展的趨勢，也有得對學生創(chuàng)新能力的培養(yǎng)。第三，將電路分析基礎、網(wǎng)絡系統(tǒng)理論和電路系統(tǒng)綜合設計有機地融合在一起，避免了三部分內(nèi)容獨立設課，造成學時過多、交叉重復的問題，有利于學生學習。第四，廣泛應用了計算機技術(shù)，全書自始至終地突出了物理概念的論述和基本方法的應用；自始至終地以有源電路系統(tǒng)為研究對象，例題豐富，并且具有典型性和啟發(fā)性。

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1、BGA(ball grid array)

球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用 以 代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也 稱為凸 點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。 封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不 用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。 該封裝是美國Motorola 公司開發(fā)的，首先在便攜式電話等設備中被采用，今后在美國有可能在個人計算機中普及。最初，BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數(shù)為225?，F(xiàn)在 也有 一些LSI 廠家正在開發(fā)500 引腳的BGA。 BGA 的問題是回流焊后的外觀檢查。現(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為,由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩(wěn)定的，只 能通過功能檢查來處理。 美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC 和GPAC)。

2、BQFP(quad flat package with bumper)

帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊) 以 防止在運送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中 采用 此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數(shù)從84 到196 左右(見QFP)。

3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面貼裝型PGA 的別稱(見表面貼裝型PGA)。

4、C－(ceramic)

表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經(jīng)常使用的記號。

5、Cerdip

用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP(數(shù)字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM 以及內(nèi)部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數(shù)從8 到42。在日本，此封裝表示為DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。

6、Cerquad

表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的Cerquad 用于封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5～ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32 到368。

7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)

帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側(cè)面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ－G(見QFJ)。

8、COB(chip on board)

板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與 基 板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn)，并用 樹脂覆 蓋以確?？煽啃?。雖然COB 是最簡單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠不如TAB 和 倒片 焊技術(shù)。

9、DFP(dual flat package)

雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現(xiàn)在已基本上不用。

10、DIC(dual in-line ceramic package)

陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).

11、DIL(dual in-line)

DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。

12、DIP(dual in-line package)

雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加 區(qū)分， 只簡單地統(tǒng)稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。

13、DSO(dual small out-lint)

雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導體廠家采用此名稱。

14、DICP(dual tape carrier package)

雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于 利 用的是TAB(自動帶載焊接)技術(shù)，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動LSI，但多數(shù)為 定制品。 另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機 械工 業(yè))會標準規(guī)定，將DICP 命名為DTP。

15、DIP(dual tape carrier package)

同上。日本電子機械工業(yè)會標準對DTCP 的命名(見DTCP)。

16、FP(flat package)

扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導體廠家采 用此名稱。

17、flip-chip

倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI 芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點，然后把金屬凸 點 與印刷基板上的電極區(qū)進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有 封裝技 術(shù)中體積最小、最薄的一種。 但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI 芯片不同，就會在接合處產(chǎn)生反應，從而影響連接的可 靠 性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。

18、FQFP(fine pitch quad flat package)

小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采 用此名稱。

19、CPAC(globe top pad array carrier)

美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。

20、CQFP(quad fiat package with guard ring)

帶保護環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP 之一，引腳用樹脂保護環(huán)掩蔽，以防止彎曲變 形。 在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。 這種封裝 在美國Motorola 公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm，引腳數(shù)最多為208 左右。

21、H-(with heat sink)

表示帶散熱器的標記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。

22、pin grid array(surface mount type)

表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可制作得 不 怎么大，而引腳數(shù)比插裝型多(250～528)，是大規(guī)模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實用化。

23、JLCC(J-leaded chip carrier)

J 形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半 導體廠家采用的名稱。

24、LCC(Leadless chip carrier)

無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是 高 速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFN－C(見QFN)。

25、LGA(land grid array)

觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可?，F(xiàn) 已 實用的有227 觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，應用于高速 邏輯 LSI 電路。 LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻 抗 小，對于高速LSI 是很適用的。但由于插座制作復雜，成本高，現(xiàn)在基本上不怎么使用 。預計 今后對其需求會有所增加。

