第一章 理想集成運(yùn)放

第二章 實(shí)際集成運(yùn)放模型

第三章 Bi集成運(yùn)放單元電路

第四章 Bi集成運(yùn)放典型電路

第五章 Bi模擬集成電路中的元器件

第六章 模擬集成電路設(shè)計(jì)實(shí)例

第七章 集成運(yùn)放頻率特性

第八章 集成運(yùn)放參數(shù)測(cè)試

第九章 MOS集成運(yùn)放

第十章 模擬集成鎖相環(huán)

第十一章 模擬集成電路應(yīng)用

第十二章 習(xí)題

主要參考文獻(xiàn)

模擬集成電路——原理、設(shè)計(jì)、應(yīng)用造價(jià)信息

市場(chǎng)價(jià) 信息價(jià) 詢價(jià)
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集成電路控制中心 800×800×1500|1臺(tái) 1 查看價(jià)格 百海（ 深圳） 水處理有限公司 廣東   2021-06-15
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集成電路測(cè)試儀 1CT-33C|4臺(tái) 1 查看價(jià)格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-08-05
集成電路測(cè)試儀 GUT-660A|9臺(tái) 1 查看價(jià)格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-07-31
集成電路測(cè)試儀 GVT-6600|4臺(tái) 1 查看價(jià)格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-04-07
集成電路在線測(cè)試系統(tǒng) TH2424|5832臺(tái) 1 查看價(jià)格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-10-22
集成電路測(cè)試儀 SIMI-100|3臺(tái) 1 查看價(jià)格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-03-31
無(wú)繩電話機(jī)集成電路 LM386-4|9857個(gè) 1 查看價(jià)格 北京宇光四達(dá)郵電工程技術(shù)有限公司 北京  北京市 2015-11-18

本書(shū)結(jié)合中國(guó)科技大學(xué)微電子研究室多年研究設(shè)計(jì)實(shí)踐，參閱了國(guó)內(nèi)外集成電路許多有關(guān)著作和相關(guān)文獻(xiàn)編寫(xiě)而成。其宗旨意在加強(qiáng)基礎(chǔ)，強(qiáng)調(diào)實(shí)用，力求簡(jiǎn)明淺出。

本書(shū)以集成電路運(yùn)算放大器和模擬集成鎖相環(huán)為代表討論模擬集成電路原理、設(shè)計(jì)和應(yīng)用。集成穩(wěn)壓源、D/A、A/D轉(zhuǎn)換器也在應(yīng)用一章略加介紹。在集成電路運(yùn)算放大器方面，既討論雙極型集成運(yùn)放，也討論MOS型集成運(yùn)放，構(gòu)成Bi-Bi-MOS -MOS系統(tǒng)。

本書(shū)共有十二章。第一二章討論理想集成運(yùn)放和實(shí)際運(yùn)放；第三章討論雙極型集成運(yùn)放單元電路；在這基礎(chǔ)上，作為單元電路的總結(jié)，第四章對(duì)Bi集成運(yùn)放典型電路進(jìn)行分析；第五章討論雙極型模擬集成電路元器件設(shè)計(jì)；第六章以本單位設(shè)計(jì)的兩種集成運(yùn)放作為設(shè)計(jì)實(shí)例進(jìn)行討論；第七、八章簡(jiǎn)要討論集成運(yùn)放頻率特性和參數(shù)測(cè)試方法；第九章討論MOS集成運(yùn)放，從MOS晶體管到MOS集成運(yùn)放的單元電路，然后再對(duì)Bi-MOS集成運(yùn)放、CMOS集成運(yùn)放兩種典型電路進(jìn)行分析；第十章討論模擬集成鎖相環(huán)。在討論單元電路的基礎(chǔ)上，以本單位設(shè)計(jì)的一種模擬集成鎖相環(huán)為例進(jìn)行分析；第十一章介紹模擬集成電路應(yīng)用；第十二章習(xí)題。

在本書(shū)編寫(xiě)過(guò)程中，李名復(fù)教授、易波副教授、趙特秀教授給予熱情幫助并提出許多寶貴的建議；在編寫(xiě)鎖相環(huán)一章時(shí)，還得到趙天鵬、謝家純副教授的許多幫助，特此表示衷心感謝。

