1. 反應(yīng)腔室本底真空: < 1 x 10-6 mbar (1x 10-4 Pa),抽真空2小時(shí)后 2. 反應(yīng)腔室漏率: < 5 x 10-4 mbar?l/s 3. 預(yù)真空室本底真空: < 1 x 10-1 mbar (10 Pa) 4. 預(yù)真空室漏率: < 5 x 10-4 mbar?l/s 5. 樣片操作: 不同設(shè)置:樣片進(jìn)/出 6. 氣路系統(tǒng): 測(cè)試所有質(zhì)量流量計(jì)(設(shè)定值10%, 50%, 90%) 7. 壓力控制: 壓力計(jì)/控制閥,不同壓力 8. 下電極溫度控制: 不同設(shè)置,-30oC~ 200oC(帶循環(huán)冷卻器Chiller)或RT~ 250oC(外接冷卻水) 9. 等離子體測(cè)試: 不同設(shè)置(Ar或N2) 10. 反射功率: ≤ 1%,ICP功率 ≥ 500 W≤ 5 W,ICP功率 < 500 W 11. 其他: 安全互鎖、運(yùn)行工藝處方(Recipe)等 12. SiC刻蝕工藝 Cr掩膜 刻蝕深度:≥ 2 μm 刻蝕速率:≥ 400 nm/min 選擇比:≥ 40:1 (SiC: Cr) 片上不均勻性:在50 mm范圍內(nèi) ≤。
主要功能:等離子刻蝕是利用高頻輝光放電效應(yīng),使反應(yīng)氣體激活成活性粒子,如原子或游離基,這些活性粒子擴(kuò)散到需刻蝕部位,與被刻蝕材料進(jìn)行反應(yīng),形成揮發(fā)性反應(yīng)物而被去除。其優(yōu)勢(shì)在于快速的刻蝕速率同時(shí)可獲得良好的物理形貌。
1、鋼筋55-60kg/m2左右,混凝土0.4m3/m2左右;2、50kg/m2左右,混凝土0.6m3/m2左右3、鋼筋55-60kg/m2左右,混凝土0.55m3/m2左右4、鋼筋120kg/m2左...
套完價(jià),在工程設(shè)置中輸入相應(yīng)的建筑面積,這樣才會(huì)相應(yīng)的指標(biāo)。
這種情況只有看實(shí)際工程圖紙后,實(shí)際計(jì)算后才能有說(shuō)服力的,常規(guī)地下室應(yīng)該多些,又不是絕對(duì),只有自己算嘍,要不就是提供的技術(shù)指標(biāo)有誤
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干法刻蝕工藝總結(jié) 離子束刻蝕機(jī)( IBE-150A) 背景 : 利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子, 氬離子經(jīng)過(guò)陽(yáng)極電場(chǎng)的加速對(duì)樣品表面 進(jìn)行物理轟擊, 以達(dá)到刻蝕的作用。 把 Ar、Kr 或 Xe之類惰性氣體充入離子源放 電室并使其電離形成等離子體, 然后由柵極將離子呈束狀引出并加速, 具有一定 能量的離子束進(jìn)入工作室, 射向固體表面撞擊固體表面原子, 使材料原子發(fā)生濺 射,達(dá)到刻蝕目的,屬純物理過(guò)程。 技術(shù)指標(biāo): 裝片:一片六英寸襯底、或 1片四英寸,向下兼容。 抽氣速度: 30min由 ATM 到 1.0×10-3Pa 極限真空度: 2×10-4Pa 離子能量: 300eV-400eV ICP 刻蝕機(jī)( OXFORD ICP 180) 背景 : 通入反應(yīng)氣體使用電感耦合等離子體輝光放電將其分解, 產(chǎn)生的具有強(qiáng)化學(xué)活性 的等離子體在電場(chǎng)的加速作用下移動(dòng)到樣品表面, 對(duì)樣品表面既進(jìn)行化學(xué)
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第二章干法刻蝕的介紹 2. 1刻蝕、干法刻蝕和濕法腐蝕 2. 1 .1關(guān)于刻蝕 刻蝕,是指用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程。 刻蝕的基 本目的,是在涂膠 (或有掩膜 )的硅片上正確的復(fù)制出掩膜圖形 [1]。 刻蝕,通常是在光刻工藝之后進(jìn)行。 我們通常通過(guò)刻蝕, 在光刻工藝之后,將想要的圖 形留在硅片上。從這一角度而言,刻蝕可以被稱之為最終的和最主要的圖形轉(zhuǎn)移工藝步驟。 