全自動(dòng)組織成像噴霧系統(tǒng)

單細(xì)胞基因表達(dá)定量，進(jìn)行拷貝數(shù)變化（CNV）檢測、基因突變檢測，核酸樣品濃度絕對計(jì)算，SNP基因分型分析等實(shí)時(shí)熒光定量PCR實(shí)驗(yàn)。 2100433B

通量：2,304個(gè)實(shí)時(shí)熒光PCR反應(yīng)(使用 48.48 芯片) 9,180/36,960個(gè)實(shí)時(shí)熒光PCR反應(yīng)(使用 12.765/48.770芯片) 敏感度：單一拷貝核酸/ 反應(yīng)體系 （使用 TaqMan？ 試劑）。

電阻抗成像注入電流電阻抗成像（ACEIT）

注入電流電阻抗成像（ACEIT）是最早提出的且研究歷史最長的成像方法。許多早期的文獻(xiàn)將之稱為電阻抗成像（EIT），后來隨著各種成像方法的提出，有些學(xué)者為了將它與其他激勵(lì)方式的電阻抗成像區(qū)分開來，故將之命名為注入電流電阻抗成像（ACEIT）。后來EIT概念的外延增大，表示所有的電阻抗成像。相對于其他方式的電阻抗成像而言，ACEIT起步較早，研究得比較充分。

ACEIT的原理是，根據(jù)人體內(nèi)不同組織在不同生理、病理狀態(tài)下具有不同的電阻抗，通過電極給人體施加小的安全驅(qū)動(dòng)電流/電壓，在體外測量電壓/電流信號，并依據(jù)相應(yīng)的快速重組算法重建人體內(nèi)部的電阻抗分布或其變化的圖像。

不同的電流注入模式使成像區(qū)域內(nèi)部形成的電流分布不同，測量靈敏度不同，采集信號的信噪比不相同，最終成像質(zhì)量也不同。常見的注入電流模式主要包括：臨近驅(qū)動(dòng)模式（adjacent driven pattern）、交叉注入模式（cross method）、相反注入電流模式（opposite method）和自適應(yīng)注入電流模式（adaptive method）等。

電阻抗成像感應(yīng)電流電阻抗成像（ICEIT）

感應(yīng)電流電阻抗成像的原理是，它在被測目標(biāo)的外圍放置若干個(gè)激勵(lì)線圈，對其施加交變電流，在空間產(chǎn)生交變磁場，從而在被測目標(biāo)內(nèi)激勵(lì)出感應(yīng)電流。測量被測目標(biāo)表面電極間的電壓差，并用此數(shù)據(jù)重構(gòu)電導(dǎo)率擾動(dòng)的分布，從而進(jìn)行目標(biāo)區(qū)域電導(dǎo)率的動(dòng)態(tài)成像。

電阻抗成像磁共振電阻抗成像（MREIT）

針對常規(guī)電阻抗成像方法只能測量成像目標(biāo)區(qū)域外周邊信息的問題，加拿大多倫多大學(xué)的Zhang于1992在其題為“Electrical impedance tomography based on current density”的碩士論文中提出將EIT與磁共振電流密度成像（magnetic resonance current density image, MRCDI）結(jié)合的磁共振電阻抗成像方法。

磁共振電阻抗成像技術(shù)（MREIT）就是一種把磁共振成像技術(shù)（MRI）和EIT技術(shù)結(jié)合起來的新型阻抗成像技術(shù)。MREIT技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)在于磁共振能夠檢測注入電流激勵(lì)磁場沿磁共振主磁場方向的分量。利用這一原理，就能夠測量得到注入電流在成像目標(biāo)內(nèi)部激勵(lì)的磁場分布，進(jìn)而，由安培定律（Ampere’s Law）即 可以計(jì)算得到注入電流在成像目標(biāo)內(nèi)的電流密度分布，再結(jié)合成像目標(biāo)邊界電壓分布，利用特定算法就能夠重建成像目標(biāo)體的阻抗分布，這就是MREIT技術(shù)的基本思想。

2005年，Ozparlak等提出感應(yīng)電流磁共振電阻抗成像方法（induced current magnetic resonance-electrical impedance tomography, IC-MREIT），將非接觸概念引入磁共振電阻抗成像方法。采用外部非接觸線圈代替電極，將被測物放置于設(shè)計(jì)的幾何中心位置，線圈通電后被測物處于交流一次磁場中，該一次磁場在被測物內(nèi)部感應(yīng)生成渦流產(chǎn)生二次磁場。二次磁場可由MRI設(shè)備測得，其中包含足夠的信息用來重建圖像。

