陶瓷電容器分類(lèi)

陶瓷電容器半導(dǎo)體陶瓷電容器

（1）表面層陶瓷電容器 電容器的微小型化，即電容器在盡可能小的體積內(nèi)獲得盡可能大的容量，這是電容器發(fā)展的趨向之一。對(duì)于分離電容器組件來(lái)說(shuō)，微小型化的基本途徑有兩個(gè)：①使介質(zhì)材料的介電常數(shù)盡可能提高；②使介質(zhì)層的厚度盡可能減薄。在陶瓷材料中，鐵電陶瓷的介電常數(shù)很高，但是用鐵電陶瓷制造普通鐵電陶瓷電容器時(shí)，陶瓷介質(zhì)很難做得很薄。首先是由于鐵電陶瓷的強(qiáng)度低，較薄時(shí)容易碎裂，難于進(jìn)行實(shí)際生產(chǎn)操作，其次，陶瓷介質(zhì)很薄時(shí)易于造成各種各樣的組織缺陷，生產(chǎn)工藝難度很大。

表面層陶瓷電容器是用BaTiO₃等半導(dǎo)體陶瓷的表面上形成的很薄的絕緣層作為介質(zhì)層，而半導(dǎo)體陶瓷本身可視為電介質(zhì)的串聯(lián)回路。表面層陶瓷電容器的絕緣性表面層厚度，視形成方式和條件不同，波動(dòng)于0.01～100μm之間。這樣既利用了鐵電陶瓷的很高的介電常數(shù)，又有效地減薄了介質(zhì)層厚度，是制備微小型陶瓷電容器一個(gè)行之有效的方案。

右圖（a）為表面層陶瓷電容器的一般結(jié)構(gòu)，（b）為其等效電路。在半導(dǎo)體陶瓷表面形成表面介質(zhì)層的方法很多，這里僅作簡(jiǎn)單介紹。在BaTiO₃導(dǎo)體陶瓷的兩個(gè)平行平面上燒滲銀電極，銀電極和半導(dǎo)體陶瓷的接觸介面就會(huì)形成極薄的阻擋層。由于Ag是一種電子逸出功較大的金屬，所以在電場(chǎng)作用下，BaTiO₃導(dǎo)體陶瓷與Ag電極的接觸介面上就會(huì)出現(xiàn)缺乏電子的阻擋層，而阻擋層本身存在著空間電荷極化，即介面極化。這樣半導(dǎo)體陶瓷與Ag電極之間的這種阻擋層就構(gòu)成了實(shí)際上的介質(zhì)層。

這種電容器瓷件，先在大氣氣氛中燒成，然后在還原氣氛中強(qiáng)制還原半導(dǎo)化，再在氧化氣氛中把表面層重新氧化成絕緣性的介質(zhì)層。再氧化層的厚度應(yīng)控制適當(dāng)。若氧化膜太薄，電極和陶瓷間仍可呈現(xiàn)pn結(jié)的整流特性，絕緣電阻和耐電強(qiáng)度都得不到改善。隨著厚度的逐漸增加，pn結(jié)的整流特性消失，絕緣電阻提高，對(duì)直流偏壓的依存性降低。但是，再氧化的時(shí)間不宜過(guò)長(zhǎng)，否則可能導(dǎo)致陶瓷內(nèi)部重新再氧化而使電容器的容量降低。還原處理的溫度為800～1200℃，再氧化處理的溫度為500～900℃。經(jīng)還原處理后的陶瓷材料，絕緣電阻率可降至10～10³Ω·cm，表面層的電阻率低于內(nèi)部瓷體的電阻率；薄瓷片的電阻率，一般比處理?xiàng)l件相同的較厚瓷體的電阻率低一些。由于再氧化處理形成的表面絕緣性介質(zhì)層的厚度比較薄，所以盡管其介電常數(shù)不一定很高，但是經(jīng)還原再氧化處理后，該表面層半導(dǎo)體陶瓷電容器的單位面積容量仍可達(dá)0.05～0.06μF/cm²。

