靜電夾常見分類

使用時(shí)，先將靜電夾所配電纜接地端子可靠連接于接地網(wǎng)或?qū)Ｓ媒拥匮b置，然后用夾鉗張口夾持需要接地的罐車、容器即可安全放電。

1、一種等離子體處理裝置，包括：一腔室；位于所述腔室內(nèi)的基座，在所述基座的上方設(shè)置有靜電夾盤，在所述靜電夾盤上方放置有基片；位于所述腔室頂部的氣體噴淋頭，其同時(shí)也作為上電極，制程氣體通過所述氣體噴淋頭進(jìn)入所述腔室；設(shè)置于所述基座之中的下電極，并連接有第一射頻電源；聚焦環(huán)，其設(shè)置于所述基片周圍；邊緣電極，其靠近所述基片的邊緣區(qū)域設(shè)置，所述邊緣電極連接有第二射頻電源；移相器，其連接于所述第一射頻電源和第二射頻電源，用于控制第一射頻電源和第二射頻電源的電壓差，以抑制電弧放電和打火。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述邊緣電極設(shè)置于所述聚焦環(huán)之中，其中，所述聚焦環(huán)由絕緣材料制成。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子體處理裝置還包括一第一絕緣體，其設(shè)置于所述聚焦環(huán)下方，其中，所述邊緣電極設(shè)置于所述第一絕緣體之中。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子體處理裝置還包括：邊緣環(huán)，其位于所述聚焦環(huán)外圍；第二絕緣體，其位于所述邊緣環(huán)下方，其中，所述邊緣電極設(shè)置于所述邊緣環(huán)或所述第二絕緣體之中。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一射頻電源和第二射頻電源具有同樣的或不同樣的頻率。

6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第二射頻電源大于13兆赫茲。

7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第二射頻電源為13.56兆赫茲、27兆赫茲、60兆赫茲、110兆赫茲、120兆赫茲之一。

8、根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第二射頻電源小于13兆赫茲。

9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，在所述第二射頻電源和所述邊緣電極之間還依次連接有第二匹配電路和第二高頻濾波器。

10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一射頻電源和下電極之間還連接有第一匹配電路。

11、根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述下電極還連接有第三射頻電源，在所述第三射頻電源和所述下電極之間還連接有第三匹配電路，其中，所述第一射頻電源大于13兆赫茲，所述第三射頻電源小于13兆赫茲。

12、根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，第一射頻電源產(chǎn)生的電壓值為V₁＝V₁₀sin（ω_Ht φ），第二射頻電源產(chǎn)生的電壓值為V₂＝V₂₀sin（ω_Ht φ Δφ），且V₁₀>V₂₀。

13、一種等離子體處理裝置，包括：一腔室；位于所述腔室內(nèi)的基座，在所述基座的上方設(shè)置有靜電夾盤，在所述靜電夾盤上方放置有基片；位于所述腔室頂部的氣體噴淋頭，其同時(shí)也作為上電極，制程氣體通過所述氣體噴淋頭進(jìn)入所述腔室；設(shè)置于所述基座之中的下電極，并連接有第一射頻電源；聚焦環(huán)，其設(shè)置于所述基片周圍；邊緣電極，其靠近所述基片的邊緣區(qū)域設(shè)置；移相器，其連接于所述第一射頻電源，其中，在所述第一射頻電源和所述下電極之間還連接有功率分配器，其中，所述功率分配器連接于所述移相器，所述移相器進(jìn)一步連接所述邊緣電極。

14、根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述邊緣電極設(shè)置于所述聚焦環(huán)之中，其中，所述聚焦環(huán)由絕緣材料制成。

15、根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子體處理裝置還包括一第一絕緣體，其設(shè)置于所述聚焦環(huán)下方，其中，所述邊緣電極設(shè)置于所述第一絕緣體之中。

16、根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子體處理裝置還包括：邊緣環(huán)，其位于所述聚焦環(huán)外圍；第二絕緣體，其位于所述邊緣環(huán)下方，其中，所述邊緣電極設(shè)置于所述邊緣環(huán)或所述第二絕緣體之中。