26、LOC(lead on chip)

芯片上引線封裝。LSI 封裝技術(shù)之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片 的 中心附近制作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面 附近的 結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm 左右寬度。

27、LQFP(low profile quad flat package)

薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是日本電子機械工業(yè)會根據(jù)制定的新QFP 外形規(guī)格所用的名稱。

28、L－QUAD

陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發(fā)的一種 封裝， 在自然空冷條件下可容許W3的功率?，F(xiàn)已開發(fā)出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm 中心距)的LSI 邏輯用封裝，并于1993 年10 月開始投入批量生產(chǎn)。

29、MCM(multi-chip module)

多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可 分 為MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。 MCM－L 是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低 。 MCM－C 是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。

MCM－D 是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組 件。 布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。

30、MFP(mini flat package)

小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導體廠家采用的名稱。

31、MQFP(metric quad flat package)

按照JEDEC(美國聯(lián)合電子設備委員會)標準對QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm 的標準QFP(見QFP)。

32、MQUAD(metal quad)

美國Olin 公司開發(fā)的一種QFP 封裝?；迮c封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空 冷 條件下可容許2.5W～2.8W 的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993 年獲得特許開始生產(chǎn) 。

33、MSP(mini square package)

QFI 的別稱(見QFI)，在開發(fā)初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機械工業(yè)會規(guī)定的名稱。

34、OPMAC(over molded pad array carrier)

模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 采用的名稱(見 BGA)。

35、P－(plastic)

表示塑料封裝的記號。如PDIP 表示塑料DIP。

36、PAC(pad array carrier)

凸點陳列載體，BGA 的別稱(見BGA)。

37、PCLP(printed circuit board leadless package)

印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)采用的名稱(見QFN)。引

腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規(guī)格，正處于開發(fā)階段。

38、PFPF(plastic flat package)

塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(見QFP)。部分LSI 廠家采用的名稱。

39、PGA(pin grid array)

陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都 采 用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數(shù)為陶瓷PGA，用于高速大規(guī)模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從64 到447 左右。 了為降低成本，封裝基材可用玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑料PG A。 另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝 型PGA)。

40、piggy back

馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關與DIP、QFP、QFN 相似。在開發(fā)帶有微機的設 備時用于評價程序確認操作。例如，將EPROM 插入插座進行調(diào)試。這種封裝基本上都是 定制 品，市場上不怎么流通。

41、PLCC(plastic leaded chip carrier)

帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側(cè)面引出，呈丁字形 ， 是塑料制品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用，現(xiàn)在已經(jīng) 普 及用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18 到84。 J 形引腳不易變形，比QFP 容易操作，但焊接后的外觀檢查較為困難。 PLCC 與LCC(也稱QFN)相似。以前，兩者的區(qū)別僅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但現(xiàn) 在已經(jīng)出現(xiàn)用陶瓷制作的J 形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封裝(標記為塑料LCC、PC LP、P －LCC 等)，已經(jīng)無法分辨。為此，日本電子機械工業(yè)會于1988 年決定，把從四側(cè)引出 J 形引 腳的封裝稱為QFJ，把在四側(cè)帶有電極凸點的封裝稱為QFN(見QFJ 和QFN)。

42、P－LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)

有時候是塑料QFJ 的別稱，有時候是QFN(塑料LCC)的別稱(見QFJ 和QFN)。部分

LSI 廠家用PLCC 表示帶引線封裝，用P－LCC 表示無引線封裝，以示區(qū)別。

43、QFH(quad flat high package)

四側(cè)引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP 本體制作得 較厚(見QFP)。部分半導體廠家采用的名稱。

44、QFI(quad flat I-leaded packgac)

四側(cè)I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側(cè)面引出，向下呈I 字 。 也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進行碰焊連接。由于引腳無突出部分，貼裝占有面 積小 于QFP。 日立制作所為視頻模擬IC 開發(fā)并使用了這種封裝。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18 于68。