（2）晶界層陶瓷電容器 晶粒發(fā)育比較充分的BaTiO₃半導(dǎo)體陶瓷的表面上，涂覆適當(dāng)?shù)慕饘傺趸铮ɡ鏑uO或Cu₂O、MnO₂、Bi₂O₃、Tl₂O₃等），在適當(dāng)溫度下，于氧化條件下進(jìn)行熱處理，涂覆的氧化物將與BaTiO₃形成低共溶液相，沿開(kāi)口氣孔和晶界迅速擴(kuò)散滲透到陶瓷內(nèi)部，在晶界上形成一層薄薄的固溶體絕緣層。這種薄薄的固溶體絕緣層的電阻率很高（可達(dá)10¹²～10¹³Ω·cm），盡管陶瓷的晶粒內(nèi)部仍為半導(dǎo)體，但是整個(gè)陶瓷體表現(xiàn)為顯介電常數(shù)高達(dá)2×10⁴到8×10⁴的絕緣體介質(zhì)。用這種瓷制備的電容器稱(chēng)為晶界層陶瓷電容器（boundarg layer ceramic capacitor），簡(jiǎn)稱(chēng)BL電容器。

陶瓷電容器高壓陶瓷電容器

（一）概述

隨著電子工業(yè)的高速發(fā)展，迫切要求開(kāi)發(fā)擊穿電壓高、損耗小、體積小、可靠性高的高壓陶瓷電容器。近20多年來(lái)，國(guó)內(nèi)外研制成功的高壓陶瓷電容器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)、激光電源、磁帶錄像機(jī)、彩電、電子顯微鏡、復(fù)印機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、宇航、導(dǎo)彈、航海等方面。

高壓陶瓷電容器的瓷料主要有鈦酸鋇基和鈦酸鍶基兩大類(lèi)。

鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數(shù)高、交流耐壓特性較好的優(yōu)點(diǎn)，但也有電容變化率隨介質(zhì)溫度升高、絕緣電阻下降等缺點(diǎn)。

鈦酸鍶晶體的居里溫度為-250℃，在常溫下為立方晶系鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，是順電體，不存在自發(fā)極化現(xiàn)象，在高電壓下鈦酸鍶基陶瓷材料的介電系數(shù)變化小，tgδ及電容變化率小，這些優(yōu)點(diǎn)使其作為高壓電容器介質(zhì)是十分有利的。

（二）制造工藝要點(diǎn)

（1）原料要精選

影響高壓陶瓷電容器質(zhì)量的因素，除瓷料組成外，優(yōu)化工藝制造、嚴(yán)格工藝條件是非常重要的。因此，對(duì)原料既要考慮成本又要注意純度，選擇工業(yè)純?cè)蠒r(shí)，必須注意原料的適用性。

（2）熔塊的制備

熔塊的制備質(zhì)量對(duì)瓷料的球磨細(xì)度和燒成有很大的影響，如熔塊合成溫度偏低，則合成不充分。對(duì)后續(xù)工藝不利。如合成料中殘存Ca² ，會(huì)阻礙軋膜工藝的進(jìn)行：如合成溫度偏高，使熔塊過(guò)硬，會(huì)影響球磨效率：研磨介質(zhì)的雜質(zhì)引入，會(huì)降低粉料活性，導(dǎo)致瓷件燒成溫度提高。

（3）成型工藝

成型時(shí)要防止厚度方向壓力不均，坯體閉口氣孔過(guò)多，若有較大氣孔或?qū)恿旬a(chǎn)生，會(huì)影響瓷體的抗電強(qiáng)度。

（4）燒成工藝

應(yīng)嚴(yán)格控制燒成制度，采取性能優(yōu)良的控溫設(shè)備及導(dǎo)熱性良好的窯具。

（5）包封

包封料的選擇、包封工藝的控制以及瓷件表面的清潔處理等對(duì)電容器的特性影響很大。岡此，必須選擇抗潮性好，與瓷體表面密切結(jié)合的、抗電強(qiáng)度高的包封料。目前，大多選擇環(huán)氧樹(shù)脂，少數(shù)產(chǎn)品也有選用酚醛脂進(jìn)行包封的。還有采取先絕緣漆涂覆，再用酚醛樹(shù)脂包封方法的，這對(duì)降低成本有一定意義。大規(guī)模生產(chǎn)線上多采用粉末包封技術(shù)。

為提高陶瓷電容器的擊穿電壓，在電極與介質(zhì)表面交界邊緣四周涂覆一層玻璃釉，可有效地提高電視機(jī)等高壓電路中使用的陶瓷電容器的耐壓和高溫負(fù)荷性能，如涂有一種硼硅酸鉛玻璃釉，可使該電容器在直流電場(chǎng)下的；蕾穿電壓提高1.4倍；在交流電場(chǎng)下的擊穿電壓提高1.3倍。