模擬集成電路——原理、設(shè)計(jì)、應(yīng)用目錄常見(jiàn)問(wèn)題

模擬集成電路——原理、設(shè)計(jì)、應(yīng)用目錄文獻(xiàn)

“集成電路原理與應(yīng)用”課程實(shí)踐教學(xué)改革探索 “集成電路原理與應(yīng)用”課程實(shí)踐教學(xué)改革探索

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圍繞應(yīng)用型、創(chuàng)新型集成電路相關(guān)人才的培養(yǎng)目標(biāo),本文詳細(xì)闡述了\"集成電路原理與應(yīng)用\"課程實(shí)踐教學(xué)所存在的主要問(wèn)題,并結(jié)合自身實(shí)踐,介紹了該課程教學(xué)內(nèi)容和教學(xué)方法的改革措施.實(shí)踐證明,通過(guò)按照全定制模擬集成電路設(shè)計(jì)流程進(jìn)行強(qiáng)化訓(xùn)練和實(shí)驗(yàn)考核等措施,能夠有效地提高學(xué)生的實(shí)踐能力、創(chuàng)新能力和綜合能力.

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“集成電路原理與應(yīng)用”課程實(shí)踐教學(xué)改革探索?? “集成電路原理與應(yīng)用”課程實(shí)踐教學(xué)改革探索??

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評(píng)分： 4.5

本文主要結(jié)合集成電路原理應(yīng)用要點(diǎn)，開(kāi)展應(yīng)用型人才培養(yǎng)原則，并且探究課堂教學(xué)中存在的不足之處，結(jié)合實(shí)踐發(fā)展要求，介紹必要的改革方式以及改革措施，通過(guò)優(yōu)化課程教學(xué)內(nèi)容、創(chuàng)新教學(xué)方法、加設(shè)前沿性知識(shí)內(nèi)容，最終提升學(xué)生對(duì)專業(yè)的認(rèn)知和理解能力。

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本書(shū)涉及整個(gè)模擬集成電路實(shí)現(xiàn)過(guò)程中的元器件原理分析、電路設(shè)計(jì)、工藝制備等環(huán)節(jié)，講述模擬集成電路中的無(wú)源元件、結(jié)型柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管、MOSFET和CCD；在電路方面，講述CMOS單級(jí)放大器、集成運(yùn)算放大器和集成功率放大器的分析和設(shè)計(jì)；在實(shí)現(xiàn)方面，討論版圖設(shè)計(jì)、制程設(shè)計(jì)、封裝設(shè)計(jì)、PCB設(shè)計(jì)和半導(dǎo)體制造工藝等。本書(shū)旨在提高學(xué)生的芯片設(shè)計(jì)能力和芯片分析能力。

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模擬集成電路應(yīng)用

模擬集成電路的基本電路包括電流源、單級(jí)放大器、濾波器、反饋電路、電流鏡電路等，由它們組成的高一層次的基本電路為運(yùn)算放大器、比較器，更高一層的電路有開(kāi)關(guān)電容電路、鎖相環(huán)、ADC/DAC等。根據(jù)輸出與輸入信號(hào)之間的響應(yīng)關(guān)系，又可以將模擬集成電路分為線性集成電路和非線性集成電路兩大類。前者的輸出與輸入信號(hào)之間的響應(yīng)通常呈線性關(guān)系，其輸出的信號(hào)形狀與輸入信號(hào)是相似的，只是被放大了，并且按固定的系數(shù)進(jìn)行放大的。而非線性集成電路的輸出信號(hào)對(duì)輸入信號(hào)的響應(yīng)呈現(xiàn)非線性關(guān)系，比如平方關(guān)系、對(duì)數(shù)關(guān)系等，故稱為非線性電路。常見(jiàn)的非線性電路有振蕩器、定時(shí)器、鎖相環(huán)電路等。模擬集成電路的典型應(yīng)用如下圖所示，輸入溫度、濕度、光學(xué)、壓電、聲電等各種傳感器或天線采集的外界自然信號(hào)，經(jīng)過(guò)模擬電路預(yù)處理后，轉(zhuǎn)為合適的數(shù)字信號(hào)輸入到數(shù)字系統(tǒng)中;經(jīng)過(guò)數(shù)字系統(tǒng)處理后的信號(hào)再通過(guò)模擬電路進(jìn)行后處理，轉(zhuǎn)換為聲音、圖像、無(wú)線電波等模擬信號(hào)進(jìn)行輸出。

