5mm高隔離鰭線單刀雙擲開(kāi)關(guān)

東芝公司推出一種新的小型低斷面gaasmesfet、單刀雙擲開(kāi)關(guān)。這種小型開(kāi)關(guān)非常適用于多波段/多模蜂窩天線開(kāi)關(guān)組件、藍(lán)牙組件和無(wú)線局域網(wǎng)。上述gaasmesfetmmic1ghz下插損0.35db(2ghz下0.40db),1ghz和2ghz下隔離24db。其功率性能優(yōu)良,25ghz下1db壓縮功率(p1db)為17dbm,對(duì)于極小型低斷面封裝而言,上述功率性能是非常之好了。這種tg2217ctb型單刀雙擲開(kāi)關(guān)采用甚小低斷面無(wú)引線6針芯片級(jí)封

采用階躍阻抗傳輸線和扇形微帶短截線,實(shí)現(xiàn)了單刀雙擲開(kāi)關(guān)的直流偏置,使直流支路與毫米波支路之間的隔離度大于30db,帶寬超過(guò)25%,在中心頻率30ghz附近回波損耗大于40db。采用這種直流偏置電路和pin梁式引線二極管,基于ltcc工藝對(duì)單刀雙擲開(kāi)關(guān)串聯(lián)結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真。設(shè)計(jì)結(jié)果表明在28.5～31.5ghz頻率范圍內(nèi),串聯(lián)開(kāi)關(guān)的插入損耗小于1.5db,回波損耗大于15db,隔離度大于20db。

采用兩個(gè)pin二極管設(shè)計(jì)、仿真,制作了一個(gè)8～20ghz并聯(lián)結(jié)構(gòu)的高功率容量的單刀雙擲開(kāi)關(guān)。首先通過(guò)采用一個(gè)新的電路結(jié)構(gòu),該電路結(jié)構(gòu)除了傳統(tǒng)的并聯(lián)pin單刀雙擲開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)外,還有微帶線匹配電路部分,克服了并聯(lián)結(jié)構(gòu)單刀雙擲開(kāi)關(guān)難以實(shí)現(xiàn)大的帶寬的缺點(diǎn)。然后選擇合適的二極管,根據(jù)其參數(shù),建立開(kāi)路、短路等效電路模型;利用ansoftdesigner軟件對(duì)電路進(jìn)行了仿真和優(yōu)化。最后根據(jù)優(yōu)化結(jié)果制作并測(cè)試了單刀雙擲開(kāi)關(guān)。該單刀雙擲開(kāi)關(guān)插入損耗在頻率8～20ghz內(nèi)小于1.7db,在頻率8～15ghz內(nèi)小于1.5db;開(kāi)關(guān)隔離度在整個(gè)頻帶內(nèi)大于21db;在14ghz耐功率容量大于10w(cw)。

本文介紹了一種利用單驅(qū)動(dòng)電壓控制通路選擇的新型rfmems單刀雙擲開(kāi)關(guān),利用三維仿真軟件ansofthfss和ansys進(jìn)行仿真和優(yōu)化設(shè)計(jì)該開(kāi)關(guān)的性能。仿真結(jié)果表明:驅(qū)動(dòng)電壓為22v,開(kāi)關(guān)時(shí)間為22μs,在中心頻率30ghz處,開(kāi)關(guān)處于down狀態(tài)下的插入損耗為0.42db,回波損耗為43db,隔離度為29db;而當(dāng)開(kāi)關(guān)處于up狀態(tài)的插入損耗為0.53db,回波損耗為19db,隔離度為28db,該開(kāi)關(guān)的性能仿真和優(yōu)化設(shè)計(jì)達(dá)到理想情況。。

自動(dòng)增益控制電路(agc)是微波接收機(jī)中常用的一種電路。為了提高器件使用效率,優(yōu)化端口駐波匹配,可以使用單刀雙擲開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)agc電路。單刀雙擲開(kāi)關(guān)采用pin二極管制作,其插入損耗小、隔離度較高、并且端口駐波較好。該開(kāi)關(guān)采用串并聯(lián)電路方式,并利用ansoft公司的serenade軟件對(duì)其進(jìn)行仿真優(yōu)化,電路基板使用rogers的rt5880板材。經(jīng)過(guò)實(shí)際測(cè)試,該agc電路的工作頻率為9.5～10.5ghz,正常支路插損小于4db,帶內(nèi)平坦度0.5db,輸入輸出駐波比小于1.6。

