靜電夾基本信息

中文名稱 靜電夾 用于 醫(yī)藥、試劑、油漆、涂料
特點 全程、可靠、便捷 定義 導出上述器械上靜電的專用工具

用以防靜電的接地夾需遵循如下標準: GB3836.1-2000 GB3836.4-2000

靜電夾造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
（除稅）		 工程建議價
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應商 報價日期
彩電 42寸 查看價格 查看價格

海爾

 臺 13% 深圳市首舟科技有限公司
電鈴 功率(W):15;品種:普通型電鈴;防護等級:IP54;額定電壓(V):220 查看價格 查看價格

正泰

 個 13% 廣州市正泰電氣有限公司
電鈴 功率(W):15;品種:普通型電鈴;防護等級:IP54;額定電壓(V):220 查看價格 查看價格

正泰

 個 13% 江西省士林電氣實業(yè)有限公司
電鈴 功率(W):15;品種:普通型電鈴;防護等級:IP54;額定電壓(V):220 查看價格 查看價格

正泰

 個 13% 正泰電氣宣城總經(jīng)銷
電解板 1.2*1219*C SECCN 查看價格 查看價格

邯鄲原廠

 t 13% 佛山市順德區(qū)盈通貿(mào)易有限公司
電解板 0.8*1219*C SECCN 查看價格 查看價格

邯鄲原廠

 t 13% 佛山市順德區(qū)盈通貿(mào)易有限公司
電解板 0.9*1219*C SECC 查看價格 查看價格

邯鄲原廠

 t 13% 佛山市順德區(qū)盈通貿(mào)易有限公司
電解板 0.6*1219*C SECC 查看價格 查看價格

邯鄲原廠

 t 13% 佛山市順德區(qū)盈通貿(mào)易有限公司
材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
信息價		 含稅
信息價		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
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kW·h 梅州市大埔縣2022年2季度信息價
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kW·h 梅州市大埔縣2022年1季度信息價
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kW·h 梅州市大埔縣2021年3季度信息價
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kW·h 梅州市大埔縣2021年1季度信息價
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kW·h 梅州市大埔縣2020年3季度信息價
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kW·h 梅州市大埔縣2019年2季度信息價
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kW·h 梅州市大埔縣2021年4季度信息價
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kW·h 梅州市大埔縣2020年2季度信息價
材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
（元）		 供應商 報價地區(qū) 最新報價時間
靜電接地夾 UPSC-02|2件 1 查看價格 上海高創(chuàng)電腦技術工程公司 全國   2018-04-13
靜電接地夾 SC-02|2個 3 查看價格 天津明利順達商貿(mào)有限公司 全國   2017-11-23
防靜電涂層 1.防靜電涂層|893.0497m2 3 查看價格 四川歷燃科技有限公司 四川  成都市 2021-08-26
銅夾 接地棒線夾|1套 3 查看價格 佛山坤元科技有限公司 廣東  深圳市 2017-11-14
防靜電地毯 防靜電地毯|1m2 1 查看價格 廣州匯安 廣東  廣州市 2009-05-15
防靜電漆 防靜電漆|100kg 1 查看價格 深圳市美地堅麗實業(yè)有限公司 廣東  深圳市 2011-11-15
防靜電漆 防靜電漆|100m2 1 查看價格 深圳市創(chuàng)吉建材有限公司 廣東  惠州市 2009-10-22
鱷魚夾 OST-4045銅大夾應用范圍 電源 種類 鱷魚夾/彈簧夾/電瓶夾接口類型 AC/DC|7967個 1 查看價格 武漢市江漢區(qū)文遠電子產(chǎn)品經(jīng)營部 湖北  武漢市 2015-10-26

行業(yè)實際采用較多的靜電夾主要有如下幾種:

1.純鋁壓鑄虎式夾

2.耐高強度腐蝕不銹鋼夾

3.自粘式磁力夾

4.鏟式塑柄鋁夾

靜電夾用途--接地安全無小事

在廣泛的石油化工、醫(yī)藥、試劑、油漆、涂料等工業(yè)生產(chǎn)中，易燃、易爆品的盛裝、倉儲、轉(zhuǎn)運、攪拌、取用過程，料斗料桶、物料架、槽車、混料機、移動容器等器械需要全程、可靠、便捷接地，以杜絕因靜電誘發(fā)的引燃、引爆風險。

靜電夾常見問題

  • 靜電接地夾如何保養(yǎng)?