在通常的刻蝕過(guò)程中,有圖形的光刻膠層〔或掩膜層 )將不受到腐蝕源顯著的侵蝕或刻蝕, 可作為掩蔽膜, 保護(hù)硅片上的部分特殊區(qū)域, 而未被光刻膠保護(hù)的區(qū)域, 則被選擇性的刻蝕 掉。 2.1.2 干法刻蝕與濕法刻蝕 在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝:干法刻蝕和濕法腐蝕。 干法刻蝕, 是利用氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體, 通過(guò)經(jīng)光刻而開(kāi)出的掩蔽層窗口, 與暴露于 等離子體中的硅片行物理和化學(xué)反應(yīng),刻蝕掉硅片上暴露的
ICP干法刻蝕系統(tǒng)。 2100433B
ICP年檢
目錄ICP年檢的定義ICP辦理展開(kāi)ICP年檢的定義ICP辦理展開(kāi)
編輯本段ICP年檢的定義
根據(jù)《中華人民共和國(guó)電信條例》、《電信業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)許可證管理辦法》、《電信設(shè)備進(jìn)網(wǎng)管理辦法》的有關(guān)規(guī)定,已取得各省地區(qū)直轄市電信增值業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)許可證的經(jīng)營(yíng)單位,對(duì)取得信息產(chǎn)業(yè)部頒發(fā)的跨地區(qū)電信業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)單位的各地區(qū)分支機(jī)構(gòu)以及獲得電信設(shè)備進(jìn)網(wǎng)許可證生產(chǎn)企業(yè)和持證單位在每年的規(guī)定時(shí)間內(nèi)進(jìn)行再次備案。
以2010年ICP年檢為例
(一)2009年9月30日以前獲得各省市自治區(qū)直轄市通信管理局頒發(fā)的增值電信業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)許可證的經(jīng)營(yíng)單位須參加年檢?!?/p>
(二)2009年9月30日以前獲得信息產(chǎn)業(yè)部頒發(fā)的跨省經(jīng)營(yíng)增值電信業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)許可證并在北京市通信管理局辦理了備案核準(zhǔn)手續(xù)的經(jīng)營(yíng)單位須參加年度檢查。
參加年檢單位需報(bào)送的材料(請(qǐng)一律使用A4紙打印,持多個(gè)業(yè)務(wù)許可的單位請(qǐng)備齊材料一次報(bào)送)?!?/p>
(一)報(bào)送增值電信業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)許可證年檢報(bào)告\業(yè)務(wù)年檢報(bào)表(網(wǎng)上下載,用計(jì)算機(jī)填寫法人簽字并加蓋公章)
(二)增值電信業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)許可證原件(參加過(guò)年檢的單位需持年檢合格通知書。)
(三)工商營(yíng)業(yè)執(zhí)照副本復(fù)印件
(四)公司2009年度財(cái)務(wù)會(huì)計(jì)報(bào)告(損益表、現(xiàn)金流量表、資產(chǎn)負(fù)債表)
(五)公司經(jīng)營(yíng)報(bào)告:內(nèi)容包括
2008年公司電信業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)情況整體回顧
2008年公司新增電信業(yè)務(wù)或欄目、對(duì)電信市場(chǎng)環(huán)境的情況分析
2009年公司業(yè)務(wù)發(fā)展規(guī)劃。
(六)2009年度電信業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)許可證年檢調(diào)查問(wèn)卷。
凡未參加年檢或年度檢查的,將視為自動(dòng)放棄并將按有關(guān)規(guī)定對(duì)所發(fā)許可和備案進(jìn)行注銷處理。
年檢時(shí)間:年檢工作將從2010年3月1日開(kāi)始到2010年3月31日止。
1*10-6pa。