高壓試驗室電磁屏蔽效能要求與測量方法起草工作

主要起草單位：中國航天科工集團二院二0三所、中國電力科學研究院、常州新區(qū)金利達電子有限公司、常州市長城屏蔽機房設備有限公司、長屏(北京)電磁防護技術有限公司。

主要起草人：吳紅森、鄔雄、沈濤、張建功、韓玉峰、李妮、李志珍等。 2100433B

2014年5月6日，《高壓試驗室電磁屏蔽效能要求與測量方法》發(fā)布。

2015年1月22日，《高壓試驗室電磁屏蔽效能要求與測量方法》實施。

2021年5月21日，《電磁屏蔽室屏蔽效能的測量方法》發(fā)布。

2021年12月1日，《電磁屏蔽室屏蔽效能的測量方法》實施。

屏蔽體的有效性用屏蔽效能（SE）來度量。屏蔽效能的定義如下：

SE=20lg(E1/E2) (dB)

式中：E1 =沒有屏蔽時的場強 E2 =有屏蔽時的場強

如果屏蔽效能計算中使用的是磁場強度，則稱為磁場屏蔽效能，如果屏蔽效能計算中使用的是電場強度，則稱為電場屏蔽效能。屏蔽效能的單位是分貝(dB)，下表是衰減量與分貝的對應關系：

一般民用產(chǎn)品機箱的屏蔽效能在40dB以下，軍用設備機箱的屏蔽效能一般要達到60dB，TEMPEST設備的屏蔽機箱屏蔽效能要達到80dB以上。屏蔽室或屏蔽艙等往往要達到100dB。100dB以上的屏蔽體是很難制造的，成本也很高。

從上面給出的屏蔽效能計算公式可以得出一些對工程有實際指導意義的結論，根據(jù)這些結論，我們可以決定使用什么屏蔽材料，注意什么問題。下面給出的結論，初步一看，會感到雜亂無章，無從應用，但是結合上面第3和第4條仔細分析后，會發(fā)現(xiàn)這些結論都有著內(nèi)在聯(lián)系。深入理解下面的結論對于結構設計是十分重要的。

1）材料的導電性和導磁性越好，屏蔽效能越高，但實際的金屬材料不可能兼顧這兩個方面，例如銅的導電性很好，但是導磁性很差；鐵的導磁性很好，但是導電性較差。應該使用什么材料，根據(jù)具體屏蔽主要依賴反射損耗、還是吸收損耗來決定是側重導電性還是導磁性；

2）頻率較低的時候，吸收損耗很小，反射損耗是屏蔽效能的主要機理，要盡量提高反射損耗；

3）反射損耗與輻射源的特性有關，對于電場輻射源，反射損耗很大；對于磁場輻射源，反射損耗很小。因此，對于磁場輻射源的屏蔽主要依靠材料的吸收損耗，應該選用磁導率較高的材料做屏蔽材料。

4）反射損耗與屏蔽體到輻射源的距離有關，對于電場輻射源，距離越近，則反射損耗越大；對于磁場輻射源，距離越近，則反射損耗越?。徽_判斷輻射源的性質，決定它應該靠近屏蔽體，還是遠離屏蔽體，是結構設計的一個重要內(nèi)容。

5）頻率較高時，吸收損耗是主要的屏蔽機理，這時與輻射源是電場輻射源還是磁場輻射源關系不大。

6）電場波是最容易屏蔽的，平面波其次，磁場波是最難屏蔽的。尤其是（1KHz以下）低頻磁場，很難屏蔽。對于低頻磁場，要采用高導磁性材料，甚至采用高導電性材料和高導磁性材料復合起來的材料。