光電二極管和普通二極管一樣,也是由一個(gè)PN結(jié)組成的半導(dǎo)體器件,也具有單方向?qū)щ娞匦?。但是,在電路中不是用它作整流元件,而是通過它把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
中文名稱 | 光電二極管 | 外文名稱 | Photo-Diode |
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所屬學(xué)科 | 物理 | 領(lǐng)域 | 電學(xué) |
電阻測量法(用萬用表1k擋)。光電二極管正向電阻約10kΩ左右。在無光照情況下,反向電阻為田時(shí),這管子是好的(反向電阻不是∞時(shí)說明漏電流大);有光照時(shí),反向電阻隨光照強(qiáng)度增加而減小,阻值可達(dá)到幾kΩ或1kΩ以下,則管子是好的;若反向電阻都是∞或?yàn)榱悖瑒t管子是壞的。
②電壓測量法(用萬用表1V檔)。用紅表筆接光電二極管“+”極,黑表筆接“—”極,在光照下,其電壓與光照強(qiáng)度成比例,一般可達(dá)0.2—0.4V。
③短路電流測量法。(用萬用表50μA檔)用紅表筆接光電二極管“+”極,黑表筆接“—”極,在白熾燈下(不能用日光燈),隨著光照增強(qiáng),其電流增加是好的,短路電流可達(dá)數(shù)十至數(shù)百μA。
在實(shí)際工作中,有時(shí)需要區(qū)別是紅外發(fā)光二極管,還是紅外光電二極管(或者是光電三極管)。其方法是:若管子都是透明樹脂封裝,則可以從管芯安裝外來區(qū)別。紅外發(fā)光二極管管芯下有一個(gè)淺盤,而光電二極管和光電三極管則沒有;若管子尺寸過小或黑色樹脂封裝的,則可用萬用表(置1k擋) 來測量電阻。用手捏住管子(不讓管子受光照),正向電阻為20-40kΩ,而反向電阻大于200kΩ的是紅外發(fā)光二極管;正反向電阻都接近∞的是光電三極管;正向電阻在10k左右,反向電阻接近∞的是光電二極管。
光電二極管概述
光電二極管" 英文通常稱為 Photo-Diode
那么,它是怎樣把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的呢?大家知道,普通二極管在反向電壓作用在處于截止?fàn)顟B(tài),只能流過微弱的反向電流,光電二極管在設(shè)計(jì)和制作時(shí)盡量使PN結(jié)的面積相對較大,以便接 收入射光。光電二極管是在反向電壓作用在工作的,沒有光照時(shí),反向電流極其微弱,叫暗電流;有光照時(shí),反向電流迅速增大到幾十微安,稱為光電流。光的強(qiáng)度越大,反向電流也越大。光的變化引起光電二極管電流變化,這就可以把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào),成為光電傳感器件。
簡單來說,光電二極管不能放大信號(hào),光電倍增管能放大信號(hào),因此一般用作微弱光的檢測。 1.首先原理是不同的。 光電二極管是利用的半導(dǎo)體的能帶理論,當(dāng)光照射光電二極管時(shí),光的能量大于帶隙能量時(shí),價(jià)電子帶的...
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一、光電二極管前置放大器設(shè)計(jì)
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由光電二極管和前置放大器組成
APD雪崩光電二極管
英文縮寫:APD(Avalanche Photo Diode)
中文譯名:雪崩光電二極管
分類:電信設(shè)備
解釋:光探測領(lǐng)域中使用的光伏探測器元件。在以硅或鍺為材料制成的光電二極管的P-N結(jié)上加上反向偏壓后,射入的光被P-N結(jié)吸收后會(huì)形成光電流。加大反向偏壓會(huì)產(chǎn)生"雪崩"(即光電流成倍地激增)的現(xiàn)象,因此這種二極管被稱為"雪崩光電二極管"。
工作原理:碰撞電離和雪崩倍增
一般光電二極管的反偏壓在幾十伏以下,而APD的反偏壓一般在幾百伏量級(jí),接近于反向擊穿電壓。 當(dāng)APD在高反偏壓下工作,勢壘區(qū)中的電場很強(qiáng),電子和空穴在勢壘區(qū)中作漂移運(yùn)動(dòng)時(shí)得到很大的動(dòng)能。
它們與勢壘區(qū)中的晶格原子碰撞產(chǎn)生電離,激發(fā)產(chǎn)生的二次電子與空穴在電場下得到加速又碰撞產(chǎn)生新的電子-空穴對,如此繼續(xù),形成雪崩倍增效應(yīng)?。
特點(diǎn):
(1)提高了光電二極管的靈敏度(具有內(nèi)部增益102~104)。
(2)響應(yīng)速度特別快,頻帶帶寬可達(dá)100GHz,是目前響應(yīng)速度最快的一種光電二極管。
常見結(jié)構(gòu): 圖(a)在P型硅基片上擴(kuò)散雜質(zhì)濃度大的N+層,制成P型N結(jié)構(gòu);
圖(b)在N型硅基片上擴(kuò)散雜質(zhì)濃度大的P+層,制成N型P結(jié)構(gòu);
圖(c)所示為PIN型雪崩光電二極管。
p-i-n光電二極管, p-i-n Photo-Diode (pin-PD):
這是一種靈敏度比一般p-n結(jié)光(電)二極管(PD)要高的光檢測二極管,它是針對一般PD的不足、在結(jié)構(gòu)上加以改進(jìn)而得到的一種光電二極管。
半導(dǎo)體光電二極管主要用途
光電二極管用于光纖通信、激光測距、自動(dòng)控制等。發(fā)展最快的是光纖通信用 光電二極管,0.8~0.9微米波段的光電二極管已能滿足實(shí)用要求。