中文名 | 微立體光刻設(shè)備主機(jī) | 產(chǎn)????地 | 日本 |
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學(xué)科領(lǐng)域 | 生物學(xué)、機(jī)械工程、化學(xué)工程 | 啟用日期 | 2006年03月13日 |
所屬類別 | 工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設(shè)備 > 電路板制造工藝實驗設(shè)備 |
微機(jī)械,微流體器件,生物支架等的制作。 2100433B
最小成型厚度2um;最大成型尺寸XZY各30mm;使用he-cd激光器,可選多種快速成型用樹脂。
使用中可能產(chǎn)生的問題及售后服務(wù)保證 (一).使用環(huán)境 雕刻機(jī)為高科技機(jī)電一體化設(shè)備,對工作環(huán)境有一定的要求。 1.避開強電、強磁等嚴(yán)重影響雕刻機(jī)信號傳輸?shù)脑O(shè)備。如:電焊機(jī)、發(fā)射塔等。 2.使用三芯電源...
蝕刻機(jī)可以分為化學(xué)蝕刻機(jī)及電解蝕刻機(jī)兩類。在化學(xué)蝕刻中是使用化學(xué)溶液,經(jīng)由化學(xué)反應(yīng)以達(dá)到蝕刻的目的,化學(xué)蝕刻機(jī)是將材料用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。光刻機(jī)(Mask Aligner)...
立式激光機(jī)和臥室激光機(jī)的區(qū)別:1、立式激光機(jī):激光管直接放置于工作臺面的上方,激光束不移動,而是工作臺面移動;立式激光機(jī)優(yōu)點:不使用反射鏡,避免激光的損耗和擦拭鏡片的問題,日常維護(hù)量小;立式激光機(jī)缺點...
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伴隨著國內(nèi)市場競爭的日趨激烈,常規(guī)的MPW(多項目晶圓)布局也不能滿足客戶的要求,同時也不能最大限度地降低設(shè)計公司的研發(fā)成本,也不利于國內(nèi)foundry廠市場的開拓。鑒于此,文章著重提出了利用光刻機(jī)擋板把光罩進(jìn)行區(qū)域劃分,在不增加流片和滿足客戶要求的前提下,使光罩得到最大限度的利用,降低了客戶的流片費用。通過在15cm片上流片驗證,更加突出了此優(yōu)化光罩布局的方法在研發(fā)成本和滿足客戶要求等方面的優(yōu)越性,因而這種布局對我國集成電路的發(fā)展和新產(chǎn)品的研發(fā)工作,特別是對國內(nèi)中小企業(yè)的成長提供了有力的支持,也為foundry廠贏得市場提供了重要的手段。
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評分: 4.8
襄陽國鐵機(jī)電股份有限公司技術(shù)規(guī)格書 立體倉儲設(shè)備 1.功能 (1)基本功能 自動化立體倉儲設(shè)備由貨架、有軌巷道堆垛起重機(jī)、出入庫水平輸送系 統(tǒng)、穿梭小車、鋼制托盤及計算機(jī)管理系統(tǒng)等組成。全套設(shè)備的功能基于物流 和信息流控制緊密結(jié)合——即在計算機(jī)控制軟件中設(shè)置一套對物流運動進(jìn)行動 態(tài)跟蹤的信息流系統(tǒng),實現(xiàn)貨物搬運及存取機(jī)械化、倉庫管理自動化,使材料 及配件的儲存、管理、周轉(zhuǎn)聯(lián)成一體,確立合理的儲存量,減少倉儲費用,建 立最佳的物流組織形式。 襄陽國鐵機(jī)電股份有限公司技術(shù)規(guī)格書 襄陽國鐵機(jī)電股份有限公司技術(shù)規(guī)格書 襄陽國鐵機(jī)電股份有限公司技術(shù)規(guī)格書 一 區(qū) 立 庫 二 區(qū) 立 庫 入出庫區(qū)域 規(guī)模: 6X44X7 貨位數(shù): 3696 規(guī)模: 6X10X7 貨位數(shù): 840 襄陽國鐵機(jī)電股份有限公司技術(shù)規(guī)格書 (2)主要功能 系統(tǒng)有應(yīng)有貨物均勻存放功能、柔性分區(qū)功能。 系統(tǒng)需提供動畫跟蹤
光刻圖形缺陷的來源主要有三種:一是材料帶來的,例如,光刻膠過期形成的懸浮顆粒;二是設(shè)備產(chǎn)生的,例如,旋涂時勻膠顯影機(jī)內(nèi)的顆粒掉在晶圓表面;三是不完善的工藝產(chǎn)生的,例如曝光條件偏離了最佳點,導(dǎo)致圖形質(zhì)量下降,出現(xiàn)圖形丟失(missing pattern)。
為了確保工藝中盡量少地出現(xiàn)缺陷,在光刻中一般分兩個部分來監(jiān)測。一是旋涂后光刻膠薄膜中顆粒的監(jiān)測,即所謂旋涂缺陷(coating defects)。二是曝光后圖形的缺陷檢測。
集成電路制造中利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法,將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上,形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個數(shù)量級(從毫米級到亞微米級),已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、X射線、微離子束、激光等新技術(shù);使用波長已從4000埃擴(kuò)展到0.1埃數(shù)量級范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。
常規(guī)光刻技術(shù)是采用波長為2000~4500埃的紫外光作為圖像信息載體,以光致抗蝕劑為中間(圖像記錄)媒介實現(xiàn)圖形的變換、轉(zhuǎn)移和處理,最終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質(zhì)層上的一種工藝(圖1)。在廣義上,它包括光復(fù)印和刻蝕工藝兩個主要方面。
在平面晶體管和集成電路的制造過程中,要進(jìn)行多次光刻。為此,必須制備一組具有特定幾何圖形的光刻掩模。制版的任務(wù)就是根據(jù)晶體管和集成電路參數(shù)所要求的幾何圖形,按照選定的方法,制備出生產(chǎn)上所要求的尺寸和精度的掩模圖案,并以一定的間距和布局,將圖案重復(fù)排列于掩?;?,進(jìn)而復(fù)制批量生產(chǎn)用版,供光刻工藝曝光之用。