MIS硅基隧道發(fā)光結(jié)的研究基本信息

中文名 MIS硅基隧道發(fā)光結(jié)的研究 項(xiàng)目類別 面上項(xiàng)目
項(xiàng)目負(fù)責(zé)人 孫承休 依托單位 東南大學(xué)

本課題為利用硅集成電路工藝，在面摻雜濃度10（23）cm(-3)的n型硅片上生長(zhǎng)MIS隧道結(jié)，研究其發(fā)光特性。SiO2兩側(cè)金屬膜加電壓（約5V），隧穿電子在結(jié)界面激發(fā)起等離極化激元（SPP），作動(dòng)量補(bǔ)償后，轉(zhuǎn)換為光子輻射。測(cè)得發(fā)射光譜分布在449nm到740nm之間，峰值462.4,618.4,721.2nm，相對(duì)強(qiáng)度6：12：21，效率2.77×10（-4%）。其中462.4nm的是SiO2/n-Si界面的SPP模，它所對(duì)應(yīng)的電子濃度高于摻雜值。按發(fā)光測(cè)得I-V曲線上的負(fù)阻現(xiàn)象，可用動(dòng)態(tài)電荷積累假設(shè)來解釋。分析了雙勢(shì)壘隧道結(jié)，觀察到負(fù)阻、譜藍(lán)移、效率提高等現(xiàn)象。按SPP→光的轉(zhuǎn)換可逆，提出了雙光纖 MIS的增強(qiáng)光輸出結(jié)構(gòu)。對(duì)粗糙度作了統(tǒng)計(jì)分析并對(duì)它影響結(jié)的發(fā)光關(guān)系用格林函數(shù)作了理論處理。 2100433B

MIS硅基隧道發(fā)光結(jié)的研究造價(jià)信息

市場(chǎng)價(jià) 信息價(jià) 詢價(jià)
材料名稱 規(guī)格/型號(hào) 市場(chǎng)價(jià)
（除稅）		 工程建議價(jià)
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)日期
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凱倫

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隧道排水板(HDPE) 厚度(mm)凸殼高度 10mm;規(guī)格:板厚1.2mm;執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):TB∕T 3354-2014 查看價(jià)格 查看價(jià)格

凱倫

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隧道排水板(HDPE) 厚度(mm)凸殼高度 10mm;規(guī)格:板厚1.5mm;執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):TB∕T 3354-2014 查看價(jià)格 查看價(jià)格

凱倫

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菲力綠色

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材料名稱 規(guī)格/型號(hào) 除稅
信息價(jià)		 含稅
信息價(jià)		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時(shí)間
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材料名稱 規(guī)格/需求量 報(bào)價(jià)數(shù) 最新報(bào)價(jià)
（元）		 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)地區(qū) 最新報(bào)價(jià)時(shí)間
HS900-A硅基類防水涂料 HS900-A硅基類|1m2 1 查看價(jià)格 廣州雙虹建材有限公司 廣西  南寧市 2011-07-27
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回發(fā)光的路牙燈 按照線下提供參數(shù)規(guī)格詢價(jià)|139.38套 1 查看價(jià)格 成都鑫耀照明有限公司 全國(guó)   2020-10-19
中國(guó)結(jié) 規(guī)格: 1.2 米 ×0.6 米雙面發(fā)光中國(guó)結(jié)帶支架電壓: 220V外殼: PVC+ 鍍鋅支架防水等級(jí): IP65|8個(gè) 1 查看價(jià)格 廣東萬佳廣告有限公司 廣東  陽(yáng)江市 2021-05-26
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批準(zhǔn)號(hào)

69576006

項(xiàng)目名稱

MIS硅基隧道發(fā)光結(jié)的研究

項(xiàng)目類別

面上項(xiàng)目

申請(qǐng)代碼

F0403

項(xiàng)目負(fù)責(zé)人

孫承休

負(fù)責(zé)人職稱

副教授

依托單位

東南大學(xué)

研究期限

1996-01-01 至 1999-12-31

支持經(jīng)費(fèi)

7（萬元）

MIS硅基隧道發(fā)光結(jié)的研究常見問題

MIS硅基隧道發(fā)光結(jié)的研究文獻(xiàn)

硅基絕熱材料的玻璃成珠機(jī)理研究 硅基絕熱材料的玻璃成珠機(jī)理研究

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大?。?span id="9i6g6t6" class="single-tag-height">764KB

頁(yè)數(shù)： 5頁(yè)

評(píng)分： 4.5

采用沖壓發(fā)動(dòng)機(jī)地面連管試驗(yàn)系統(tǒng)對(duì)玻璃纖維酚醛材料進(jìn)行了燒蝕試驗(yàn).通過分析燒蝕材料的微觀形貌以及燃?xì)鉁囟?、壓力和流速?duì)燒蝕過程的影響,研究了玻璃珠的形成機(jī)理.研究發(fā)現(xiàn):在補(bǔ)燃室不同位置,玻璃珠呈不同分布;玻璃成珠過程受燃?xì)獾膲毫?、溫度和速度的共同作?燃?xì)饬魉賹?duì)玻璃珠的形成影響最大;從保護(hù)碳層、減少燒蝕的角度,玻璃珠的形成對(duì)材料燒蝕是不利的,應(yīng)抑制液態(tài)層形成玻璃珠.

