中文名 | 單面紫外光刻機(jī) | 產(chǎn)????地 | 德國 |
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學(xué)科領(lǐng)域 | 信息科學(xué)與系統(tǒng)科學(xué)、物理學(xué)、材料科學(xué) | 啟用日期 | 2011年03月02日 |
所屬類別 | 工藝試驗(yàn)儀器 > 電子工藝實(shí)驗(yàn)設(shè)備 > 半導(dǎo)體集成電路工藝實(shí)驗(yàn)設(shè)備 |
采用掩膜對(duì)準(zhǔn)技術(shù),對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光,使受紫外光輻照的光刻膠發(fā)生改變,從而完成刻蝕。
3-5mm樣品臺(tái),20×物鏡,雙視場(chǎng)分離,分辨率0.8μm,套外精度優(yōu)于±0.5μm,365nm波長(zhǎng)不低于40mW/cm2,光強(qiáng)度均勻度,100mm,直徑內(nèi)優(yōu)于±3%。
蝕刻機(jī)可以分為化學(xué)蝕刻機(jī)及電解蝕刻機(jī)兩類。在化學(xué)蝕刻中是使用化學(xué)溶液,經(jīng)由化學(xué)反應(yīng)以達(dá)到蝕刻的目的,化學(xué)蝕刻機(jī)是將材料用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。光刻機(jī)(Mask Aligner)...
使用中可能產(chǎn)生的問題及售后服務(wù)保證 (一).使用環(huán)境 雕刻機(jī)為高科技機(jī)電一體化設(shè)備,對(duì)工作環(huán)境有一定的要求。 1.避開強(qiáng)電、強(qiáng)磁等嚴(yán)重影響雕刻機(jī)信號(hào)傳輸?shù)脑O(shè)備。如:電焊機(jī)、發(fā)射塔等。 2.使用三芯電源...
光刻機(jī)是晶圓廠的生產(chǎn)設(shè)備
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評(píng)分: 4.4
伴隨著國內(nèi)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的日趨激烈,常規(guī)的MPW(多項(xiàng)目晶圓)布局也不能滿足客戶的要求,同時(shí)也不能最大限度地降低設(shè)計(jì)公司的研發(fā)成本,也不利于國內(nèi)foundry廠市場(chǎng)的開拓。鑒于此,文章著重提出了利用光刻機(jī)擋板把光罩進(jìn)行區(qū)域劃分,在不增加流片和滿足客戶要求的前提下,使光罩得到最大限度的利用,降低了客戶的流片費(fèi)用。通過在15cm片上流片驗(yàn)證,更加突出了此優(yōu)化光罩布局的方法在研發(fā)成本和滿足客戶要求等方面的優(yōu)越性,因而這種布局對(duì)我國集成電路的發(fā)展和新產(chǎn)品的研發(fā)工作,特別是對(duì)國內(nèi)中小企業(yè)的成長(zhǎng)提供了有力的支持,也為foundry廠贏得市場(chǎng)提供了重要的手段。
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介紹紫外光刻法制作微納光纖布喇格光柵(MF-BG)的制作工藝,測(cè)量并分析不同直徑的微納光纖布喇格光柵的反射譜。數(shù)據(jù)表明隨著微納光纖的直徑變小,光纖光柵的中心波長(zhǎng)藍(lán)移且反射強(qiáng)度也隨之減小。仿真計(jì)算微納光纖的有效折射率和光纖纖芯的束縛能力(即基模分布在纖芯的能量與基模全部能量的比值),來解釋上述變化。
曝光系統(tǒng)最核心的部件之一是紫外光源。
常見光源分為:
可見光:g線:436nm
紫外光(UV),i線:365nm
深紫外光(DUV),KrF 準(zhǔn)分子激光:248 nm, ArF 準(zhǔn)分子激光:193 nm
極紫外光(EUV),10 ~ 15 nm
對(duì)光源系統(tǒng)的要求
a.有適當(dāng)?shù)牟ㄩL(zhǎng)。波長(zhǎng)越短,可曝光的特征尺寸就越小;[波長(zhǎng)越短,就表示光刻的刀鋒越鋒利,刻蝕對(duì)于精度控制要求越高,因?yàn)檠苌洮F(xiàn)象會(huì)更嚴(yán)重。]
b.有足夠的能量。能量越大,曝光時(shí)間就越短;
c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區(qū)。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]
常用的紫外光光源是高壓弧光燈(高壓汞燈),高壓汞燈有許多尖銳的光譜線,經(jīng)過濾光后使用其中的g 線(436 nm)或i 線(365 nm)。
對(duì)于波長(zhǎng)更短的深紫外光光源,可以使用準(zhǔn)分子激光。例如KrF 準(zhǔn)分子激光(248 nm)、ArF 準(zhǔn)分子激光(193 nm)和F2準(zhǔn)分子激光(157 nm)等。
曝光系統(tǒng)的功能主要有:平滑衍射效應(yīng)、實(shí)現(xiàn)均勻照明、濾光和冷光處理、實(shí)現(xiàn)強(qiáng)光照明和光強(qiáng)調(diào)節(jié)等。
光刻機(jī)一般根據(jù)操作的簡(jiǎn)便性分為三種,手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)
A 手動(dòng):指的是對(duì)準(zhǔn)的調(diào)節(jié)方式,是通過手調(diào)旋鈕改變它的X軸,Y軸和thita角度來完成對(duì)準(zhǔn),對(duì)準(zhǔn)精度可想而知不高了;
B 半自動(dòng):指的是對(duì)準(zhǔn)可以通過電動(dòng)軸根據(jù)CCD的進(jìn)行定位調(diào)諧;
C 自動(dòng): 指的是 從基板的上載下載,曝光時(shí)長(zhǎng)和循環(huán)都是通過程序控制,自動(dòng)光刻機(jī)主要是滿足工廠對(duì)于處理量的需要。
光刻機(jī)的主要性能指標(biāo)有:支持基片的尺寸范圍,分辨率、對(duì)準(zhǔn)精度、曝光方式、光源波長(zhǎng)、光強(qiáng)均勻性、生產(chǎn)效率等。
分辨率是對(duì)光刻工藝加工可以達(dá)到的最細(xì)線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。
對(duì)準(zhǔn)精度是在多層曝光時(shí)層間圖案的定位精度。
曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。
曝光光源波長(zhǎng)分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域,光源有汞燈,準(zhǔn)分子激光器等。