中文名 | 國(guó)際紫外探測(cè)器 | 外文名 | InternationalUltravioletExplorer |
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簡(jiǎn)????稱 | IUE | 用????途 | 紫外光譜觀測(cè) |
第一次發(fā)射的國(guó)際紫外探測(cè)器,長(zhǎng)度4.2m,重量為700kg。它的工作波長(zhǎng)為115~320nm。對(duì)紫外的天文研究發(fā)揮很大的作用。以后的衛(wèi)星還有法國(guó)、蘇聯(lián)合作的ASTRON。它的工作波長(zhǎng)為150~350nm。Astro一1衛(wèi)星發(fā)射十1990年,上面有一臺(tái)0.5m的望遠(yuǎn)鏡。
ICE越過(guò)賈科比尼一津納彗星時(shí),穿越了四個(gè)互不相同的區(qū)域。國(guó)際紫外探測(cè)器穿過(guò)第四個(gè)區(qū)域——該彗星的離子尾,離彗核約16,000公里(10,000英里)。國(guó)際紫外探測(cè)器觀測(cè)到,該區(qū)域是來(lái)自該彗星的一個(gè)較冷的電離氣體區(qū),它為一個(gè)磁場(chǎng)所圍繞??茖W(xué)家們相信,隨著太陽(yáng)風(fēng)中的磁場(chǎng)在彗星周圍集積起來(lái),便會(huì)形成一條磁尾,它包圍著該彗星的離子尾。
1946年10月,隨著美國(guó)發(fā)射的一枚高空火箭,人類首次獲得了太陽(yáng)紫外光譜。自此之后,世界上有不少國(guó)家利用高空火箭,對(duì)來(lái)自天空的紫外線進(jìn)行探索。50年代末,火箭記錄到天空背景的紫外光譜。70年代是紫外空間觀測(cè)進(jìn)展最快的10年,從“軌道天文臺(tái)”3號(hào),“荷蘭天文衛(wèi)星’’到技術(shù)先進(jìn)的“國(guó)際紫外探測(cè)器”連接上天,獲得了大量紫外信息。
1978年發(fā)射上天的“國(guó)際紫外探測(cè)器”(簡(jiǎn)稱IUE),是第一個(gè)國(guó)際性的空間天文臺(tái),由美國(guó)、英國(guó)和歐洲空間局三方運(yùn)營(yíng)。其口徑雖然只有45厘米,卻標(biāo)志著紫外天文學(xué)已趨成熟,并日漸取得可觀的成果。
附圖,按煙感探測(cè)器,修改主材就可以
對(duì)濃度的檢測(cè)要求不同 。
感煙式火災(zāi)探測(cè)器分為點(diǎn)型與線型,點(diǎn)型分為離子型感煙和光電型感煙,線型分為激光感煙分離式紅外光束感煙。 它是對(duì)警戒范圍內(nèi)某一線狀窄條周圍煙氣參數(shù)響應(yīng)的火災(zāi)探測(cè)器。它同前面兩種點(diǎn)型感煙探測(cè)器的主要區(qū)別在于...
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研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN/n-GaN)結(jié)構(gòu)紫外探測(cè)器的漏電機(jī)理.實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),在位錯(cuò)密度幾乎相同的情況下,基于表面有較高密度的V形坑缺陷材料制備的器件表現(xiàn)出較高的反向漏電.進(jìn)一步的SEM測(cè)試發(fā)現(xiàn),這種V形坑穿透到有源區(qū)i-GaN、甚至n-GaN層.在制備p-AlGaN電極時(shí),許多金屬會(huì)落在V形坑中,從而與i-GaN形成了肖特基接觸,有些甚至直接和n-GaN形成歐姆接觸.正是由于并聯(lián)的肖特基接觸和歐姆接觸的存在導(dǎo)致了漏電的增加.
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制備了薄p型層GaN基p-i-n型紫外探測(cè)器,并對(duì)其反向漏電特性進(jìn)行了研究。探測(cè)器材料采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方法在藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)獲得,p-GaN的厚度為30nm?;谠摬牧现谱髁司哂泄裁骐姌O的探測(cè)器器件,并采用SiO2對(duì)刻蝕側(cè)壁進(jìn)行了鈍化。測(cè)試結(jié)果表明,結(jié)面積為1.825×10-4cm2的器件在-1V時(shí)的反向漏電流面密度為3.0×10-9 A/cm2,優(yōu)質(zhì)因子達(dá)到3.7×109Ω.cm2。
紫外探測(cè)器材料是對(duì)紫外光敏感的材料。主要采用氮化鎵系列、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料。
一、光電真空探測(cè)器,如光電倍增管、像增強(qiáng)器和EBCCD等;
二、光電導(dǎo)探測(cè)器,如GaN基和AlGaN基電光導(dǎo)探測(cè)器等;
三、光伏探測(cè)器,如Si,SiC,GaN P-N結(jié)和肖特基勢(shì)壘光伏探測(cè)器以及CCD。
紫外線探測(cè)器對(duì)紫外輻射具有高響應(yīng)。其中,日盲紫外探測(cè)器的光譜響應(yīng)區(qū)集中在中紫外(波長(zhǎng)小于290nm),而對(duì)紫外區(qū)以外的可見(jiàn)光及紅外輻射響應(yīng)較低;光盲紫外探測(cè)器長(zhǎng)波響應(yīng)限在紫外與可見(jiàn)光交界處。
半導(dǎo)體SiC的禁帶寬度為3.25eV,具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等優(yōu)點(diǎn),特別是該器件的反向漏電流低。SiC紫外探測(cè)器只對(duì)波長(zhǎng)400nm一下的輻射選擇性接收,其紫外輻射的接收與硅探測(cè)器相比,要大兩個(gè)數(shù)量級(jí),并且不需要表面加工處理,可保持長(zhǎng)期的穩(wěn)定性。另外,靈敏度和暗電流在使用溫度條件下幾乎不受溫度變化的影響,可在700K的高溫下使用 。
隨著體單晶及其同質(zhì)外延SiC材料性能的不斷提高,可在不同的沉積條件下用直流濺射法在玻璃底襯的SiC襯底上沉積ITO:TIO和Ni膜,并可由此制成SiC金屬-半導(dǎo)體-金屬紫外輻射探測(cè)器。