45、QFJ(quad flat J-leaded package)

四側(cè)J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側(cè)面引出，向下呈J 字形 。 是日本電子機械工業(yè)會規(guī)定的名稱。引腳中心距1.27mm。

材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數(shù)情況稱為PLCC(見PLCC)，用于微機、門陳列、 DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數(shù)從18 至84。

陶瓷QFJ 也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型EPROM 以及 帶有EPROM 的微機芯片電路。引腳數(shù)從32 至84。

46、QFN(quad flat non-leaded package)

四側(cè)無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一?，F(xiàn)在多稱為LCC。QFN 是日本電子機械工業(yè) 會規(guī)定的名稱。封裝四側(cè)配置有電極觸點，由于無引腳，貼裝占有面積比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，當印刷基板與封裝之間產(chǎn)生應力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電 極觸點 難于作到QFP 的引腳那樣多，一般從14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC 標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。

塑料QFN 是以玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm 外， 還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。

47、QFP(quad flat package)

四側(cè)引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側(cè)面引出呈海鷗翼(L)型。基材有 陶 瓷、金屬和塑料三種。從數(shù)量上看，塑料封裝占絕大部分。當沒有特別表示出材料時， 多數(shù)情 況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用于微處理器，門陳列等數(shù)字 邏輯LSI 電路，而且也用于VTR 信號處理、音響信號處理等模擬LSI 電路。引腳中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規(guī)格。0.65mm 中心距規(guī)格中最多引腳數(shù)為304。 日本將引腳中心距小于0.65mm 的QFP 稱為QFP(FP)。但現(xiàn)在日本電子機械工業(yè)會對QFP 的外形規(guī)格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區(qū)別，而是根據(jù)封裝本體厚度分為 QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三種。

另外，有的LSI 廠家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP，至使名稱稍有一些混亂 。 QFP 的缺點是，當引腳中心距小于0.65mm 時，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現(xiàn)已 出現(xiàn)了幾種改進的QFP 品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP)；帶樹脂 保護 環(huán)覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP)；在封裝本體里設置測試凸點、放在防止引腳變形的專 用夾 具里就可進行測試的TPQFP(見TPQFP)。 在邏輯LSI 方面，不少開發(fā)品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 里。引腳中心距最小為 0.4mm、引腳數(shù)最多為348 的產(chǎn)品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqa d)。

48、QFP(FP)(QFP fine pitch)

小中心距QFP。日本電子機械工業(yè)會標準所規(guī)定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(見QFP)。

49、QIC(quad in-line ceramic package)

陶瓷QFP 的別稱。部分半導體廠家采用的名稱(見QFP、Cerquad)。

50、QIP(quad in-line plastic package)

塑料QFP 的別稱。部分半導體廠家采用的名稱(見QFP)。

51、QTCP(quad tape carrier package)

四側(cè)引腳帶載封裝。TCP 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳并從封裝四個側(cè)面引出。是利 用 TAB 技術(shù)的薄型封裝(見TAB、TCP)。

52、QTP(quad tape carrier package)

四側(cè)引腳帶載封裝。日本電子機械工業(yè)會于1993 年4 月對QTCP 所制定的外形規(guī)格所用 的 名稱(見TCP)。

53、QUIL(quad in-line)

QUIP 的別稱(見QUIP)。

54、QUIP(quad in-line package)

四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側(cè)面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳 中 心距1.27mm，當插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標準印刷線路板 。是 比標準DIP 更小的一種封裝。日本電氣公司在臺式計算機和家電產(chǎn)品等的微機芯片中采 用了些 種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數(shù)64。

55、SDIP (shrink dual in-line package)

收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP 相同，但引腳中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm)，

因而得此稱呼。引腳數(shù)從14 到90。也有稱為SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料兩種。

56、SH－DIP(shrink dual in-line package)

同SDIP。部分半導體廠家采用的名稱。

57、SIL(single in-line)

