高壓試驗(yàn)室電磁屏蔽效能要求與測(cè)量方法

主要起草單位：中國(guó)航天科工集團(tuán)二院二0三所、中國(guó)電力科學(xué)研究院、常州新區(qū)金利達(dá)電子有限公司、常州市長(zhǎng)城屏蔽機(jī)房設(shè)備有限公司、長(zhǎng)屏(北京)電磁防護(hù)技術(shù)有限公司。

主要起草人：吳紅森、鄔雄、沈濤、張建功、韓玉峰、李妮、李志珍等。 2100433B

2014年5月6日，《高壓試驗(yàn)室電磁屏蔽效能要求與測(cè)量方法》發(fā)布。

2015年1月22日，《高壓試驗(yàn)室電磁屏蔽效能要求與測(cè)量方法》實(shí)施。

2021年5月21日，《電磁屏蔽室屏蔽效能的測(cè)量方法》發(fā)布。

2021年12月1日，《電磁屏蔽室屏蔽效能的測(cè)量方法》實(shí)施。

屏蔽體的有效性用屏蔽效能（SE）來(lái)度量。屏蔽效能的定義如下：

SE=20lg(E1/E2) (dB)

式中：E1 =沒(méi)有屏蔽時(shí)的場(chǎng)強(qiáng) E2 =有屏蔽時(shí)的場(chǎng)強(qiáng)

如果屏蔽效能計(jì)算中使用的是磁場(chǎng)強(qiáng)度，則稱為磁場(chǎng)屏蔽效能，如果屏蔽效能計(jì)算中使用的是電場(chǎng)強(qiáng)度，則稱為電場(chǎng)屏蔽效能。屏蔽效能的單位是分貝(dB)，下表是衰減量與分貝的對(duì)應(yīng)關(guān)系：

一般民用產(chǎn)品機(jī)箱的屏蔽效能在40dB以下，軍用設(shè)備機(jī)箱的屏蔽效能一般要達(dá)到60dB，TEMPEST設(shè)備的屏蔽機(jī)箱屏蔽效能要達(dá)到80dB以上。屏蔽室或屏蔽艙等往往要達(dá)到100dB。100dB以上的屏蔽體是很難制造的，成本也很高。

從上面給出的屏蔽效能計(jì)算公式可以得出一些對(duì)工程有實(shí)際指導(dǎo)意義的結(jié)論，根據(jù)這些結(jié)論，我們可以決定使用什么屏蔽材料，注意什么問(wèn)題。下面給出的結(jié)論，初步一看，會(huì)感到雜亂無(wú)章，無(wú)從應(yīng)用，但是結(jié)合上面第3和第4條仔細(xì)分析后，會(huì)發(fā)現(xiàn)這些結(jié)論都有著內(nèi)在聯(lián)系。深入理解下面的結(jié)論對(duì)于結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)是十分重要的。

1）材料的導(dǎo)電性和導(dǎo)磁性越好，屏蔽效能越高，但實(shí)際的金屬材料不可能兼顧這兩個(gè)方面，例如銅的導(dǎo)電性很好，但是導(dǎo)磁性很差；鐵的導(dǎo)磁性很好，但是導(dǎo)電性較差。應(yīng)該使用什么材料，根據(jù)具體屏蔽主要依賴反射損耗、還是吸收損耗來(lái)決定是側(cè)重導(dǎo)電性還是導(dǎo)磁性；

2）頻率較低的時(shí)候，吸收損耗很小，反射損耗是屏蔽效能的主要機(jī)理，要盡量提高反射損耗；

3）反射損耗與輻射源的特性有關(guān)，對(duì)于電場(chǎng)輻射源，反射損耗很大；對(duì)于磁場(chǎng)輻射源，反射損耗很小。因此，對(duì)于磁場(chǎng)輻射源的屏蔽主要依靠材料的吸收損耗，應(yīng)該選用磁導(dǎo)率較高的材料做屏蔽材料。

4）反射損耗與屏蔽體到輻射源的距離有關(guān)，對(duì)于電場(chǎng)輻射源，距離越近，則反射損耗越大；對(duì)于磁場(chǎng)輻射源，距離越近，則反射損耗越??；正確判斷輻射源的性質(zhì)，決定它應(yīng)該靠近屏蔽體，還是遠(yuǎn)離屏蔽體，是結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的一個(gè)重要內(nèi)容。

5）頻率較高時(shí)，吸收損耗是主要的屏蔽機(jī)理，這時(shí)與輻射源是電場(chǎng)輻射源還是磁場(chǎng)輻射源關(guān)系不大。

6）電場(chǎng)波是最容易屏蔽的，平面波其次，磁場(chǎng)波是最難屏蔽的。尤其是（1KHz以下）低頻磁場(chǎng)，很難屏蔽。對(duì)于低頻磁場(chǎng)，要采用高導(dǎo)磁性材料，甚至采用高導(dǎo)電性材料和高導(dǎo)磁性材料復(fù)合起來(lái)的材料。