    車間內(nèi)表面上是用了不少防靜電產(chǎn)品，極少客戶能定期對防靜電產(chǎn)品進行檢測，總以為購進來的產(chǎn)品是好的，一定可以達效果。 二、消除設備沒有定期保養(yǎng)。 三、沒有做好靜電接地，電子加工行業(yè)，有過半的企業(yè)是沒有...

  • 靜電消除夾工作原理親們知道嗎？

    常見的靜電消除器是通過高壓放電針將空氣電離，產(chǎn)生正負離子，然后使用風扇將大量正負離子吹向可能產(chǎn)生靜電的表面，中和可能存在的靜電荷，同時風扇會將帶電的離子和靜電荷吹走，從而避免了靜電放電的產(chǎn)生。

  • 想要保養(yǎng)靜電接地夾，應該如何保養(yǎng)呢？

靜電夾是能用以導出上述器械上靜電的專用工具。通常與金屬接地樁(接地銅排)或接地網(wǎng)相連，夾體通過高強度恒力彈簧夾持在需導靜電物體上，并通過尖銳的破漆、透銹頂針穿透物體表層的油漆、污漬等絕緣層，使得物體上積聚的靜電能被實時導走，確保作業(yè)安全。靜電夾一般配備直線或彈簧電纜使用。

上海卯金刀電子科技有限公司的 KD-1201G 不銹鋼靜電接地夾 是KD系列靜電接地夾 中的一款。

靜電夾文獻

相關靜電標準 相關靜電標準

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評分： 4.6

標準集團（香港）有限公司 Standard International Group(HK) Limited 標準集團（香港）有限公司 IEC-ISO 相 關靜 電 標 準 IEC/ISO 相關靜電標準 IEC 60236 陰極射線管靜電偏轉(zhuǎn)電極的命名方法 IEC 60255-22-2繼電器 .第 22部分 :測量繼電器和保護設備的電干擾試驗 .第 2節(jié) :靜電放射試 驗 IEC 60297-5-103-電子設備的機械結(jié)構(gòu) .482,6mm(19in)系列的機械結(jié)構(gòu)的尺寸 .第5-103部分 : 靜電放電保護 IEC 60749-27-半導體器件 .機械和氣候試驗方法 .第 27部分 :靜電放電靈敏度測試 .機器模型 IEC 60801-2 Electromagnetic compatibility for industrial-process measurement a

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防靜電 防靜電

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頁數(shù)： 5頁

評分： 4.5

1、凡有靜電危害的工序、設備場所，必須采取相應的安全措施。 2、在可能出現(xiàn)爆炸性氣體的區(qū)域，必須加強通風措施使其濃度控制在爆炸下限 以下。 3、危險場所作業(yè)人員，應根據(jù)需要，穿 防靜電的鞋和工作服，或設置易于導除 人體靜電的設施， 如安裝接地欄桿等； 嚴禁在上述區(qū)域穿脫衣服和穿易產(chǎn)生經(jīng)典 的服裝進入該區(qū)域；嚴禁在上述區(qū)域，用易燃溶劑（二甲苯等）擦搓衣服，操作 區(qū)地面應鋪設導電地面，并保證其導電性能。 4、在有經(jīng)典產(chǎn)生的場所操作、檢查，不得攜帶與工作無關的金屬物品，如鑰匙、 手表、戒指等。 5、嚴禁將易產(chǎn)生靜電的易燃易爆液體用塑料容器裝貯。 6、禁止在裝易燃易爆液體的過程中取樣、檢尺或?qū)⒔饘傥锲分萌牍蓿ú圮嚕﹥?nèi)， 檢尺取樣應在裝料完畢經(jīng)靜置后進行。 7、禁止使用噴射蒸汽加熱易燃液體。 8、禁止使用絕緣軟管插入易燃液體罐內(nèi)進行移液作業(yè)。 9、在機器發(fā)生故障、液體滲漏、改變工藝條件或物料用量改變

