模擬集成電路——原理、設(shè)計、應用

本書結(jié)合中國科學技術(shù)大學微電子研究室對模擬集成電路多年研究、設(shè)計實踐編寫而成。曾作為講義在中國科技大學微電子、半導體專業(yè)使用多年。 本書以集成運放，模擬集成鎖相環(huán)為代表，討論模擬集成電路原理、設(shè)計和應用。集成穩(wěn)壓源，D/A.A/D轉(zhuǎn)換器在應用一章也略加介紹。該書特點：強調(diào)基礎(chǔ)，強調(diào)實用，簡明淺出，易于自學。 
本書可作為高等院校微電子、半導體專業(yè)本科生教材，也可供從事模擬集成電路研究，設(shè)計和應用的工程技術(shù)人員參考。 
本書原是中國科學技術(shù)大學物理系講義，在中國科學技術(shù)大學微電子、半導體等專業(yè)使用多年。同時也是近幾年來報考中國科學院半導體研究所和中國科技大學物理系微電子學科的研究生，迎考《模擬集成電路》課程復習的主要參考資料。

模擬集成電路——原理、設(shè)計、應用基本信息

書????名 模擬集成電路——原理、設(shè)計、應用 ISBN 7-312-00899-2
定????價 14.6元 出版時間 1997-08
裝????幀 平裝

第一章 理想集成運放

第二章 實際集成運放模型

第三章 Bi集成運放單元電路

第四章 Bi集成運放典型電路

第五章 Bi模擬集成電路中的元器件

第六章 模擬集成電路設(shè)計實例

第七章 集成運放頻率特性

第八章 集成運放參數(shù)測試

第九章 MOS集成運放

第十章 模擬集成鎖相環(huán)

第十一章 模擬集成電路應用

第十二章 習題

主要參考文獻

模擬集成電路——原理、設(shè)計、應用造價信息

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本書結(jié)合中國科技大學微電子研究室多年研究設(shè)計實踐，參閱了國內(nèi)外集成電路許多有關(guān)著作和相關(guān)文獻編寫而成。其宗旨意在加強基礎(chǔ)，強調(diào)實用，力求簡明淺出。

本書以集成電路運算放大器和模擬集成鎖相環(huán)為代表討論模擬集成電路原理、設(shè)計和應用。集成穩(wěn)壓源、D/A、A/D轉(zhuǎn)換器也在應用一章略加介紹。在集成電路運算放大器方面，既討論雙極型集成運放，也討論MOS型集成運放，構(gòu)成Bi-Bi-MOS -MOS系統(tǒng)。

本書共有十二章。第一二章討論理想集成運放和實際運放；第三章討論雙極型集成運放單元電路；在這基礎(chǔ)上，作為單元電路的總結(jié)，第四章對Bi集成運放典型電路進行分析；第五章討論雙極型模擬集成電路元器件設(shè)計；第六章以本單位設(shè)計的兩種集成運放作為設(shè)計實例進行討論；第七、八章簡要討論集成運放頻率特性和參數(shù)測試方法；第九章討論MOS集成運放，從MOS晶體管到MOS集成運放的單元電路，然后再對Bi-MOS集成運放、CMOS集成運放兩種典型電路進行分析；第十章討論模擬集成鎖相環(huán)。在討論單元電路的基礎(chǔ)上，以本單位設(shè)計的一種模擬集成鎖相環(huán)為例進行分析；第十一章介紹模擬集成電路應用；第十二章習題。

在本書編寫過程中，李名復教授、易波副教授、趙特秀教授給予熱情幫助并提出許多寶貴的建議；在編寫鎖相環(huán)一章時，還得到趙天鵬、謝家純副教授的許多幫助，特此表示衷心感謝。

模擬集成電路——原理、設(shè)計、應用常見問題

模擬集成電路——原理、設(shè)計、應用文獻

“集成電路原理與應用”課程實踐教學改革探索 “集成電路原理與應用”課程實踐教學改革探索

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頁數(shù)： 2頁

評分： 4.6

圍繞應用型、創(chuàng)新型集成電路相關(guān)人才的培養(yǎng)目標,本文詳細闡述了\"集成電路原理與應用\"課程實踐教學所存在的主要問題,并結(jié)合自身實踐,介紹了該課程教學內(nèi)容和教學方法的改革措施.實踐證明,通過按照全定制模擬集成電路設(shè)計流程進行強化訓練和實驗考核等措施,能夠有效地提高學生的實踐能力、創(chuàng)新能力和綜合能力.

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“集成電路原理與應用”課程實踐教學改革探索?? “集成電路原理與應用”課程實踐教學改革探索??