17、根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一射頻電源大于13兆赫茲。

18、根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一射頻電源為13.56兆赫茲、27兆赫茲、60兆赫茲、110兆赫茲、120兆赫茲之一。

19、根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一射頻電源和下電極之間還連接有第一匹配電路。

20、根據(jù)權(quán)利要求19所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述下電極還連接有第三射頻電源，在所述第三射頻電源和所述下電極之間還連接有第三匹配電路，其中，所述第一射頻電源大于13兆赫茲，所述第三射頻電源小于13兆赫茲。

21、根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理裝置，其特征在于，耦合于所述基片中心區(qū)域的電壓值為V₁＝V₁₀sin（ω_Ht φ），耦合于所述基片邊緣區(qū)域電壓值為V₂＝V₂₀sin（ω_Ht φ Δφ），且V₁₀>V₂₀。

22、一種用于權(quán)利要求1至21任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置的調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：在制程過程中，利用所述移相器選擇性地調(diào)整耦合于所述基片中央?yún)^(qū)域和邊緣區(qū)域的射頻能量的電壓的相位差，以調(diào)整基片邊緣區(qū)域制程速率。

23、根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，利用所述移相器選擇性地調(diào)整耦合于所述基片中央?yún)^(qū)域和邊緣區(qū)域的射頻能量的電壓的Δφ，使得耦合于所述基片中央?yún)^(qū)域的射頻能量的電壓值為V₁＝V₁₀sin（ω_Ht φ），耦合于所述基片邊緣區(qū)域的射頻能量的電壓值為V₂＝V₂₀sin（ω_Ht φ Δφ），且V₁₀>V₂₀。

等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法專利目的

針對(duì)專利背景中的問題，《等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法》提出了一種等離子體處理裝置。

等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法實(shí)現(xiàn)裝置

《等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法》第一方面提供了一種等離子體處理裝置，包括：一腔室；位于所述腔室內(nèi)的基座，在所述基座的上方設(shè)置有靜電夾盤，在所述靜電夾盤上方放置有基片；位于所述腔室頂部的氣體噴淋頭，其同時(shí)也作為上電極，制程氣體通過所述氣體噴淋頭進(jìn)入所述腔室；設(shè)置于所述基座之中的下電極，并連接有第一射頻電源；聚焦環(huán)，其設(shè)置于所述基片周圍；邊緣電極，其靠近所述基片的邊緣區(qū)域設(shè)置，所述邊緣電極連接有第二射頻電源；移相器，其連接于所述第一射頻電源和第二射頻電源。

進(jìn)一步地，所述邊緣電極設(shè)置于所述聚焦環(huán)之中，其中，所述聚焦環(huán)由絕緣材料制成。

進(jìn)一步地，所述等離子體處理裝置還包括一第一絕緣體，其設(shè)置于所述聚焦環(huán)下方，其中，所述邊緣電極設(shè)置于所述第一絕緣體之中。

進(jìn)一步地，所述等離子體處理裝置還包括：邊緣環(huán)，其位于所述聚焦環(huán)外圍；第二絕緣體，其位于所述邊緣環(huán)下方，其中，所述邊緣電極設(shè)置于所述邊緣環(huán)或所述第二絕緣體之中。

進(jìn)一步地，所述第一射頻電源和第二射頻電源具有同樣的或不同樣的頻率。

進(jìn)一步地，所述第二射頻電源大于13兆赫茲。

進(jìn)一步地，所述第二射頻電源為13.56兆赫茲、27兆赫茲、60兆赫茲、110兆赫茲、120兆赫茲之一。

進(jìn)一步地，所述第二射頻電源小于13兆赫茲。

進(jìn)一步地，在所述第二射頻電源和所述邊緣電極之間還依次連接有第二匹配電路和第二高頻濾波器。

進(jìn)一步地，所述第一射頻電源和下電極之間還連接有第一匹配電路。

進(jìn)一步地，所述下電極還連接有第三射頻電源，在所述第三射頻電源和所述下電極之間還連接有第三匹配電路，其中，所述第一射頻電源大于13兆赫茲，所述第三射頻電源小于13兆赫茲。