陶瓷電容器多層陶瓷電容器

多層陶瓷電容器（Multilayer Ceramic Capacitor，MLCC）是片式元件中應(yīng)用最廣泛的一類(lèi)，它是將內(nèi)電極材料與陶瓷坯體以多層交替并聯(lián)疊合，并共燒成一個(gè)整體，又稱(chēng)片式獨(dú)石電容器，具有小尺寸、高比容、高精度的特點(diǎn)，可貼裝于印制電路板（PCB）、混合集成電路（HIC）基片，有效地縮小電子信息終端產(chǎn)品（尤其是便攜式產(chǎn)品）的體積和重量，提高產(chǎn)品可靠性。順應(yīng)了IT產(chǎn)業(yè)小型化、輕量化、高性能、多功能的發(fā)展方向，國(guó)家2010年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要中明確提出將表面貼裝元器件等新型元器件作為電子工業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)。它不僅封裝簡(jiǎn)單、密封性好，而且能有效地隔離異性電極。MLCC在電子線路中可以起到存儲(chǔ)電荷、阻斷直流、濾波、禍合、區(qū)分不同頻率及使電路調(diào)諧等作用。在高頻開(kāi)關(guān)電源、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)電源和移動(dòng)通信設(shè)備中可部分取代有機(jī)薄膜電容器和電解電容器，并大大提高高頻開(kāi)關(guān)電源的濾波性能和抗干擾性能。

1．小型化

對(duì)于便攜式攝錄機(jī)、手機(jī)等袖珍型電子產(chǎn)品，需要更加小型化的MLCC產(chǎn)品。另一方面，由于精密印刷電極和疊層工藝的進(jìn)步，超小型MLCC產(chǎn)品也逐步面世和取得應(yīng)用。以日本矩形MLCC的發(fā)展為例，外形尺寸已經(jīng)從20世紀(jì)80年代前期的3216減小到現(xiàn)在的0603。國(guó)內(nèi)企業(yè)生產(chǎn)的MLCC主流產(chǎn)品是0603型，已突破了0402型MLCC大規(guī)模生產(chǎn)的技術(shù)難關(guān)。0201型MLCC已研制出樣品，產(chǎn)業(yè)化技術(shù)以及國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求均處于發(fā)育成熟階段，目前最小的020l型MLCC長(zhǎng)邊甚至不到500 μm。

2．低成本化——賤金屬內(nèi)電極MLCC

傳統(tǒng)的MLCC由于采用昂貴的鈀電極或鈀銀合金電極，其制造成本的70%被電極材料占去。包括高壓MLCC在內(nèi)的新一代MLCC，采用了便宜的賤金屬材料鎳、銅作電極，大大降低了MLCC的成本。但是賤金屬內(nèi)電極MLCC需要在較低的氧分壓下燒結(jié)以保證電極材料的導(dǎo)電性，而過(guò)低的氧分壓會(huì)帶來(lái)介質(zhì)瓷料的半導(dǎo)化傾向，不利于元件的絕緣性和可靠性。村田制作所先后開(kāi)發(fā)出幾種抗還原瓷料，在還原氣氛下燒結(jié)，制成的電容器的可靠性可與原先使用貴金屬電極的電容器相媲美，這類(lèi)電容器一面世便很快進(jìn)入市場(chǎng)。目前，賤金屬化的Y5V組別電容器的銷(xiāo)量已占該組別MLCC的一半左右，另外正在尋求擴(kuò)大賤金屬電極在其他組別電容器上的應(yīng)用。

