基于下游水環(huán)境改善的三峽水庫出庫流量調(diào)控研究

第1章緒論

第2章三峽水庫蓄水前后長江中下游生態(tài)環(huán)境變化及生態(tài)調(diào)度

第3章三峽水庫蓄水前后荊江—洞庭湖水文水力關(guān)聯(lián)性動態(tài)響應(yīng)

第4章三峽水庫下游河道水動力–水質(zhì)模擬技術(shù)及數(shù)學(xué)模型

第5章長江中游生態(tài)流量和枯水期環(huán)境水位

第6章長江河口南支上段水源地壓咸流量閾值

第7章以改善下游水環(huán)境為目標(biāo)的三峽水庫出庫流量過程需求

第8章長江中游突發(fā)污染事件應(yīng)急調(diào)度三峽出庫流量需求

參考文獻(xiàn)

附圖

本書圍繞三峽及其上游水庫群聯(lián)合調(diào)度改善水庫下游水環(huán)境問題，闡述利用溪洛渡—向家壩—三峽三庫聯(lián)合調(diào)度改善三峽下游水環(huán)境對三峽水庫出庫流量需求及其調(diào)控的方法。主要內(nèi)容包括：三峽水庫蓄水前后長江中下游生態(tài)環(huán)境變化及生態(tài)調(diào)度效果；三峽水庫蓄水前后荊江—洞庭湖水文水力關(guān)聯(lián)性動態(tài)響應(yīng)；三峽水庫下游河道水動力–水質(zhì)模擬技術(shù)及數(shù)學(xué)模型；長江中游生態(tài)流量和枯水期環(huán)境水位閾值確定；長江河口壓咸流量閾值計算與分析。在此基礎(chǔ)上，提出以改善下游水環(huán)境為目標(biāo)的三峽水庫出庫流量，以及長江中游突發(fā)污染事件應(yīng)急調(diào)度的三峽水庫出庫流量過程需求及其確定方法。

在LED照明技術(shù)日益發(fā)展的今天，偏振光源作為普通光源一種功能上的擴(kuò)展，在CCD偏振成像、光學(xué)存儲、光通信、光電探測、平板顯示背光等方面具有廣闊的應(yīng)用前景?；贕aN基LED的微納光子學(xué)和光電子學(xué)是一個及其重要的研究方向。本項目開展了表面微納結(jié)構(gòu)對LED出光特性的調(diào)控研究工作，設(shè)計并制備了基于納米結(jié)構(gòu)偏振轉(zhuǎn)換的高效偏振出光GaN基LED。主要工作包括：1) 利用時域有限差分進(jìn)行數(shù)值模擬，設(shè)計并制備了基于可見光波段的偏振納米光柵，以及基于納米結(jié)構(gòu)偏振轉(zhuǎn)換的高效偏振出光GaN基LED。采用深紫外曝光技術(shù)制作了最小周期190nm的納米偏振光柵，偏振度達(dá)到25 dB。2) 提出、設(shè)計并制備了二維橢圓柱納米陣列結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了半波片偏振轉(zhuǎn)換的功能，并將該結(jié)構(gòu)集成到振度LED上，進(jìn)一步提高了偏振光出光的效率，在寬角度內(nèi)（±60o內(nèi)）平均提高20%。3)提出了一種基于熒光陶瓷和納米光柵集成的GaN基白光LED復(fù)合結(jié)構(gòu)，能在450nm~650nm光譜范圍內(nèi)實現(xiàn)高偏振度白光出射。利用納米壓印及反應(yīng)離子束刻蝕工藝，實驗制備了熒光陶瓷基底上周期150nm，有效面積達(dá)20mm×20mm的介質(zhì)/金屬復(fù)合納米光柵結(jié)構(gòu)。測試結(jié)果表明偏振白光LED在450nm~650nm可見光范圍內(nèi)的消光比大于20dB，TM波透過率高于60%。本項目的研究對拓展LED應(yīng)用領(lǐng)域、創(chuàng)新平板顯示的解決方案、探索氮化鎵基材料的微納光電子學(xué)應(yīng)用均具有重要的意義。

氮化鎵基LED的發(fā)展逐漸從追求單一的高流明效率向多功能化過渡，數(shù)字照明、通訊照明正在逐漸成為前沿研發(fā)熱點，基于氮化鎵LED的微納光子學(xué)和光電子學(xué)將是一個極其重要的研究領(lǐng)域。本項目擬開展表面微納結(jié)構(gòu)對LED出光特性的調(diào)控作用研究，設(shè)計反射面微納結(jié)構(gòu)實現(xiàn)TE光的反射和位相轉(zhuǎn)換，設(shè)計出光面為金屬/介質(zhì)的復(fù)合微納光柵結(jié)構(gòu)，大幅度提高LED的偏振出光消光比和出光效率，獲得偏振消光比100：1的高效偏振出光LED。進(jìn)一步深入研究金屬微納結(jié)構(gòu)中等離子激元波的電磁特性對LED偏振光輸出的特性的影響，探索LED在未來納米光子學(xué)的應(yīng)用方案。在制備工藝技術(shù)上，創(chuàng)新采用金屬/介質(zhì)復(fù)合光柵，在實現(xiàn)同樣偏振消光比的前提下，大大降低了對光柵周期和占空比的容差要求，實現(xiàn)可以大面積（2英寸及以上）制備的工藝技術(shù)。本項目的研究對拓展LED應(yīng)用領(lǐng)域、創(chuàng)新平板顯示的解決方案、探索氮化鎵基材料的微納光電子學(xué)應(yīng)用均具有重要的意義。