進(jìn)一步地，第一射頻電源產(chǎn)生的電壓值為V₁＝V₁₀sin（ω_Ht φ），第二射頻電源產(chǎn)生的電壓值為V₂＝V₂₀sin（ω_Ht φ Δφ），且V₁₀>V₂₀。

《等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法》第二方面提供了一種等離子體處理裝置，包括：一腔室；位于所述腔室內(nèi)的基座，在所述基座的上方設(shè)置有靜電夾盤，在所述靜電夾盤上方放置有基片；位于所述腔室頂部的氣體噴淋頭，其同時(shí)也作為上電極，制程氣體通過所述氣體噴淋頭進(jìn)入所述腔室；設(shè)置于所述基座之中的下電極，并連接有第一射頻電源；聚焦環(huán)，其設(shè)置于所述基片周圍；邊緣電極，其靠近所述基片的邊緣區(qū)域設(shè)置；移相器，其連接于所述第一射頻電源，其中，在所述第一射頻電源和所述下電極之間還依次連接有第一匹配網(wǎng)絡(luò)和功率分配器，其中，所述功率分配器連接于所述移相器，所述移相器進(jìn)一步連接所述邊緣電極。

進(jìn)一步地，所述邊緣電極設(shè)置于所述聚焦環(huán)之中，其中，所述聚焦環(huán)由絕緣材料制成。

進(jìn)一步地，所述等離子體處理裝置還包括一第一絕緣體，其設(shè)置于所述聚焦環(huán)下方，其中，所述邊緣電極設(shè)置于所述第一絕緣體之中。

進(jìn)一步地，所述等離子體處理裝置還包括：邊緣環(huán)，其位于所述聚焦環(huán)外圍；第二絕緣體，其位于所述邊緣環(huán)下方，其中，所述邊緣電極設(shè)置于所述邊緣環(huán)或所述第二絕緣體之中。

進(jìn)一步地，所述第一射頻電源大于13兆赫茲。

進(jìn)一步地，所述第一射頻電源為13.56兆赫茲、27兆赫茲、60兆赫茲、110兆赫茲、120兆赫茲之一。

進(jìn)一步地，所述第一射頻電源和下電極之間還連接有第一匹配電路。

進(jìn)一步地，所述下電極還連接有第三射頻電源，在所述第三射頻電源和所述下電極之間還連接有第三匹配電路，其中，所述第一射頻電源大于13兆赫茲，所述第三射頻電源小于13兆赫茲。

進(jìn)一步地，耦合于所述基片中心區(qū)域的電壓值為V₁＝V₁₀sin（ω_Ht φ），耦合于所述基片邊緣區(qū)域電壓值為V₂＝V₂₀sin（ω_Ht φ Δφ），且V₁₀>V₂₀。

《等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法》第三方面提供了一種用于《等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法》第一方面或第二方面所述的等離子體處理裝置的調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：在制程過程中，利用所述移相器選擇性地調(diào)整耦合于所述基片中央?yún)^(qū)域和邊緣區(qū)域的射頻能量的電壓的相位差，以調(diào)整基片邊緣區(qū)域制程速率。

具體地，利用所述移相器選擇性地調(diào)整耦合于所述基片中央?yún)^(qū)域和邊緣區(qū)域的射頻能量的電壓的Δφ，使得耦合于所述基片中央?yún)^(qū)域的射頻能量的電壓值為V₁＝V₁₀sin（ω_Ht φ），耦合于所述基片邊緣區(qū)域的射頻能量的電壓值為V₂＝V₂₀sin（ω_Ht φ Δφ），且V₁₀>V₂₀。

等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法改善效果

《等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法》提供的等離子體處理裝置能夠有效地補(bǔ)償邊緣效應(yīng)，并且，避免了由于施加于基片中心區(qū)域和基片邊緣區(qū)域的電壓距離較近產(chǎn)生的電弧放電和打火。