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評分： 4.5

本文主要結(jié)合集成電路原理應用要點，開展應用型人才培養(yǎng)原則，并且探究課堂教學中存在的不足之處，結(jié)合實踐發(fā)展要求，介紹必要的改革方式以及改革措施，通過優(yōu)化課程教學內(nèi)容、創(chuàng)新教學方法、加設(shè)前沿性知識內(nèi)容，最終提升學生對專業(yè)的認知和理解能力。

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本書涉及整個模擬集成電路實現(xiàn)過程中的元器件原理分析、電路設(shè)計、工藝制備等環(huán)節(jié)，講述模擬集成電路中的無源元件、結(jié)型柵場效應晶體管、MOSFET和CCD；在電路方面，講述CMOS單級放大器、集成運算放大器和集成功率放大器的分析和設(shè)計；在實現(xiàn)方面，討論版圖設(shè)計、制程設(shè)計、封裝設(shè)計、PCB設(shè)計和半導體制造工藝等。本書旨在提高學生的芯片設(shè)計能力和芯片分析能力。

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模擬集成電路應用

模擬集成電路的基本電路包括電流源、單級放大器、濾波器、反饋電路、電流鏡電路等，由它們組成的高一層次的基本電路為運算放大器、比較器，更高一層的電路有開關(guān)電容電路、鎖相環(huán)、ADC/DAC等。根據(jù)輸出與輸入信號之間的響應關(guān)系，又可以將模擬集成電路分為線性集成電路和非線性集成電路兩大類。前者的輸出與輸入信號之間的響應通常呈線性關(guān)系，其輸出的信號形狀與輸入信號是相似的，只是被放大了，并且按固定的系數(shù)進行放大的。而非線性集成電路的輸出信號對輸入信號的響應呈現(xiàn)非線性關(guān)系，比如平方關(guān)系、對數(shù)關(guān)系等，故稱為非線性電路。常見的非線性電路有振蕩器、定時器、鎖相環(huán)電路等。模擬集成電路的典型應用如下圖所示，輸入溫度、濕度、光學、壓電、聲電等各種傳感器或天線采集的外界自然信號，經(jīng)過模擬電路預處理后，轉(zhuǎn)為合適的數(shù)字信號輸入到數(shù)字系統(tǒng)中;經(jīng)過數(shù)字系統(tǒng)處理后的信號再通過模擬電路進行后處理，轉(zhuǎn)換為聲音、圖像、無線電波等模擬信號進行輸出。

相對于數(shù)字集成電路基于標準單元庫使用EDA工具軟件進行自動化設(shè)計的方法，模擬電路卻保留了人工設(shè)計的方法，當然也有大量的電路畫圖和仿真軟件工具，和一些成熟的電路單元可以使用，但是要設(shè)計出好的模擬集成電路，更多的是依靠設(shè)計者的經(jīng)驗。因為模擬電路要考慮的因素更多，除了數(shù)字集成電路關(guān)注的速度、功耗和面積之外，還需要考慮增益、精度等性能指標，考慮噪聲、串擾、溫度、器件非線性度等對性能的影響。

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第1章　模擬集成電路中的無源元件1

1.1　模擬集成電路的工藝基礎(chǔ)1

1.2　模擬集成電路中的電阻8

1.3　模擬集成電路中的電容16

1.4　模擬集成電路中的電感24

習題35

第2章　結(jié)型柵場效應晶體管36

2.1　JFET的基本原理36

2.2　JFET的伏安特性40

2.3　JFET的直流和交流參數(shù)43

2.4　MESFET的特性46

2.5　場相關(guān)遷移率特性48

2.6　結(jié)型柵場效應管的頻率特性53

2.7　器件的噪聲特性58

2.8　JFET和MESFET的結(jié)構(gòu)舉例61

習題66

第3章　MOSFET67

3.1　MOSFET的結(jié)構(gòu)和類型68

3.2　MOSFET的閾值電壓72

3.3　MOSFET的伏安特性80

3.4　MOSFET的交流小信號特性87

3.5　MOSFET的交流小信號等效電路和頻率特性96

3.6　MOSFET的噪聲特性101

3.7　MOSFET的擊穿特性104

3.8　MOSFET的功率特性和功率MOS器件的結(jié)構(gòu)111

3.9　MOSFET的溫度特性117

3.10　短溝道效應120

3.11　場效應晶體管的設(shè)計129

習題134

第4章　CCD136

4.1　CCD的工作原理136

4.2　CCD的基本參數(shù)144

4.3　成像原理148

4.4　CCD的改進方式150

4.5　CCD在模擬電路中的應用151

習題153

第5章　模擬集成電路器件參數(shù)的提取154

5.1　歐姆接觸的有關(guān)參數(shù)154

5.2　MOSFET的有關(guān)參數(shù)提取159

5.3　MESFET的有關(guān)參數(shù)提取168

習題175

第6章　CMOS放大器176

6.1　模擬電路中的MOS器件模型177

6.2　共源級放大器182

6.3　共源共柵級198

6.4　差分放大器204

習題211

第7章　集成運算放大器212

7.1　集成運算放大器的構(gòu)建212

7.2　集成運算放大器基本模塊分析217

7.3　集成運算放大器的設(shè)計223

7.4　集成CMOS運算放大器版圖設(shè)計227

7.5　集成CMOS運算放大器的實現(xiàn)232

習題237

第8章　集成功率放大器238

8.1　功率放大器的特性和典型電路238

8.2　集成功率放大器實現(xiàn)的制約分析與設(shè)計251

8.3　全集成CMOS功率放大器的實現(xiàn)255

8.4　功率放大器的盡限問題261

8.5　功率放大器研制的新進展265

習題268

第9章　半導體制造技術(shù)269

9.1　半導體工藝的發(fā)展及CMOS工藝流程269

9.2　半導體工藝主要工序280

習題291

附錄　常用物理參數(shù)292 2100433B

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