電阻抗成像磁感應(yīng)成像方法（MIT）

ICEIT采用電極測量成像目標(biāo)體表面電壓，依然存在因貼放大量電極而浪費(fèi)時(shí)間和處理極不方便等困難。為此，Korjenevsky等人提出激勵(lì)和測量全部采用線圈的非接觸方式，通過測得的表面磁場重建電導(dǎo)率分布的磁感應(yīng)成像方法（MIT）。應(yīng)用于醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的磁感應(yīng)成像方法的研究始于1993年，英國Swansea大學(xué)的Al-Zeibak等首次報(bào)道了用于醫(yī)學(xué)的MIT實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，能夠通過重構(gòu)圖像區(qū)分出脂肪與脫脂組織的輪廓和幾何尺寸。

MIT的基本原理是，激勵(lì)線圈產(chǎn)生頻率的交變磁通密度，將成像目標(biāo)體置于激勵(lì)磁場中，成像目標(biāo)區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生渦旋電場，由于區(qū)域內(nèi)部包含導(dǎo)電介質(zhì)，因此產(chǎn)生渦旋感應(yīng)電流，該渦流同時(shí)會(huì)產(chǎn)生二次感應(yīng)磁通密度并能改變原激勵(lì)磁通密度的強(qiáng)弱和空間分布，在接收線圈上可以檢測到相應(yīng)的感應(yīng)電壓。通過檢測到的測量線圈的感應(yīng)電壓的變化可以間接地反映導(dǎo)體的電導(dǎo)率分布，進(jìn)行圖像重構(gòu)。由理論分析可知，二次感應(yīng)磁通密度的實(shí)部由位移電流引起，與導(dǎo)體的介電常數(shù)有關(guān)，虛部由渦旋電流感生，與導(dǎo)體的電導(dǎo)率近似成線性關(guān)系。

電阻抗成像電磁阻抗成像（EMIT）

Levy等人提出了一種成像技術(shù)叫電磁阻抗成像（EMIT），既測量EIT的邊界電壓，又通過線圈記錄外部磁場。他們通過數(shù)值模擬得出結(jié)論，附加的一小部分磁場的測量可以減小EIT問題的條件數(shù)，即改善了問題的病態(tài)性。

電阻抗成像電場電阻率成像（EFT）

還有另外一種完全非接觸電阻抗成像方法——電場電阻率成像（EFT）[90]。這種成像方法采用與成像體非接觸的電極激勵(lì)交變電場，激勵(lì)電極在成像目標(biāo)體近表面產(chǎn)生感應(yīng)電荷，而在遠(yuǎn)離電極的一面產(chǎn)生相反電荷，使得測量電壓和激勵(lì)電壓之間的相移攜帶有成像目標(biāo)體電阻率特性信息，進(jìn)而可以建立相移與電阻率的對應(yīng)關(guān)系，據(jù)此重構(gòu)出成像體電阻率分布圖像。

電阻抗成像磁探測電阻抗成像（MDEIT）

磁探測電阻抗成像（MDEIT）通過貼在成像目標(biāo)體的成對電極，向成像目標(biāo)體注入一定頻率的交變電流，然后用某種形式的接收裝置，例如感應(yīng)線圈、超導(dǎo)量子干涉儀（SQUID）等，測量注入電流在成像目標(biāo)體外產(chǎn)生的磁場，根據(jù)表面磁場的反問題求解獲得產(chǎn)生磁場的電流分布，進(jìn)而從電流分布重構(gòu)出電導(dǎo)率分布圖像。

綜上所述，電阻抗成像（EIT）主要包括注入電流電阻抗成像方法（ACEIT），感應(yīng)電流電阻抗成像方法（ICEIT），磁共振電阻抗成像方法（MREIT）和電磁阻抗成像（EMIT），磁感應(yīng)成像方法（MIT），電場電阻率成像方法（EFT）和磁探測電阻抗成像（MDEIT）。它們的激勵(lì)方式和傳感接收方式各不相同，見表1。

表1 EIT各種方法的激勵(lì)和傳感方式的比較

空氣霧幕投影成像是一種全新的空氣成像設(shè)備。該設(shè)備是利用海市蜃樓的成像原理借助空氣中存在的微粒將光影圖像呈現(xiàn)。使用一層很薄的水霧墻代替?zhèn)鹘y(tǒng)的投影幕，使您能在該屏幕影像中隨意穿梭，達(dá)到真人可進(jìn)入視頻畫面的虛幻效果。使用霧化設(shè)備產(chǎn)生大量人工霧，結(jié)合空氣流動(dòng)學(xué)原理而制造出來的能產(chǎn)生形成平面霧氣的屏幕，再將投影設(shè)備投射在該屏幕上，便可以在空間中形成虛幻立體的影像，形成一種三位空間立體圖像，給人一種新的立體視覺享受，其影象給人的感受如同人行畫中，畫在人中，亦真亦幻，如置身仙境身處瑤池般。忽隱忽現(xiàn)，神秘誘人的特性開發(fā)一些令人稱奇的展示項(xiàng)目。在迷茫的霧屏上，放映如幻似真的神話故事。將帶給觀眾前所未有的視聽體驗(yàn)。