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使用時，先將靜電夾所配電纜接地端子可靠連接于接地網(wǎng)或?qū)Ｓ媒拥匮b置，然后用夾鉗張口夾持需要接地的罐車、容器即可安全放電。

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1、一種等離子體處理裝置，包括：一腔室；位于所述腔室內(nèi)的基座，在所述基座的上方設置有靜電夾盤，在所述靜電夾盤上方放置有基片；位于所述腔室頂部的氣體噴淋頭，其同時也作為上電極，制程氣體通過所述氣體噴淋頭進入所述腔室；設置于所述基座之中的下電極，并連接有第一射頻電源；聚焦環(huán)，其設置于所述基片周圍；邊緣電極，其靠近所述基片的邊緣區(qū)域設置，所述邊緣電極連接有第二射頻電源；移相器，其連接于所述第一射頻電源和第二射頻電源，用于控制第一射頻電源和第二射頻電源的電壓差，以抑制電弧放電和打火。

2、根據(jù)權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述邊緣電極設置于所述聚焦環(huán)之中，其中，所述聚焦環(huán)由絕緣材料制成。

3、根據(jù)權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子體處理裝置還包括一第一絕緣體，其設置于所述聚焦環(huán)下方，其中，所述邊緣電極設置于所述第一絕緣體之中。

4、根據(jù)權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子體處理裝置還包括：邊緣環(huán)，其位于所述聚焦環(huán)外圍；第二絕緣體，其位于所述邊緣環(huán)下方，其中，所述邊緣電極設置于所述邊緣環(huán)或所述第二絕緣體之中。

5、根據(jù)權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一射頻電源和第二射頻電源具有同樣的或不同樣的頻率。

6、根據(jù)權利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第二射頻電源大于13兆赫茲。

7、根據(jù)權利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第二射頻電源為13.56兆赫茲、27兆赫茲、60兆赫茲、110兆赫茲、120兆赫茲之一。

8、根據(jù)權利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第二射頻電源小于13兆赫茲。

9、根據(jù)權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，在所述第二射頻電源和所述邊緣電極之間還依次連接有第二匹配電路和第二高頻濾波器。

10、根據(jù)權利要求9所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一射頻電源和下電極之間還連接有第一匹配電路。

11、根據(jù)權利要求10所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述下電極還連接有第三射頻電源，在所述第三射頻電源和所述下電極之間還連接有第三匹配電路，其中，所述第一射頻電源大于13兆赫茲，所述第三射頻電源小于13兆赫茲。

12、根據(jù)權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，第一射頻電源產(chǎn)生的電壓值為V1＝V10sin（ωHt φ），第二射頻電源產(chǎn)生的電壓值為V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。

13、一種等離子體處理裝置，包括：一腔室；位于所述腔室內(nèi)的基座，在所述基座的上方設置有靜電夾盤，在所述靜電夾盤上方放置有基片；位于所述腔室頂部的氣體噴淋頭，其同時也作為上電極，制程氣體通過所述氣體噴淋頭進入所述腔室；設置于所述基座之中的下電極，并連接有第一射頻電源；聚焦環(huán)，其設置于所述基片周圍；邊緣電極，其靠近所述基片的邊緣區(qū)域設置；移相器，其連接于所述第一射頻電源，其中，在所述第一射頻電源和所述下電極之間還連接有功率分配器，其中，所述功率分配器連接于所述移相器，所述移相器進一步連接所述邊緣電極。