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硅基650nm增強(qiáng)型光電探測(cè)器 硅基650nm增強(qiáng)型光電探測(cè)器

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頁(yè)數(shù)： 未知

評(píng)分： 4.5

通過在硅PIN結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn),采用硅P+PIN結(jié)構(gòu),研制出650nm增強(qiáng)型光電探測(cè)器。詳細(xì)介紹了器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制作工藝。對(duì)器件響應(yīng)度、暗電流和響應(yīng)速度等參數(shù)進(jìn)行計(jì)算與分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,器件響應(yīng)度達(dá)0.448A/W(λ=650nm),暗電流達(dá)到0.1nA(VR=10V),上升時(shí)間達(dá)到3.2ns。

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本項(xiàng)目緊密圍繞研究目標(biāo)，在隧道結(jié)發(fā)光的角向分布、偏振和光譜特征以及分子發(fā)光的躍遷偶極特性的表征方面，開展了一系列的工作，取得了若干成果：（1）在儀器研制方面，研制了與超高真空低溫STM聯(lián)用的后焦面光子探測(cè)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)隧道結(jié)中光子發(fā)射的角向分布特性的表征；研制了與超高真空低溫STM聯(lián)用的HBT系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)隧道結(jié)中光子發(fā)射統(tǒng)計(jì)特性與偏振特性的表征；發(fā)展出了具有亞納米空間分辨的光致熒光成像技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)分子的躍遷偶極取向的實(shí)空間表征；（2）在科學(xué)進(jìn)展方面，研究了卟啉分子J型聚合體的電致發(fā)光特性，發(fā)現(xiàn)其電致發(fā)光特征受到分子間偶極-偶極相互作用影響，并討論了在不同隧穿電流下卟啉J-型聚集體與納腔等離激元的相互作用特性；研究了分子發(fā)光與偶極-偶極作用的關(guān)系，利用發(fā)展出的亞納米空間分辨的熒光成像技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)分子間相干偶極相互作用的實(shí)空間直接觀察，開辟了研究分子間相互作用和能量轉(zhuǎn)移的新途徑，同時(shí)也為光合作用中分子捕光結(jié)構(gòu)的優(yōu)化和分子糾纏體系及其光源的調(diào)控提供了新的思路；設(shè)計(jì)并通過微納加工制備了具有中心缺陷結(jié)構(gòu)的二維等離激元光子晶體納米陣列，并將其作為襯底引入到STM中，并研究其缺陷模式形成的光學(xué)共振微腔對(duì)針尖誘導(dǎo)的納腔等離激元的增強(qiáng)效應(yīng)和模式調(diào)控作用。 到目前為止，已在SCI期刊上發(fā)表研究論文5 篇，其中有較重要影響的論文包括Nature 1篇，Applied Physics Letters 1篇，Nanoscale 1篇；項(xiàng)目負(fù)責(zé)人在2016年獲得基金委優(yōu)秀青年基金支持，與合作者一起培養(yǎng)博士研究生3 名。

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分子尺度上的光電器件集成是未來信息能源技術(shù)中的一個(gè)重要發(fā)展方向，其科學(xué)基礎(chǔ)在于納米尺度下對(duì)光電相互作用與轉(zhuǎn)化過程的認(rèn)識(shí)和調(diào)控。本項(xiàng)目將利用高分辨掃描隧道顯微鏡與高靈敏光學(xué)檢測(cè)的聯(lián)用技術(shù)，以含共軛π電子體系體系的有機(jī)多功能光電分子為研究對(duì)象，利用隧穿電子的高度局域化激發(fā)，構(gòu)筑并利用“倒置”光子收集通道來對(duì)隧道結(jié)中單分子電致發(fā)光的性質(zhì)、尤其是光子發(fā)射的角向分布特征進(jìn)行高分辨的表征，研究隧道結(jié)中分子發(fā)光的躍遷偶極取向，探索通過改變隧道結(jié)等離激元模式來調(diào)控單分子發(fā)光的光子輻射方向與偏振方向的方法。研究結(jié)果不僅有助于理解分子在納米環(huán)境中的光電行為，而且有助于探索隧道結(jié)中的電子、激子、聲子、表面等離激元和光子等之間的相互耦合和轉(zhuǎn)化過程，為今后設(shè)計(jì)和優(yōu)化基于分子光源的有源等離激元器件提供科學(xué)基礎(chǔ)與依據(jù)。

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繼續(xù)摸索中間絕緣層的生長(zhǎng)工藝，并利用各種微電子加工技術(shù)，制備出磁場(chǎng)電阻高、結(jié)電阻低、重復(fù)率好的優(yōu)質(zhì)單勢(shì)壘磁隧道結(jié)材料。深入研究磁隧道結(jié)的偏壓特性，運(yùn)用全量子力學(xué)模型，結(jié)合磁振子、聲子的激發(fā)及界面能級(jí)結(jié)構(gòu)的變化，對(duì)隧道結(jié)磁電阻隨偏壓變化的現(xiàn)象作出理論詮釋。制備雙勢(shì)壘磁隧道結(jié)或選擇自旋極化率符號(hào)相反的鐵磁電極材料，研究反常隧道磁電阻現(xiàn)象及其隨外加偏壓的變化。 2100433B

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