西安電子科技大學(xué) 碩士學(xué)位論文 雙通道單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì) 姓名：黃麗芳 申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士 專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué) 指導(dǎo)教師：賈護(hù)軍 20090101 雙通道單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì) 作者：黃麗芳 學(xué)位授予單位：西安電子科技大學(xué) 本文鏈接：http://d.g.wanfangdata.com.cn/thesis_y1556615.aspx 下載時(shí)間：2010年4月14日

單刀雙擲（也稱單開(kāi)雙控）開(kāi)關(guān) 在照明電路中的應(yīng)用 江蘇省泗陽(yáng)縣李口中學(xué)沈正中 照明電路中的墻面板開(kāi)關(guān)，一般有單（一）開(kāi)單（一）控開(kāi)關(guān) （也稱單刀單擲開(kāi)關(guān)）、雙（兩）開(kāi)單（一）控開(kāi)關(guān)、三開(kāi)單（一） 控開(kāi)關(guān)、四開(kāi)單（一）控開(kāi)關(guān)、單（一）開(kāi)雙控開(kāi)關(guān)（也稱單刀 雙擲開(kāi)關(guān)）、雙（兩）開(kāi)雙（兩）控開(kāi)關(guān)、三開(kāi)雙（兩）控開(kāi)關(guān)、 四開(kāi)雙（兩）控開(kāi)關(guān)，這里的“單（一）開(kāi)、雙（兩）開(kāi)、三開(kāi)、 四開(kāi)”是指開(kāi)關(guān)的個(gè)數(shù)。 雙控開(kāi)關(guān)可以作單控開(kāi)關(guān)用，但單控開(kāi)關(guān)不能作雙控開(kāi)關(guān)用。 單開(kāi)雙控開(kāi)關(guān)接線原理圖如下： 單開(kāi)雙控實(shí)物接線圖如下： 下圖是單開(kāi)雙控開(kāi)關(guān)的實(shí)物圖 下圖是雙開(kāi)雙控開(kāi)關(guān)的實(shí)物： 注意，雙控開(kāi)關(guān)有3、6、9、12、,,個(gè)接線孔的，買開(kāi)關(guān)時(shí) 要看清楚。 一開(kāi)雙控開(kāi)關(guān)有四種接法，見(jiàn)下圖。 上圖中的四種接法雖然能達(dá)到控制燈的開(kāi)與關(guān)，但前兩種不太安 全，不建議使用這兩種方法。因?yàn)闊絷P(guān)掉后，燈的兩邊（有可能）

對(duì)單刀雙擲射頻同軸繼電器的工作原理和主要技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行了介紹,重點(diǎn)闡述了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、ttl電路控制系統(tǒng)、電磁系統(tǒng)及射頻傳輸切換系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法,對(duì)同類產(chǎn)品的設(shè)計(jì)具有一定的參考意義。

單刀雙擲（也稱單開(kāi)雙控）開(kāi)關(guān) 在照明電路中的應(yīng)用 江蘇省泗陽(yáng)縣李口中學(xué)沈正中 照明電路中的墻面板開(kāi)關(guān)，一般有單（一）開(kāi)單（一）控開(kāi)關(guān) （也稱

采用電磁場(chǎng)分析方法,研究在大功率工作條件下臺(tái)面結(jié)構(gòu)pin二極管管芯的工作模式,提取相應(yīng)的s參數(shù),以優(yōu)化并聯(lián)式開(kāi)關(guān)電路的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),分析開(kāi)關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)的電性能,以及大信號(hào)下的功率損耗,研制出了c波段大功率單刀四擲開(kāi)關(guān)。在5.1~5.7ghz頻帶內(nèi),測(cè)得開(kāi)關(guān)小信號(hào)插損小于0.67db、駐波比小于1.2、隔離度優(yōu)于55db、開(kāi)通時(shí)間優(yōu)于380ns、關(guān)斷時(shí)間優(yōu)于230ns;大信號(hào)插損小于1.1db、檢波延遲時(shí)間優(yōu)于118ns,設(shè)計(jì)指標(biāo)滿足了工程應(yīng)用的要求。