我國(guó)在這方面也有顯著進(jìn)展。清華大學(xué)與元器件廠商合作用化學(xué)方法制備高純鈦酸鋇納米粉（20～100 nm），通過(guò)受主摻雜和雙稀土摻雜構(gòu)建“核一殼”結(jié)構(gòu)來(lái)提高材料高溫抗還原性和實(shí)現(xiàn)溫度穩(wěn)定特性，研制出一系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的溫度穩(wěn)定型高性能納米/亞微米晶抗還原鈦酸鋇瓷料，所研制的材料配方組成、制備方法具有獨(dú)創(chuàng)性，材料綜合性能居國(guó)際領(lǐng)先水平。其中高性能X7R（0302）賤金屬內(nèi)電極MLCC瓷料室溫相對(duì)介電常數(shù)高達(dá)3 000，陶瓷晶粒尺寸小于300 nm，容溫變化率小于±12%，介電損耗小于2.5×10^-2，絕緣電阻率約為1013 Ω·cm。MLCC擊穿場(chǎng)強(qiáng)大于70 MV/m。已制備出超薄層賤金屬內(nèi)電極MLCC產(chǎn)品，陶瓷介質(zhì)單層厚度約為3 μm。

3．大容量化、高頻化

一方面，伴隨半導(dǎo)體器件低壓驅(qū)動(dòng)和低功耗化，集成電路的工作電壓已由5 V降低到3 V和1.5 V；另一方面，電源小型化需要小型、大容量產(chǎn)品以替代體積大的鋁電解電容器。為了滿足這類(lèi)低壓大容量MLCC的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用，在材料方面，已開(kāi)發(fā)出相對(duì)介電常數(shù)比BaTiO3高1～2倍的弛豫類(lèi)高介材料。在開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品過(guò)程中，同時(shí)發(fā)展了三種關(guān)鍵技術(shù)，即制取超薄生片粉料分散技術(shù)、改善生片成膜技術(shù)和內(nèi)電極與陶瓷生片收縮率相匹配技術(shù)。最近日本的松下電子組件公司成功研制出電容量最大為100μF，最高耐壓為25 V的大容量MLCC，該產(chǎn)品可用于液晶顯示器（LCD）的電源線路。

通信產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展對(duì)元器件的頻率要求越來(lái)越高。美國(guó)Vishay公司推出的Cer—F系列MLCC的高頻特性可以與薄膜電容器相媲美，在高頻段的某些應(yīng)用中可以替代薄膜電容器。而我國(guó)高頻、超高頻MLCC產(chǎn)品與國(guó)外仍有一定的差距，主要原因是缺乏基礎(chǔ)原料及其配方的研發(fā)力度。隨著技術(shù)不斷更新，現(xiàn)已不斷涌現(xiàn)出了低失真率和沖擊噪聲小的產(chǎn)品、高頻寬溫長(zhǎng)壽命產(chǎn)品、高安全性產(chǎn)品以及高可靠低成本產(chǎn)品。

它的外形以片式居多，也有管形、圓形等形狀。

陶瓷電容器是以陶瓷材料為介質(zhì)的電容器的總稱(chēng)。其品種繁多，外形尺寸相差甚大。按

使用電壓可分為高壓，中壓和低壓陶瓷電容器。按溫度系數(shù)，介電常數(shù)不同可分為負(fù)溫度系數(shù)、正溫度系數(shù)、零溫度系數(shù)、高介電常數(shù)、低介電常數(shù)等。此外，還有I型、II型、III型的分類(lèi)方法。一般陶瓷電容器和其他電容器相比，具有使用溫度較高，比容量大，耐潮濕性好，介質(zhì)損耗較小，電容溫度系數(shù)可在大范圍內(nèi)選擇等優(yōu)點(diǎn)。廣泛用于電子電路中，用量十分可觀。

陶瓷材料具有優(yōu)越的電學(xué)、力學(xué)、熱學(xué)等性質(zhì)，可用作電容器介質(zhì)、電路基板及封裝材料等。

陶瓷電容器陶瓷材料的微觀結(jié)構(gòu)

陶瓷材料是由氧化物或其他化合物制成坯體后，在接近熔融的溫度下，經(jīng)高溫焙燒制得的材料。通常包括原料粉碎、漿料制備、坯件成型和高溫?zé)Y(jié)等重要過(guò)程。陶瓷是一個(gè)復(fù)雜的多晶多相系統(tǒng)，一般由結(jié)晶相、玻璃相、氣相及相界交織而成，這些相的特征、組成、相對(duì)含量及其分布情況，決定著整個(gè)陶瓷的基本性質(zhì)。

