中文名 | 自旋極化場(chǎng)效應(yīng)晶體管 | 外文名 | Spin-FET |
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別????名 | 自旋極化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 | 屬????性 | 半導(dǎo)體自旋電子器件 |
優(yōu)????點(diǎn) | 能量低,速度快 |
1.因?yàn)樽孕鼺ET是通過自旋的翻轉(zhuǎn)來控制電流的,所以這種工作方法所需要的能量很低,而且速度也很快(比普通FET通過驅(qū)趕[耗盡]電子的方法要快得多)。
2.這種自旋FET結(jié)構(gòu)促進(jìn)了自旋電子器件的半導(dǎo)體化,從而可利用先進(jìn)的微電子工藝技術(shù)、可融合自旋電子器件與光電子器件以及發(fā)展出新型的光學(xué)器件(如超快速開關(guān), 可編程的全自旋電子型微處理器);并且最終可望把邏輯、存儲(chǔ)和通信等功能融合在一塊芯片上, 成為新型的多功能電子器件。
3.發(fā)展半導(dǎo)體自旋電子器件可能是開發(fā)量子計(jì)算機(jī)等量子信息機(jī)器的切實(shí)可行的途徑,因?yàn)榱孔游皇窍喔莎B加狀態(tài), 自旋電子量子位(自旋向上和自旋向下的態(tài)的疊加狀態(tài))比起基于電子電荷的量子位, 在相干性(維持相干疊加狀態(tài)的能力)上可獲得較長的相干時(shí)間(由于自旋之間的作用力很弱, 而且是短程力),并且采用n-型半導(dǎo)體可排除空穴自旋的不良影響。
1.如何將自旋電流從鐵磁電極S高效率地注入半導(dǎo)體?——這可利用“磁性半導(dǎo)體”來實(shí)現(xiàn),這種半導(dǎo)體可通過較低電壓來控制它在非磁狀態(tài)和鐵磁狀態(tài)這兩種狀態(tài)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換(自旋開關(guān)),并且可用作為自旋過濾器(讓一種自旋狀態(tài)通過, 阻止另一種自旋狀態(tài)通過)。但是磁性半導(dǎo)體的制備尚不成熟。
2.半導(dǎo)體自旋電子器件對(duì)磁性半導(dǎo)體的基本要求是:電子的自旋極化狀態(tài)在穿越半導(dǎo)體或進(jìn)入另一種材料時(shí), 要能很好地保持不變, 即自旋極化喪失的速度要慢, 自旋電流的極化要能長時(shí)間維持——自旋相干時(shí)間要長。
自旋FET是1990年由Datta和A.Das提出來的。其基本結(jié)構(gòu)見圖示,參與導(dǎo)電的是InAlAs/InGaAs異質(zhì)結(jié)形成的高遷移率二維電子氣(2-DEG);鐵磁電極S和D具有相同的極化方向(即其中電子自旋的取向相同),以注入和收集自旋極化的電子;柵極電場(chǎng)使溝道中高速運(yùn)動(dòng)的電子的自旋發(fā)生進(jìn)動(dòng)或轉(zhuǎn)動(dòng),當(dāng)自旋變成反平行時(shí)即被D極排斥而不導(dǎo)電——D極排斥作用的強(qiáng)弱決定于自旋進(jìn)動(dòng)的程度,從而S-D電流受到柵電壓的控制。
首先根據(jù)你的需求決定選擇NPN還是PNP(建議盡量選用NPN,應(yīng)為同工藝的NPN管子要比PNP的相對(duì)便宜、性能相對(duì)優(yōu)越)然后根據(jù)你的電路環(huán)境決定管子耐壓Vds,過流Id,根據(jù)導(dǎo)通損耗需求選擇導(dǎo)通電阻R...
場(chǎng)效應(yīng)管不能代替功放管。 場(chǎng)效應(yīng)管是電壓驅(qū)動(dòng)型只要電壓達(dá)到就能工作,電流可以忽略不計(jì)。功放管是電流驅(qū)動(dòng)型必須電流才能驅(qū)動(dòng),兩者不可替代。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型(jun...