SIP 的別稱(見SIP)。歐洲半導體廠家多采用SIL 這個名稱。

58、SIMM(single in-line memory module)

單列存貯器組件。只在印刷基板的一個側(cè)面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插 座 的組件。標準SIMM 有中心距為2.54mm 的30 電極和中心距為1.27mm 的72 電極兩種規(guī)格 。 在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ 封裝的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已經(jīng)在個人 計算機、工作站等設備中獲得廣泛應用。至少有30～40%的DRAM 都裝配在SIMM 里。

59、SIP(single in-line package)

單列直插式封裝。引腳從封裝一個側(cè)面引出，排列成一條直線。當裝配到印刷基板上時 封 裝呈側(cè)立狀。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從2 至23，多數(shù)為定制產(chǎn)品。封裝的形 狀各 異。也有的把形狀與ZIP 相同的封裝稱為SIP。

60、SK－DIP(skinny dual in-line package)

DIP 的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統(tǒng)稱為DIP(見 DIP)。

61、SL－DIP(slim dual in-line package)

DIP 的一種。指寬度為10.16mm，引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統(tǒng)稱為DIP。

62、SMD(surface mount devices)

表面貼裝器件。偶爾，有的半導體廠家把SOP 歸為SMD(見SOP)。

63、SO(small out-line)

SOP 的別稱。世界上很多半導體廠家都采用此別稱。(見SOP)。

64、SOI(small out-line I-leaded package)

I 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側(cè)引出向下呈I 字形，中心 距 1.27mm。貼裝占有面積小于SOP。日立公司在模擬IC(電機驅(qū)動用IC)中采用了此封裝。引 腳數(shù) 26。

65、SOIC(small out-line integrated circuit)

SOP 的別稱(見SOP)。國外有許多半導體廠家采用此名稱。

66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)

J 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側(cè)引出向下呈J 字形，故此 得名。 通常為塑料制品，多數(shù)用于DRAM 和SRAM 等存儲器LSI 電路，但絕大部分是DRAM。用SO J 封裝的DRAM 器件很多都裝配在SIMM 上。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從20 至40(見SIMM )。

67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)

按照JEDEC(美國聯(lián)合電子設備工程委員會)標準對SOP 所采用的名稱(見SOP)。

68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)

無散熱片的SOP。與通常的SOP 相同。為了在功率IC 封裝中表示無散熱片的區(qū)別，有意 增添了NF(non-fin)標記。部分半導體廠家采用的名稱(見SOP)。

69、SOF(small Out-Line package)

小外形封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷兩種。另外也叫SOL 和DFP。

SOP 除了用于存儲器LSI 外，也廣泛用于規(guī)模不太大的ASSP 等電路。在輸入輸出端子不 超過10～40 的領域，SOP 是普及最廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從8 ～44。

另外，引腳中心距小于1.27mm 的SOP 也稱為SSOP；裝配高度不到1.27mm 的SOP 也稱為 TSOP(見SSOP、TSOP)。還有一種帶有散熱片的SOP。

70、SOW (Small Outline Package(Wide-Jype))

寬體SOP。部分半導體廠家采用的名稱。

71、COB(Chip On Board)

通過bonding 將IC裸片固定于印刷線路板上。也就是是將芯片直接粘在PCB上用引線鍵合達到芯片與PCB的電氣聯(lián)結(jié)然后用黑膠包封。COB的關鍵技術(shù)在于Wire Bonding（俗稱打線）及Molding（封膠成型），是指對裸露的機體電路晶片(IC Chip)，進行封裝，形成電子元件的制程，其中IC藉由焊線(Wire Bonding)、覆晶接合(Flip Chip)、或卷帶接合(Tape Automatic Bonding；簡稱（TAB)等技術(shù)，將其I/O經(jīng)封裝體的線路延伸出來。

72、COG(Chip on Glass)

國際上正日趨實用的COG(Chip on Glass)封裝技術(shù)。對液晶顯示(LCD)技術(shù)發(fā)展大有影響的封裝技術(shù)。 解讀詞條背后的知識

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