相對(duì)于數(shù)字集成電路基于標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)使用EDA工具軟件進(jìn)行自動(dòng)化設(shè)計(jì)的方法，模擬電路卻保留了人工設(shè)計(jì)的方法，當(dāng)然也有大量的電路畫(huà)圖和仿真軟件工具，和一些成熟的電路單元可以使用，但是要設(shè)計(jì)出好的模擬集成電路，更多的是依靠設(shè)計(jì)者的經(jīng)驗(yàn)。因?yàn)槟M電路要考慮的因素更多，除了數(shù)字集成電路關(guān)注的速度、功耗和面積之外，還需要考慮增益、精度等性能指標(biāo)，考慮噪聲、串?dāng)_、溫度、器件非線性度等對(duì)性能的影響。

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第1章　模擬集成電路中的無(wú)源元件1

1.1　模擬集成電路的工藝基礎(chǔ)1

1.2　模擬集成電路中的電阻8

1.3　模擬集成電路中的電容16

1.4　模擬集成電路中的電感24

習(xí)題35

第2章　結(jié)型柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管36

2.1　JFET的基本原理36

2.2　JFET的伏安特性40

2.3　JFET的直流和交流參數(shù)43

2.4　MESFET的特性46

2.5　場(chǎng)相關(guān)遷移率特性48

2.6　結(jié)型柵場(chǎng)效應(yīng)管的頻率特性53

2.7　器件的噪聲特性58

2.8　JFET和MESFET的結(jié)構(gòu)舉例61

習(xí)題66

第3章　MOSFET67

3.1　MOSFET的結(jié)構(gòu)和類型68

3.2　MOSFET的閾值電壓72

3.3　MOSFET的伏安特性80

3.4　MOSFET的交流小信號(hào)特性87

3.5　MOSFET的交流小信號(hào)等效電路和頻率特性96

3.6　MOSFET的噪聲特性101

3.7　MOSFET的擊穿特性104

3.8　MOSFET的功率特性和功率MOS器件的結(jié)構(gòu)111

3.9　MOSFET的溫度特性117

3.10　短溝道效應(yīng)120

3.11　場(chǎng)效應(yīng)晶體管的設(shè)計(jì)129

習(xí)題134

第4章　CCD136

4.1　CCD的工作原理136

4.2　CCD的基本參數(shù)144

4.3　成像原理148

4.4　CCD的改進(jìn)方式150

4.5　CCD在模擬電路中的應(yīng)用151

習(xí)題153

第5章　模擬集成電路器件參數(shù)的提取154

5.1　歐姆接觸的有關(guān)參數(shù)154

5.2　MOSFET的有關(guān)參數(shù)提取159

5.3　MESFET的有關(guān)參數(shù)提取168

習(xí)題175

第6章　CMOS放大器176

6.1　模擬電路中的MOS器件模型177

6.2　共源級(jí)放大器182

6.3　共源共柵級(jí)198

6.4　差分放大器204

習(xí)題211

第7章　集成運(yùn)算放大器212

7.1　集成運(yùn)算放大器的構(gòu)建212

7.2　集成運(yùn)算放大器基本模塊分析217

7.3　集成運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)223

7.4　集成CMOS運(yùn)算放大器版圖設(shè)計(jì)227

7.5　集成CMOS運(yùn)算放大器的實(shí)現(xiàn)232

習(xí)題237

第8章　集成功率放大器238

8.1　功率放大器的特性和典型電路238

8.2　集成功率放大器實(shí)現(xiàn)的制約分析與設(shè)計(jì)251

8.3　全集成CMOS功率放大器的實(shí)現(xiàn)255

8.4　功率放大器的盡限問(wèn)題261

8.5　功率放大器研制的新進(jìn)展265

習(xí)題268

第9章　半導(dǎo)體制造技術(shù)269

9.1　半導(dǎo)體工藝的發(fā)展及CMOS工藝流程269

9.2　半導(dǎo)體工藝主要工序280

習(xí)題291

附錄　常用物理參數(shù)292 2100433B

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