ITO導電膜

ITO導電膜高阻抗

高阻抗ITO導電薄膜PET-ITO主要應用于移動通訊領域的觸摸屏生產(chǎn)。

產(chǎn)品參數(shù)：

面電阻：300～500 Ω/□

面電阻均勻性：MD≤±3%，TD≤±6%

薄膜厚度：0.188±10%

線性度（MD）：≤1.5%

全光線透過率：≥86%

表面硬度（鉛筆硬度）：≥3H

熱穩(wěn)定性：(R-R0)/R: ±20%

熱收縮率：MD≤1.0%，TD≤0.8%

加熱卷曲：≤10mm

ITO導電膜低阻抗

低阻抗ITO導電膜可用于對導電性能要求比較高的領域，如：用于薄膜太陽能電池的透明電極、電致變色器件的電極材料、薄膜開關等領域。

產(chǎn)品參數(shù)：

薄膜厚度：0.175±10% mm

霧度：<2%

寬度：406/360±2 mm

粘附：100/100

卷曲：≤10 mm

透過率：≥ 80%

表面電阻：90±15 Ω/□

面電阻均勻性：<7%

熱收縮：MD≤1.3，TD≤1.0

熱穩(wěn)定性：

高溫：80oC,120hr ≤1.3

低溫：-40oC,120hr ≤1.3

熱循環(huán)：-30oC—80oC ≤1.3

熱/濕度： 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3

2014第十三屆深圳國際觸摸屏展覽會

時間：2014年11月25日—27日

地點：深圳會展中心 解讀詞條背后的知識

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ITO 薄膜的制備方法有蒸發(fā)、濺射、反應離子鍍、化學氣相沉積、熱解噴涂等, 但使用最多的是反應磁控濺射法。

ITO膜層的厚度不同，膜的導電性能和透光性能也不同。一般來說，在相同的工藝條件和性能相同的PET基底材料的情況下，ITO膜層越厚，PET-ITO膜的表面電阻越小，光透過率也相應的越小。

導電膜產(chǎn)品描述

氧化銦錫(Indium-Tin Oxide)透明導電膜玻璃,多通過ITO導電膜玻璃生產(chǎn)線,在高度凈化的廠房環(huán)境中,利用平面磁控技術,在超薄玻璃上濺射氧化銦錫導電薄膜鍍層并經(jīng)高溫退火處理得到的高技術產(chǎn)品。

導電膜制作方法

ITO導電膜是指采用磁控濺射的方法（ITO 薄膜的制備方法有蒸發(fā)、濺射、反應離子鍍、化學氣相沉積、熱解噴涂等, 但使用最多的是反應磁控濺射法），在透明有機薄膜材料上濺射透明氧化銦錫(ITO)導電薄膜鍍層并經(jīng)高溫退火處理得到的高技術產(chǎn)品。

導電膜應用領域

產(chǎn)品廣泛地用于液晶顯示器(LCD)、太陽能電池、微電子ITO導電膜玻璃、光電子和各種光學領域。

導電膜產(chǎn)品參數(shù)

線性度（MD）：≤1.5%

全光線透過率：≥86%

表面硬度（鉛筆硬度）：≥3H

熱穩(wěn)定性：(R-R0)/R: ±20%

熱收縮率：MD≤1.0%，TD≤0.8%

加熱卷曲：≤10mm

低阻抗柔性ITO導電膜（PET-ITO）

適用于柔性電致變色器件、柔性薄膜太陽能電池、柔性EL發(fā)光器件的制備和生產(chǎn)。

薄膜厚度：0.175±10 mm

霧度：<2%

寬度：406/360±2 mm

粘附：100/100

卷曲：≤10 mm

透過率：≥ 80%

表面電阻：90±15 Ω/□

面電阻均勻性：<7%

熱收縮：MD≤1.3，TD≤1.0

熱穩(wěn)定性：

高溫：80oC,120hr ≤1.3

低溫：-40oC,120hr ≤1.3

熱循環(huán)：-30oC—80oC ≤1.3

熱/濕度： 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3

導電膜參數(shù)關系

ITO導電膜的主要參數(shù)有：表面電阻、表面電阻的均勻性、透光率、熱穩(wěn)定性、加熱收縮率、加熱卷曲等。其中光透過率主要與ITO膜所用的基底材料和ITO膜的表面電阻有關。在基底材料相同的情況下，ITO膜的表面電阻越小，ITO膜層的厚度越大，光透過率相應的會有一定程度的減小。

ITO膜層的厚度不同，膜的導電性能和透光性能也不同。一般來說，在相同的工藝條件和性能相同的PET基底材料的情況下，ITO膜層越厚，PET-ITO膜的表面電阻越小，光透過率也相應的越小。

以下是兩種不同的PET-ITO導電膜的參數(shù)：

高阻抗ITO導電膜（PET-ITO）

高阻抗ITO導電薄膜PET-ITO主要應用于移動通訊領域的觸摸屏生產(chǎn)。

產(chǎn)品參數(shù)：

面電阻：300～500 Ω/□

面電阻均勻性：MD≤±3%，TD≤±6%

薄膜厚度：0.188±10%

線性度（MD）：≤1.5%

全光線透過率：≥86%

表面硬度（鉛筆硬度）：≥3H

熱穩(wěn)定性：(R-R0)/R: ±20%

熱收縮率：MD≤1.0%，TD≤0.8%

加熱卷曲：≤10mm

低阻抗ITO導電膜（PET-ITO）

低阻抗ITO導電膜可用于對導電性能要求比較高的領域，如：用于薄膜太陽能電池的透明電極、電致變色器件的電極材料、薄膜開關等領域。

產(chǎn)品參數(shù)：

薄膜厚度：0.175±10 mm

霧度：<2%

寬度：406/360±2 mm

粘附：100/100

卷曲：≤10 mm

透過率：≥ 80%

表面電阻：90±15 Ω/□

面電阻均勻性：<7%

熱收縮：MD≤1.3，TD≤1.0

熱穩(wěn)定性：

高溫：80oC,120hr ≤1.3

低溫：-40oC,120hr ≤1.3

熱循環(huán)：-30oC—80oC ≤1.3

熱/濕度： 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3

附：

ITO：

透明導電材料氧化銦錫(Indium-Tin Oxide)

PET：

聚對苯二甲酸乙二醇酯 化學式為COC6H4COOCH2CH2O

英文名: polyethylene terephthalate，簡稱PET。

PET的特點：

①有良好的力學性能，沖擊強度是其他薄膜的3~5倍，耐折性好。

②耐油、耐脂肪、耐稀酸、稀堿，耐大多數(shù)溶劑。

③具有優(yōu)良的耐高、低溫性能，可在120℃溫度范圍內長期使用，短期使用可耐150℃高溫，可耐-70℃低溫，且高、低溫時對其機械性能影響很小。

④氣體和水蒸氣滲透率低，既有優(yōu)良的阻氣、水、油及異味性能。

⑤透明度高，可阻擋紫外線，光澤性好。

⑥無毒、無味，安全性好。2100433B