一種新穎的IGBT絕緣柵極晶體管變流器模塊,將儲能組件與IGBI功率元件通過兩套疊層母排連接,儲能組件通過四根儲能組件固定桿及兩塊加強板與散熱器連接,控制及驅動裝置通過六根驅動裝置支撐桿緊靠IGBT功率元件之上,散熱器周邊密封條嵌于密封槽中能獲得良好的密封效果。此外,又將儲能組件中電容通過四塊具有楔口的環(huán)氧板固定;將吸收元件緊貼于IGBT低感疊層母排之背面;將IGBT功率元件在散熱器上對稱排列,元件控制端全部朝外。通過對各部件的合理規(guī)劃設計,使本變流器模塊具有高的可靠性、合理的功率容量、較小的重量、較小的安裝體積、良好的密封、便于維修和移植的模塊化結構。
本文著重介紹它的結構、工作機理、靜態(tài)特性、動態(tài)特性以及主要參數,為使用該類器件奠定基礎。
絕緣柵極晶體管逆變器模塊,采用簡統(tǒng)化、模塊化設計技術,將儲能組件與IGBT功率元件通過兩套疊層母排連接;儲能組件通過四根儲能組件固定桿及兩塊加強板與散熱器連接;控制及驅動裝置通過六根驅動裝置支撐桿緊靠IGBT功率元件之上;散熱器周邊密封條嵌于密封槽中能獲得良好的密封效果。此外,儲能組件中電容通過四塊具有楔口的環(huán)氧板固定;吸收元件緊貼于IGBT低感疊層母排之背面;IGBT功率元件在散熱器上對稱排列,元件控制端全部朝外。通過對各部件的合理規(guī)劃設計,使本IGBT逆變器模塊具有高的可靠性、合理的功率容量、較小的重量、較小的安裝體積、良好的密封、便于維修和移植的模塊化結構。
1、IGBT絕緣柵極晶體管逆變器模塊,包括IGBT功率元件(1)、儲能組件(2)、IGBT低感疊層母排(3)、電容低感疊層母排(4)、控制及驅動裝置(5)、散熱器(6)、控制及驅動裝置支撐桿(7)、儲能組件固定桿(8)、加強板(9)、把手(10)、密封條(11)、接線座(12)、驅動線(13)、電容(14)、吸收元件(15)、密封槽(16)、電容固定板(17)幾部分,其特征在于:儲能組件(2)與IGBT功率元件(1)布置于同一散熱器(6)臺面,通過兩套疊層母排連接;儲能組件(2)通過四根儲能組件固定桿(8)及兩塊加強板(9)與散熱器(6)連接;控制及驅動裝置(5)通過六根控制及驅動裝置支撐桿(7)緊靠IGBT功率元件(1)之上;散熱器周邊密封條嵌于密封槽中。
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MO...
只用一種載流子進行導電的晶體管稱為單極型晶體管。
一、單極型晶體管在目前使用的pnp或npn面結型晶體管的工作中,包括金屬-氧化物-半導體晶體管在內的場效應晶體管,只需要一種載流子,這種晶體管就叫做單極晶體管。單極晶體管即場效應晶體管,因為場效應晶體...
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介紹了絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的基本結構和工作原理;討論了IGBT各關鍵參數和結構設計中需要考慮的主要問題;分析了IGBT設計中需要協調的幾對矛盾參數的關系以及影響IGBT可靠性的關鍵因素。
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評分: 4.3
采用8只IXLF19N250A絕緣柵雙極型晶體管串聯研制成功了10kV固體開關。試驗表明:該固體開關最高輸出電壓為14kV,最高輸出脈沖電流為20A、輸出脈沖寬度可在2112μs之間以1μs步長變化,脈沖重復頻率范圍為1Hz4kHz,短時間可以工作到8.6kHz。