14、根據(jù)權利要求13所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述邊緣電極設置于所述聚焦環(huán)之中，其中，所述聚焦環(huán)由絕緣材料制成。

15、根據(jù)權利要求13所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子體處理裝置還包括一第一絕緣體，其設置于所述聚焦環(huán)下方，其中，所述邊緣電極設置于所述第一絕緣體之中。

16、根據(jù)權利要求13所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子體處理裝置還包括：邊緣環(huán)，其位于所述聚焦環(huán)外圍；第二絕緣體，其位于所述邊緣環(huán)下方，其中，所述邊緣電極設置于所述邊緣環(huán)或所述第二絕緣體之中。

17、根據(jù)權利要求13所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一射頻電源大于13兆赫茲。

18、根據(jù)權利要求17所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一射頻電源為13.56兆赫茲、27兆赫茲、60兆赫茲、110兆赫茲、120兆赫茲之一。

19、根據(jù)權利要求13所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一射頻電源和下電極之間還連接有第一匹配電路。

20、根據(jù)權利要求19所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述下電極還連接有第三射頻電源，在所述第三射頻電源和所述下電極之間還連接有第三匹配電路，其中，所述第一射頻電源大于13兆赫茲，所述第三射頻電源小于13兆赫茲。

21、根據(jù)權利要求13所述的等離子體處理裝置，其特征在于，耦合于所述基片中心區(qū)域的電壓值為V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片邊緣區(qū)域電壓值為V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。

22、一種用于權利要求1至21任一項所述的等離子體處理裝置的調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：在制程過程中，利用所述移相器選擇性地調(diào)整耦合于所述基片中央?yún)^(qū)域和邊緣區(qū)域的射頻能量的電壓的相位差，以調(diào)整基片邊緣區(qū)域制程速率。

23、根據(jù)權利要求22所述的方法，其特征在于，利用所述移相器選擇性地調(diào)整耦合于所述基片中央?yún)^(qū)域和邊緣區(qū)域的射頻能量的電壓的Δφ，使得耦合于所述基片中央?yún)^(qū)域的射頻能量的電壓值為V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片邊緣區(qū)域的射頻能量的電壓值為V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。

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等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法專利目的

針對專利背景中的問題，《等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法》提出了一種等離子體處理裝置。

等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法實現(xiàn)裝置

《等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法》第一方面提供了一種等離子體處理裝置，包括：一腔室；位于所述腔室內(nèi)的基座，在所述基座的上方設置有靜電夾盤，在所述靜電夾盤上方放置有基片；位于所述腔室頂部的氣體噴淋頭，其同時也作為上電極，制程氣體通過所述氣體噴淋頭進入所述腔室；設置于所述基座之中的下電極，并連接有第一射頻電源；聚焦環(huán)，其設置于所述基片周圍；邊緣電極，其靠近所述基片的邊緣區(qū)域設置，所述邊緣電極連接有第二射頻電源；移相器，其連接于所述第一射頻電源和第二射頻電源。

進一步地，所述邊緣電極設置于所述聚焦環(huán)之中，其中，所述聚焦環(huán)由絕緣材料制成。

進一步地，所述等離子體處理裝置還包括一第一絕緣體，其設置于所述聚焦環(huán)下方，其中，所述邊緣電極設置于所述第一絕緣體之中。

進一步地，所述等離子體處理裝置還包括：邊緣環(huán)，其位于所述聚焦環(huán)外圍；第二絕緣體，其位于所述邊緣環(huán)下方，其中，所述邊緣電極設置于所述邊緣環(huán)或所述第二絕緣體之中。