陶瓷中的晶相通常指那些大小不同、形狀不一、取向隨機(jī)的晶粒，晶粒的直徑通常為幾微米至幾十微米。晶相可以同屬一種化合物或一種晶系，也可以是不同化合物或不同晶系。陶聲中若存在兩種以上組成和結(jié)構(gòu)互不相同的晶粒時(shí)，則稱(chēng)其為多晶相陶瓷，其中相對(duì)含量最多產(chǎn)品相稱(chēng)為主晶相，其他的稱(chēng)為副品相。其中主晶相的性能基本上決定了材料的性能，如相對(duì)f電常數(shù)、電導(dǎo)率、損耗及熱膨脹系數(shù)等。所以，要獲得性能良好的陶瓷，就必須選擇適當(dāng)?shù)模壕?。此外，還應(yīng)考慮晶粒的大小、均勻程度、晶粒取向、晶界形成及雜質(zhì)分布等情況。

晶粒間界是指兩個(gè)晶粒之間的過(guò)渡區(qū)，在這個(gè)過(guò)渡區(qū)內(nèi)，品格結(jié)構(gòu)的完整性或化學(xué)成分與晶粒體內(nèi)有顯著的區(qū)別。在晶粒間界上通常聚集著大量的位錯(cuò)、熱缺陷與雜質(zhì)缺陷，因而對(duì)陶瓷材料的力學(xué)性能和電學(xué)性能有重大影響。

氣相一般分布于晶界、重結(jié)晶晶體內(nèi)和玻璃相中，它是陶瓷組織結(jié)構(gòu)中很難避免的一部分。其來(lái)源于燒成過(guò)程中各個(gè)晶粒之間不可能實(shí)現(xiàn)完全緊密的鑲嵌，玻璃相也不可能完全填充各個(gè)晶粒的空隙；也可能是由于坯料燒結(jié)時(shí)釋放出氣體而形成的氣孔。氣相會(huì)嚴(yán)重地影響陶瓷材料的電學(xué)性能、力學(xué)性能和熱學(xué)性能。一般希望陶瓷中氣相的含量越少越好。

陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)決定了材料的一系列力學(xué)性能和電學(xué)性能。一致的晶粒組成，微細(xì)晶粒的均勻分布及致密的燒結(jié)體，可使陶瓷的機(jī)械強(qiáng)度和介電性能達(dá)到預(yù)期的結(jié)果。

陶瓷電容器電容器瓷介的特點(diǎn)與分類(lèi)

陶瓷電容器（如圖所示）是在陶瓷基體兩面形成金屬層后焊接引線制成的，這些用作電容器的陶瓷材料被稱(chēng)為瓷介。

與其他電容器的介質(zhì)材料相比，介電陶瓷有如下特點(diǎn)：

①介電常數(shù)和介電常數(shù)的溫度系數(shù)及其機(jī)械性能和熱物理性能可調(diào)控，且介電常數(shù)也較大。

②有些介電陶瓷（強(qiáng)介瓷，主要為鐵電瓷）的介電常數(shù)能隨電場(chǎng)強(qiáng)度發(fā)生變化，可以用它制造非線性電容器，有時(shí)稱(chēng)為壓敏電容器。

③原料豐富，成本低，易于大量生產(chǎn)。

除表面層型和晶界層型瓷介外，瓷介最大的缺點(diǎn)是難以做得很薄，故使電容器的容量受到要大限制。此外，瓷介常含有氣隙，致使其抗電強(qiáng)度不高，一般不超過(guò)35kV/mm。

電容器瓷介有多種分類(lèi)方法。按用途可分為：1類(lèi)瓷，用于制造1類(lèi)（高頻）瓷介電容器；2類(lèi)瓷，用于制造2類(lèi)（鐵電）瓷介電容器；3類(lèi)瓷，用于制造3類(lèi)（半導(dǎo)體）瓷介電容器。其中相對(duì)介電常數(shù)較大（ε=12～600）的1類(lèi)瓷稱(chēng)為高介瓷；而把相對(duì)介電常數(shù)更高（ε=10³～10⁴）的2類(lèi)瓷稱(chēng)為強(qiáng)介瓷；而相對(duì)介電常數(shù)較低（ε<10.5）的3類(lèi)瓷稱(chēng)為低介瓷。高介瓷和低介瓷的tanδ很小，適合于制造高頻電路中的電容器，故稱(chēng)之為高頻瓷。由于強(qiáng)介瓷的tanδ大，只適合于制造低頻電路中應(yīng)用的電容器，因而又稱(chēng)之為低頻瓷。工程上一般采用混合分類(lèi)的方法，將電容器瓷分為高介瓷、強(qiáng)介瓷、獨(dú)石瓷和半導(dǎo)體晶界瓷。下面主要介紹幾種低介、高介瓷和強(qiáng)介瓷的性能特點(diǎn)。