采用pin二極管工藝技術(shù),設(shè)計(jì)、制作了一種微波單端匹配式pin單刀單擲功率開(kāi)關(guān)芯片,并給出了詳細(xì)測(cè)試曲線。該開(kāi)關(guān)由四級(jí)pin二極管組成,采用單端匹配結(jié)構(gòu)。工作頻率8～10ghz,整個(gè)帶內(nèi)插入損耗小于0.7db,輸出端口駐波比小于1.4:1,輸入端口開(kāi)關(guān)態(tài)駐波比均小于1.4:1,在9ghz點(diǎn)頻下測(cè)得1db壓縮點(diǎn)輸入功率大于31dbm,芯片內(nèi)部集成偏置電路,采用+5v/-5v供電,在+5v工作條件下,電流20ma。該芯片面積為2.0mm×1.4mm。

采用gaaspin二極管,完成1~26.5ghz的單刀單擲開(kāi)關(guān)單片的設(shè)計(jì)、制作。spst開(kāi)關(guān)單片帶內(nèi)插損小于0.5db,駐波優(yōu)于1.1,隔離度大于27db,在10~26.5ghz,隔離度大于37db。開(kāi)關(guān)單片采用mocvd生長(zhǎng)的gaas縱向pin二極管材料結(jié)構(gòu),76mmgaas圓片工藝加工制作。

射頻開(kāi)關(guān)作為一個(gè)系統(tǒng)的重要組成部分其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的指標(biāo)和功能。其中插入損耗和隔離度以及開(kāi)關(guān)速度是射頻開(kāi)關(guān)最重要的幾個(gè)指標(biāo)。在實(shí)際測(cè)試中,s波段脈沖信號(hào)源需要產(chǎn)生快前沿的窄脈沖信號(hào)。在此基于上述需求,利用了射頻開(kāi)關(guān)模塊設(shè)計(jì)的基本原理,并結(jié)合了pcb上微帶線的特性阻抗分析,且設(shè)計(jì)了合適的開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路,最終設(shè)計(jì)出一種高隔離度,低插入損耗,高速射頻開(kāi)關(guān),開(kāi)關(guān)控制電壓為(0,-5v)。在頻率2～4ghz的條件下,插入損耗小于1.7db,隔離度大于48db,結(jié)果滿足設(shè)計(jì)要求。

單刀雙開(kāi)關(guān) 開(kāi)關(guān)中單刀雙擲與單刀單擲有什么區(qū)別？ 船形開(kāi)關(guān)分類:單刀單擲:1個(gè)動(dòng)觸點(diǎn)和1個(gè)靜觸點(diǎn)。只有1通道／— 單刀雙擲:1個(gè)動(dòng)觸點(diǎn)和2個(gè)靜觸點(diǎn)，—／—(可分別接通兩邊的靜觸 點(diǎn))雙刀單擲，2個(gè)動(dòng)觸點(diǎn)和2個(gè)靜觸點(diǎn)，有2個(gè)通道‖雙刀雙擲，2 個(gè)動(dòng)觸點(diǎn)和4個(gè)靜觸點(diǎn)，有4個(gè)通道〓(可分別接通兩邊的2個(gè)靜觸 點(diǎn)))參考:... 單刀雙擲開(kāi)關(guān)怎么接 首先要認(rèn)清單刀雙擲開(kāi)關(guān)的動(dòng)端和不動(dòng)端，動(dòng)端就是所謂的“刀”， 它應(yīng)該連接電源的進(jìn)線，也就是來(lái)電的一端，一般也是與開(kāi)關(guān)的手柄 相連的一端；另外的兩端就是電源輸出的兩端，也就是所謂的不動(dòng)端， 它們是與用電設(shè)備相連的。單刀雙擲開(kāi)關(guān)的作用，一是可以控制電源 向兩個(gè)不同的方向... 單刀雙擲開(kāi)關(guān)初中物理題 你問(wèn)對(duì)我啦。單刀開(kāi)關(guān)的兩端分別接r0和rx，r0,rx另兩端接在一 起把電流表接在干路，總開(kāi)關(guān)接在

雙刀雙擲開(kāi)關(guān) 1、概念。 雙刀雙擲開(kāi)關(guān)，雙刀顧名思義指的是可動(dòng)的導(dǎo)電刀閘片有兩片。兩片刀閘片 上接有電源；當(dāng)?shù)堕l片切到上端與靜刀口接通時(shí)則為其供電，此時(shí)下靜刀口 則無(wú)電。當(dāng)?shù)堕l片切到下端的靜刀口接通時(shí)則此路供電，此時(shí)上靜刀口則無(wú) 電，這種用法是一路電源為兩路用電線路不同時(shí)供電的用法。還有一種用法 就是刀閘片連接的是用電側(cè)的線路而上下靜刀口則分別接入兩路電源，通過(guò) 動(dòng)刀片與不同的靜刀口接通實(shí)現(xiàn)兩路電源為一條線路供電。 2、實(shí)物圖 3、有六個(gè)接線端，分別為1.2.3和4.5.6.其中2和4為公共端。 4、幾種電路圖 5、實(shí)際應(yīng)用電路