自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的電導(dǎo)特性與自旋軌道藕合強(qiáng)度、界面勢(shì)壘高度以及鐵磁源極與漏極的自旋極化率都有依賴關(guān)系。在考慮Dresselhaus效應(yīng)以后,通過研究表明,在界面勢(shì)壘稍高的自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管中電導(dǎo)表現(xiàn)出開關(guān)效應(yīng)。而且此開關(guān)效應(yīng)既不需要鐵磁源、漏極,也不需要自旋極化的注入.它在很大的程度上依賴于準(zhǔn)一維電子氣通道中的相干彈道型輸運(yùn)。實(shí)際上可以通過調(diào)節(jié)劈裂門電壓來改變Dresselhaus自旋軌道藕合強(qiáng)度從而可對(duì)自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行開和關(guān)操作。另一方面,在近似歐姆接觸的自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管中有主要起源于Rashba和Dresselhaus自旋進(jìn)動(dòng)的顯著的電導(dǎo)調(diào)制。這個(gè)工作已經(jīng)發(fā)表在美國的《應(yīng)用物理快報(bào)》上。如果在自旋場(chǎng)效應(yīng)管中加入磁場(chǎng),電導(dǎo)隨磁場(chǎng)的變化也表現(xiàn)出很好的磁開關(guān)效應(yīng)。研究還表明,自旋場(chǎng)效應(yīng)管的電導(dǎo)隨中間層半導(dǎo)體的厚度和兩邊鐵磁的磁化方向變化而呈現(xiàn)出明顯的量子振蕩效應(yīng),而且鐵磁和半導(dǎo)體價(jià)帶間的匹配性等對(duì)電導(dǎo)也有較大影響。
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管逆變式氬弧焊機(jī)的研制——為了滿足市場(chǎng)需要.研制了X7-160直流脈沖氬弧焊機(jī),并對(duì)誼焊機(jī)的電路組成廈工作原理進(jìn)行了介紹.對(duì)PWN脈寬調(diào)制技術(shù)做了較詳細(xì)的分析。實(shí)踐表明.誼焊機(jī)滿足設(shè)計(jì)要求,具有體積小、質(zhì)量輕、高垃節(jié)能等特點(diǎn),并具有良好的焊...
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隨著高速毫微秒脈沖技術(shù)的迅速發(fā)展,原有的電真空器件由于體積大、功耗大、壽命短、可靠性差等缺點(diǎn),已不能適應(yīng)當(dāng)前高速毫微秒脈沖技術(shù)發(fā)展的需要。整機(jī)單位迫切要求實(shí)現(xiàn)高壓高速脈沖源的固體化、小型化。這就推動(dòng)了高壓大電流高速半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展。經(jīng)過多年的努力,取得了很大進(jìn)展,并已成為當(dāng)前大功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的一個(gè)引人注目的研究方向。 目前大力推廣應(yīng)用的器件主要有垂直溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)管,而高壓垂直溝道結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開發(fā)研制則近幾年才開始。由于結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)管是一種耗盡型器件,極間電容小,器件的開關(guān)速度優(yōu)于MOS器件。在需要產(chǎn)生極窄寬度的高壓脈沖場(chǎng)合下,垂直溝道結(jié)柵高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管是理想的固體器件。其優(yōu)越的開關(guān)性能、溫度特性不是雙極型或MOS器件可以輕易取代的。
跟互斥鎖一樣,一個(gè)執(zhí)行單元要想訪問被自旋鎖保護(hù)的共享資源,必須先得到鎖,在訪問完共享資源后,必須釋放鎖。如果在獲取自旋鎖時(shí),沒有任何執(zhí)行單元保持該鎖,那么將立即得到鎖;如果在獲取自旋鎖時(shí)鎖已經(jīng)有保持者,那么獲取鎖操作將自旋在那里,直到該自旋鎖的保持者釋放了鎖。由此我們可以看出,自旋鎖是一種比較低級(jí)的保護(hù)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)或代碼片段的原始方式,這種鎖可能存在兩個(gè)問題:
死鎖。試圖遞歸地獲得自旋鎖必然會(huì)引起死鎖:遞歸程序的持有實(shí)例在第二個(gè)實(shí)例循環(huán),以試圖獲得相同自旋鎖時(shí),不會(huì)釋放此自旋鎖。在遞歸程序中使用自旋鎖應(yīng)遵守下列策略:遞歸程序決不能在持有自旋鎖時(shí)調(diào)用它自己,也決不能在遞歸調(diào)用時(shí)試圖獲得相同的自旋鎖。此外如果一個(gè)進(jìn)程已經(jīng)將資源鎖定,那么,即使其它申請(qǐng)這個(gè)資源的進(jìn)程不停地瘋狂“自旋”,也無法獲得資源,從而進(jìn)入死循環(huán)。
過多占用cpu資源。如果不加限制,由于申請(qǐng)者一直在循環(huán)等待,因此自旋鎖在鎖定的時(shí)候,如果不成功,不會(huì)睡眠,會(huì)持續(xù)的嘗試,單cpu的時(shí)候自旋鎖會(huì)讓其它process動(dòng)不了. 因此,一般自旋鎖實(shí)現(xiàn)會(huì)有一個(gè)參數(shù)限定最多持續(xù)嘗試次數(shù). 超出后, 自旋鎖放棄當(dāng)前time slice. 等下一次機(jī)會(huì)。
由此可見,自旋鎖比較適用于鎖使用者保持鎖時(shí)間比較短的情況。正是由于自旋鎖使用者一般保持鎖時(shí)間非常短,因此選擇自旋而不是睡眠是非常必要的,自旋鎖的效率遠(yuǎn)高于互斥鎖。信號(hào)量和讀寫信號(hào)量適合于保持時(shí)間較長的情況,它們會(huì)導(dǎo)致調(diào)用者睡眠,因此只能在進(jìn)程上下文使用,而自旋鎖適合于保持時(shí)間非常短的情況,它可以在任何上下文使用。如果被保護(hù)的共享資源只在進(jìn)程上下文訪問,使用信號(hào)量保護(hù)該共享資源非常合適,如果對(duì)共享資源的訪問時(shí)間非常短,自旋鎖也可以。但是如果被保護(hù)的共享資源需要在中斷上下文訪問(包括底半部即中斷處理句柄和頂半部即軟中斷),就必須使用自旋鎖。自旋鎖保持期間是搶占失效的,而信號(hào)量和讀寫信號(hào)量保持期間是可以被搶占的。自旋鎖只有在內(nèi)核可搶占或SMP(多處理器)的情況下才真正需要,在單CPU且不可搶占的內(nèi)核下,自旋鎖的所有操作都是空操作。
上面簡(jiǎn)要介紹了自旋鎖的基本原理,以下將給出具體的例子,進(jìn)一步闡釋自旋鎖在實(shí)際系統(tǒng)中的應(yīng)用。上面我們已經(jīng)講過自旋鎖只有在內(nèi)核可搶占或SMP(多處理器)的情況下才真正需要,下面我們就以SMP為例,來說明為什么要使用自旋鎖,以及自旋鎖實(shí)現(xiàn)的基本算法。
不同電介質(zhì)的極化程度是不一樣的。為了分析電介質(zhì)極化的宏觀效應(yīng),常引入極化強(qiáng)度P這一物理量來表征電介質(zhì)的極化特性。極化強(qiáng)度是一個(gè)矢量,定義單位體積內(nèi)電偶極子電矩的矢量和為極化強(qiáng)度。
事實(shí)上,自旋鎖的初衷就是:在短期間內(nèi)進(jìn)行輕量級(jí)的鎖定。一個(gè)被爭(zhēng)用的自旋鎖使得請(qǐng)求它的線程在等待鎖重新可用的期間進(jìn)行自旋(特別浪費(fèi)處理器時(shí)間),所以自旋鎖不應(yīng)該被持有時(shí)間過長。如果需要長時(shí)間鎖定的話, 最好使用信號(hào)量。
1自旋鎖實(shí)際上是忙等鎖
當(dāng)鎖不可用時(shí),CPU一直循環(huán)執(zhí)行“測(cè)試并設(shè)置”該鎖直到可用而取得該鎖,CPU在等待自旋鎖時(shí)不做任何有用的工作,僅僅是等待。因此,只有在占用鎖的時(shí)間極短的情況下,使用自旋鎖才是合理的。當(dāng)臨界區(qū)很大或有共享設(shè)備的時(shí)候,需要較長時(shí)間占用鎖,使用自旋鎖會(huì)降低系統(tǒng)的性能。
自旋鎖可能導(dǎo)致系統(tǒng)死鎖
引發(fā)這個(gè)問題最常見的情況是遞歸使用一個(gè)自旋鎖,即如果一個(gè)已經(jīng)擁有某個(gè)自旋鎖的CPU 想第二次獲得這個(gè)自旋鎖,則該CPU 將死鎖。此外,如果進(jìn)程獲得自旋鎖之后再阻塞,也有可能導(dǎo)致死鎖的發(fā)生。copy_from_user()、copy_to_user()和kmalloc()等函數(shù)都有可能引起阻塞,因此在自旋鎖的占用期間不能調(diào)用這些函數(shù)。代碼清單7.2 給出了自旋鎖的使用實(shí)例,它被用于實(shí)現(xiàn)使得設(shè)備只能被最多一個(gè)進(jìn)程打開。