陶瓷電容器低介瓷

滑石瓷是一種典型的低介瓷。滑石瓷是以天然滑石（3MgO·4SiO₂·H₂O）為主要原料制備而成的，故此取名滑石瓷。它的主晶相是原頑輝石，即偏硅酸鎂（MgO-SiO₂）?；傻呐浞街谐饕煞只猓瑸楦倪M(jìn)工藝條件及改善瓷料的性能，還引進(jìn)了一系列的添加物，如黏土、菱鎂礦、碳酸鋇等。

滑石瓷是一種低介結(jié)構(gòu)陶瓷，屬于硅酸鹽中的MgO—Al₂O₃一SiO₂系統(tǒng)?；傻奶攸c(diǎn)是介電常數(shù)很低，介質(zhì)損耗很小，工藝性能好，便于制造形狀復(fù)雜的零件。另外，它的礦源豐富，產(chǎn)品成本低，因此一直是應(yīng)用最廣的結(jié)構(gòu)陶瓷之一。

滑石瓷的介電常數(shù)雖然不高，但它具有高的絕緣強(qiáng)度，而且高頻下的介質(zhì)損耗角正切值很低，其tanδ值可低達(dá)（3.5～4）×10^-4，因而可用來(lái)制造各種小容量的高壓電容器、高壓大功率瓷介電容器?；蛇€具有較高的靜態(tài)抗彎強(qiáng)度、較小的線膨脹系數(shù)和較好的化學(xué)穩(wěn)定性?；蛇€可用于各種類(lèi)型的絕緣子、線圈骨架、高頻瓷軸、波段開(kāi)關(guān)、電子管座及電阻基體等。它可以用于制造絕大部分的結(jié)構(gòu)零件。

陶瓷電容器高介瓷與強(qiáng)介瓷

高介瓷的主要品種有金紅石瓷、鈦酸鈣瓷、鈦酸鎂系瓷、鈦酸鋯系瓷和鋯酸鹽瓷；強(qiáng)介瓷主要是以鈦酸鋇為主晶相的鈦酸鋇系瓷。

金紅石瓷又稱(chēng)二氧化鈦瓷，其主晶相為金紅石（TiO₂），屬四方（正方）晶系。這種瓷料的相對(duì)介電常數(shù)約為80～90，介電常數(shù)的溫度系數(shù)α_ε為-（750～850）×10^-6/℃，介質(zhì)損耗小，適合于制造高頻瓷介電容器。此外，這種瓷料的成型性能比其他高介電容器瓷好，因而也是制造大功率瓷介電容器的主要瓷料之一。

鈦酸鈣瓷以鈦酸鈣（CaTiO₃）為主晶相，屬鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)。這種瓷料的相對(duì)介電常數(shù)高，約140～150，介質(zhì)損耗小，約為（2～4）×10^-4，它是一種常用的電容器陶瓷，可用于制造對(duì)容量穩(wěn)定性要求不高的槽路電容器、高頻旁路電容器和耦合電容器，還可作為各種電容器瓷料的溫度系數(shù)調(diào)節(jié)劑。鈦酸鈣瓷的相對(duì)介電常數(shù)很高，但介電常數(shù)的溫度系數(shù)卻為很大的負(fù)值，可以制造出一種相對(duì)介電常數(shù)與鈦酸鈣相當(dāng)，而溫度系數(shù)卻和金紅石相當(dāng)?shù)拟佀徕}一鉍化合物一鈦酸鍶系瓷。

鈦酸鎂系瓷主要包括鈦酸鎂瓷、鈦酸鎂一鈦酸鈣系瓷、鈦酸鎂一鈦酸鑭一鈦酸鈣系瓷等。其中鈦酸鎂瓷主晶相為正鈦酸鎂（2MgO·TiO₂）。相對(duì)介電常數(shù)約16～18，α_ε=（30±10）×10^-6/℃，tanδ=（1～3）×10^-4，很適于制造熱穩(wěn)定性高的瓷介電容器。