本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹了對(duì)某種舊設(shè)計(jì)的增強(qiáng)措施(參考資料1)。圖1中的電路使用常開(kāi)型單刀單擲按鈕開(kāi)關(guān)s1,它代替了原始設(shè)計(jì)要求的單刀雙擲開(kāi)關(guān)。您可以使用膜片開(kāi)關(guān)來(lái)大大簡(jiǎn)化該器件的工業(yè)設(shè)計(jì)并增強(qiáng)它的人機(jī)控制特性。另外,該電路消除了流過(guò)未動(dòng)作開(kāi)關(guān)的電流,由此略微減少了工作模式中的泄漏電流。

1 10米太陽(yáng)能路燈抗風(fēng)強(qiáng)度校核 一、計(jì)算依據(jù) 2 1．風(fēng)速v=120km/h(十二級(jí)風(fēng)) 2．基本風(fēng)壓w0= 3.整基桿風(fēng)振系數(shù)取 3．設(shè)計(jì)計(jì)算依據(jù)： ①、《建筑結(jié)構(gòu)荷載規(guī)范》gb50009-2001 ②、《建筑地基基礎(chǔ)設(shè)計(jì)規(guī)范》gb5007-2002 ③、《鋼結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范》gb50017-2003 ④、《高聳結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范》gbj135-90 二、設(shè)計(jì)條件 ⑴．基本數(shù)據(jù)：170w硅鐵模塊距地面高度10m，面積1.34m2,每塊重量 45kg,220w硅鐵模塊距地面高度7m，面積1.74m2,每塊重量30kg,燈桿截面 為圓形，燈桿上口徑直徑d為120mm，底部下口徑直徑d為260mm，厚度 δ=5mm。法蘭厚度為20mm,直徑500mm。材料為q235鋼，屈服強(qiáng)度為f屈 =240n/mm2，燈桿高度為10m，路燈含模塊

custommmic公司是單片微波集成電路開(kāi)發(fā)商,最近在其標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品序列中又添加了一種新的單刀雙擲開(kāi)關(guān)-cmd230。據(jù)稱,這是該公司單刀雙擲開(kāi)關(guān)中插入損耗最小的,為1.4db。cmd230是以芯片形式存在的通用寬帶高隔離反射的mmicspdt。帶寬涵蓋dc-26ghz,具有低的插入損耗(1.4db),輸入ip3為37dbm,13ghz時(shí)具

業(yè)界領(lǐng)先的射頻、微波及毫米波產(chǎn)品供應(yīng)商美國(guó)pasternack公司推出一系列適用于發(fā)射和接收信號(hào)路由應(yīng)用的單刀雙擲(spdt)高功率pin二極管射頻開(kāi)關(guān)新產(chǎn)品。這些產(chǎn)品的典型用途包括雷達(dá)系統(tǒng)、電子戰(zhàn)、基站基礎(chǔ)設(shè)施、中繼器、軍用/微波無(wú)線電、公共安全/陸地移動(dòng)無(wú)線電、uhf/vhf無(wú)線電以及測(cè)試測(cè)量。

isl54062是雙0．5ωspdt開(kāi)關(guān)，具有低導(dǎo)通電阻和低壓操作的特點(diǎn)，可處理信號(hào)輸入上的負(fù)電壓信號(hào)。其工作電壓為＋1．8v～＋6．5v，可傳送低于正電壓軌、最大擺幅達(dá)6．5v的信號(hào)。isl54062和該系列的其他產(chǎn)品，包括isl54063和isl54064，帶有intersil的“咔噠”聲消除電路。

本文將詳細(xì)介紹噴頭玻璃球3mm和5mm在建設(shè)工程領(lǐng)域的區(qū)別。通過(guò)以下問(wèn)題解答，您將了解它們的特點(diǎn)、用途以及適用場(chǎng)景。

as1747兼具0．4ω的超低通態(tài)電阻與小于0．03ω的通道間匹配，從而使通道間的信號(hào)差異降至最低。另外，as1747還具有0．25ω的導(dǎo)通電阻平坦度。綜合上述優(yōu)勢(shì)，該器件使總諧波失真（thd＋n）降至僅0．01％，可獲得優(yōu)異的音頻信號(hào)品質(zhì)。