進一步地，所述第一射頻電源和第二射頻電源具有同樣的或不同樣的頻率。

進一步地，所述第二射頻電源大于13兆赫茲。

進一步地，所述第二射頻電源為13.56兆赫茲、27兆赫茲、60兆赫茲、110兆赫茲、120兆赫茲之一。

進一步地，所述第二射頻電源小于13兆赫茲。

進一步地，在所述第二射頻電源和所述邊緣電極之間還依次連接有第二匹配電路和第二高頻濾波器。

進一步地，所述第一射頻電源和下電極之間還連接有第一匹配電路。

進一步地，所述下電極還連接有第三射頻電源，在所述第三射頻電源和所述下電極之間還連接有第三匹配電路，其中，所述第一射頻電源大于13兆赫茲，所述第三射頻電源小于13兆赫茲。

進一步地，第一射頻電源產(chǎn)生的電壓值為V1＝V10sin（ωHt φ），第二射頻電源產(chǎn)生的電壓值為V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。

《等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法》第二方面提供了一種等離子體處理裝置，包括：一腔室；位于所述腔室內(nèi)的基座，在所述基座的上方設置有靜電夾盤，在所述靜電夾盤上方放置有基片；位于所述腔室頂部的氣體噴淋頭，其同時也作為上電極，制程氣體通過所述氣體噴淋頭進入所述腔室；設置于所述基座之中的下電極，并連接有第一射頻電源；聚焦環(huán)，其設置于所述基片周圍；邊緣電極，其靠近所述基片的邊緣區(qū)域設置；移相器，其連接于所述第一射頻電源，其中，在所述第一射頻電源和所述下電極之間還依次連接有第一匹配網(wǎng)絡和功率分配器，其中，所述功率分配器連接于所述移相器，所述移相器進一步連接所述邊緣電極。

進一步地，所述邊緣電極設置于所述聚焦環(huán)之中，其中，所述聚焦環(huán)由絕緣材料制成。

進一步地，所述等離子體處理裝置還包括一第一絕緣體，其設置于所述聚焦環(huán)下方，其中，所述邊緣電極設置于所述第一絕緣體之中。

進一步地，所述等離子體處理裝置還包括：邊緣環(huán)，其位于所述聚焦環(huán)外圍；第二絕緣體，其位于所述邊緣環(huán)下方，其中，所述邊緣電極設置于所述邊緣環(huán)或所述第二絕緣體之中。

進一步地，所述第一射頻電源大于13兆赫茲。

進一步地，所述第一射頻電源為13.56兆赫茲、27兆赫茲、60兆赫茲、110兆赫茲、120兆赫茲之一。

進一步地，所述第一射頻電源和下電極之間還連接有第一匹配電路。

進一步地，所述下電極還連接有第三射頻電源，在所述第三射頻電源和所述下電極之間還連接有第三匹配電路，其中，所述第一射頻電源大于13兆赫茲，所述第三射頻電源小于13兆赫茲。

進一步地，耦合于所述基片中心區(qū)域的電壓值為V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片邊緣區(qū)域電壓值為V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。

《等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法》第三方面提供了一種用于《等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法》第一方面或第二方面所述的等離子體處理裝置的調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：在制程過程中，利用所述移相器選擇性地調(diào)整耦合于所述基片中央?yún)^(qū)域和邊緣區(qū)域的射頻能量的電壓的相位差，以調(diào)整基片邊緣區(qū)域制程速率。

具體地，利用所述移相器選擇性地調(diào)整耦合于所述基片中央?yún)^(qū)域和邊緣區(qū)域的射頻能量的電壓的Δφ，使得耦合于所述基片中央?yún)^(qū)域的射頻能量的電壓值為V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片邊緣區(qū)域的射頻能量的電壓值為V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。

等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法改善效果

《等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法》提供的等離子體處理裝置能夠有效地補償邊緣效應，并且，避免了由于施加于基片中心區(qū)域和基片邊緣區(qū)域的電壓距離較近產(chǎn)生的電弧放電和打火。

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