鈦酸鋯系瓷的主晶相是鈦酸鋯（ZrTiO₃），這類(lèi)瓷具有良好的介電性能，介質(zhì)損耗小，在高溫下的介電性能及穩(wěn)定性優(yōu)于其他瓷介。

鋯酸鹽瓷的主要優(yōu)點(diǎn)是高溫介電性能比含鈦陶瓷高，含鈦的金紅石瓷、鈦酸鎂瓷等通常只能在85℃下工作。工作溫度太高且在直流電場(chǎng)作用下，含鈦陶瓷容易發(fā)生電化學(xué)老化，即絕緣電阻逐漸減小，介質(zhì)損耗逐漸增大，以致最后不能使用。鋯酸鹽瓷大部分能工作在155℃甚至更高溫度下，而很少發(fā)生電化學(xué)老化。在鋯酸鹽化合物中，適宜于制造高頻電容器的材料只有鋯酸鈣和鋯酸鍶兩種。

鈦酸鋇系瓷的相對(duì)介電常數(shù)很高（4 000～6 000），故又稱(chēng)強(qiáng)介瓷，這類(lèi)瓷主要是鐵電瓷。鐵電瓷的特點(diǎn)是相對(duì)介電常數(shù)隨外加電場(chǎng)強(qiáng)度的變化而改變，即具有非線性。根據(jù)非線性強(qiáng)弱?？煞譃閺?qiáng)非線性瓷和弱非線性瓷。弱非線性瓷主要用作電容器介質(zhì)，而制造電壓敏感電容器時(shí)，則采用強(qiáng)非線性瓷。介電陶瓷主要用于制造體積很小、容量上限較大和用于低頻電路的電容器。因此，對(duì)它的主要要求首先是相對(duì)介電常數(shù)大及其溫度穩(wěn)定性好，其次才是抗電強(qiáng)度高和介質(zhì)損耗角正切值小等。而一般規(guī)律是相對(duì)介電常數(shù)越大的強(qiáng)介瓷，其非線性越強(qiáng)，相對(duì)介電常數(shù)隨溫度的變化率也越大。

矩形片狀陶瓷電容器矩形電容命名方法有多種，常見(jiàn)的有：

（1）同內(nèi)矩形片狀陶瓷電容器矩形電容命名系列

代號(hào) 溫度特性容量 誤差耐壓包裝

CC3216 CH 151K 101WT

（2）美國(guó)Predsidio公司系列

代號(hào) 溫度特性 容量 誤差包裝

CCl206 NPO151JZT

與片狀電阻相同，以上代號(hào)中的字母表示矩形片狀陶瓷電容器，4位數(shù)字表示其長(zhǎng)、寬度，厚度略厚一點(diǎn)，一般為1～2mm。

與片狀電阻相似，容量的前兩位表示有效數(shù)，第3位表示有效數(shù)后零的個(gè)數(shù)，單位為pF。如151表示150pF、1p5表示1.5pF。

誤差部分字母含義：C為±0.25pF，D為±0.5pF，F(xiàn)為±1 pF，J為±5pF，K為±10pF，M為±20pF，I為-20%～81%。

民用直流高壓陶瓷電容器，主要應(yīng)用在機(jī)械設(shè)備檢測(cè)儀器中。如X-RAY，CT機(jī)，直流高壓發(fā)生器，主要做倍壓，分壓，耦合，載波等作用。直流高壓陶瓷電容器因使用場(chǎng)合不同，對(duì)電容器的選取亦不同。通常，Y5V，Y5U等低頻介質(zhì)陶瓷電容器只能應(yīng)用在1KHZ以內(nèi)的場(chǎng)合，主要是在工頻50HZ環(huán)境一應(yīng)用。Y5T，Y5P等II類(lèi)陶瓷電容器則可以在高頻(30KHZ~100KHZ)環(huán)境下應(yīng)用。N4700則可以應(yīng)用在550KHZ以上的高頻環(huán)境。材料等級(jí)越高，頻率范圍越高，比如說(shuō)NP0，N150，N750等，能在1GHZ以上應(yīng)用。

民用的直流高壓陶瓷電容器主要包括以下參數(shù)：

1.電壓等級(jí)；

2.容量等級(jí)；

3.溫度系數(shù)；

4.外觀尺寸；

5.頻率特性；

6.損耗因素；

7.絕緣電阻；

8.漏電流；

9.內(nèi)阻 。