開漏極就是漏極開路,漏極開路是驅(qū)動(dòng)電路的輸出三極管的集電極開路,可以通過外接的上拉電阻提高驅(qū)動(dòng)能力。
特點(diǎn)
組成開漏形式的電路有以下幾個(gè)特點(diǎn)
1. 利用外部電路的驅(qū)動(dòng)能力,減少IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)。當(dāng)IC內(nèi)部MOSFET導(dǎo)通時(shí),驅(qū)動(dòng)電流是從外部的VCC流經(jīng)R pull-up ,MOSFET到GND。IC內(nèi)部?jī)H需很小的柵極驅(qū)動(dòng)電流。
2. 可以將多個(gè)開漏輸出的Pin,連接到一條線上。形成“與邏輯”關(guān)系。當(dāng)PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一個(gè)變低后,開漏線上的邏輯就為0了。這也是I2C,SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。
3. 可以利用改變上拉電源的電壓,改變傳輸電平。IC的邏輯電平由電源Vcc1決定,而輸出高電平則由Vcc2決定。這樣我們就可以用低電平邏輯控制輸出高電平邏輯了。
4. 開漏Pin不連接外部的上拉電阻,則只能輸出低電平。
5. 標(biāo)準(zhǔn)的開漏腳一般只有輸出的能力。添加其它的判斷電路,才能具備雙向輸入、輸出的能力。2100433B
在開關(guān)電源中,通常的設(shè)計(jì)會(huì)在MOS管的漏極或者IGBT的C如你所說的加電阻并二極管(應(yīng)該還要串一電容)至電源的正極。此電路是緩沖電路,吸收電路尖峰,避免開關(guān)過程中產(chǎn)生的高壓尖峰擊穿開關(guān)管導(dǎo)致?lián)p壞。在不...
極簡(jiǎn)玄關(guān)怎么設(shè)計(jì)?
極簡(jiǎn)玄關(guān)設(shè)計(jì)可以設(shè)計(jì)酒柜、屏風(fēng)、立體櫥、拍攝臺(tái)、雕花板等等。 玄關(guān)一般被我們用來調(diào)整家居環(huán)境,常見的玄關(guān)有鏡子、鞋柜、雨具存放隔斷等。 設(shè)置玄關(guān)應(yīng)該本著美觀實(shí)用的原則,使其具有通透、和諧、明亮、整潔等...
漏保(漏電保護(hù)器)在電器的金屬外殼發(fā)生漏電時(shí)自動(dòng)切斷電源,而空開(空氣開關(guān))在線路電流過載或短路時(shí)自動(dòng)切斷電源。觸電事故和電氣火災(zāi)是用電中危害最大的兩類安全事故。漏保和空開在防止這兩類事故發(fā)生起了相當(dāng)...
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針對(duì)適用于鋰電池保護(hù)電路特點(diǎn)要求的共漏極功率MOSFET的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研發(fā)和展望。從傳統(tǒng)的TSSOP-8發(fā)展到替代改進(jìn)型SOT-26,一直到芯片級(jí)尺寸的微型封裝外形,其封裝效率越來越高,接近100%。同時(shí),在微互連和封裝結(jié)構(gòu)的改進(jìn)方面,逐漸向短引線或焊球無引線、平坦式引腳、超薄型封裝和漏極焊盤散熱片暴露的方向發(fā)展,增強(qiáng)了封裝的電性能和熱性能。
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這篇文章織女姐將簡(jiǎn)單的介紹一下手工地毯是怎么生產(chǎn)出來 的,科普文,略枯燥。 1.準(zhǔn)備原材料 在制作手工地毯前,要準(zhǔn)備原材料,羊毛和真絲。古代制作 羊毛地毯時(shí),使用的羊毛都是當(dāng)?shù)氐难蛎热鐚幭拿?、青?毛、藏毛、和田毛等,現(xiàn)在我們制作地毯用的羊毛是進(jìn)口的新 西蘭羊毛。絲線我們用的桑蠶絲。 2.設(shè)計(jì)藝術(shù)創(chuàng)作 地毯圖案設(shè)計(jì)是制作地毯的關(guān)鍵步驟,好設(shè)計(jì)的地毯,美觀 度和價(jià)值都會(huì)提升很多。設(shè)計(jì)的過程大致是,設(shè)計(jì)師將地毯圖 案設(shè)計(jì)好,并制成織工們編織過程中使用的藍(lán)圖。 3. 染線合股織毯 根據(jù)設(shè)計(jì)稿,將原材料的紗線染成對(duì)應(yīng)顏色。一條手工地毯 可能需要幾十種顏色的紗線。染好的彩色紗線要經(jīng)過合股才能 織毯,一般多為三、四、六股不等。纏成球狀,以備織毯時(shí)用。 4. 工具利其器 準(zhǔn)備耙子、小刀、剪刀等作為織毯工具。耙子主要作用是劃 實(shí)緯線,小刀是為了割斷毯紗,剪刀的主要作用是地毯編織完 畢后,將表面參差不齊
1.利用外部電路的驅(qū)動(dòng)能力,減少IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng),?或驅(qū)動(dòng)比芯片電源電壓高的負(fù)載。??
2.可以將多個(gè)開漏輸出的Pin,連接到一條線上。通過一只上拉電阻,在不增加任何器件的情況下,形成“與邏輯”關(guān)系。這也是I2C,SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。??
3.由于漏級(jí)開路,所以后級(jí)電路必須接一上拉電阻,上拉電阻的電源電壓就可以決定輸出電平。這樣就可以進(jìn)行任意電平的轉(zhuǎn)換了。??
4.源極開路提供了靈活的輸出方式,但是也有其弱點(diǎn),就是帶來上升沿的延時(shí)。因?yàn)樯仙厥峭ㄟ^外接上拉無源電阻對(duì)負(fù)載充電,所以當(dāng)電阻選擇小時(shí)延時(shí)就小,但功耗大;反之延時(shí)大功耗小。所以如果對(duì)延時(shí)有要求,則建議用下降沿輸出 。2100433B
漏極概述
一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者
在兩個(gè)高摻雜的P區(qū)中間,夾著一層低摻雜的N區(qū)(N區(qū)一般做得很薄),形成了兩個(gè)PN結(jié)。在N區(qū)的兩端各做一個(gè)歐姆接觸電極,在兩個(gè)P區(qū)上也做上歐姆電極,并把這兩P區(qū)連起來,就構(gòu)成了一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管。
N型導(dǎo)電溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電路符號(hào)。
將兩個(gè)P區(qū)的引出線連在一起作為一個(gè)電極,稱為柵極,在N型硅片兩端各引出一個(gè)電極,分別稱為源極和漏極,很薄的N區(qū)稱為導(dǎo)電溝道。共漏極放大電路--源極輸出器
柵極簡(jiǎn)稱為G ,源極簡(jiǎn)稱為S,漏極簡(jiǎn)稱為D。
開漏電路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏極。
同理,開集電路中的“集”就是指三極管的集電極。
開漏電路就是指以MOS FET的漏極為輸出的電路。
一般的用法是會(huì)在漏極外部的電路添加上拉電阻。
完整的開漏電路應(yīng)該由開漏器件和開漏上拉電阻組成。