面向21世紀(jì)課程教材·電子技術(shù)基礎(chǔ)：模擬部分圖書目錄

1 緒論

引言

1.1 電子系統(tǒng)與信號(hào)

1.1 電子系統(tǒng)

1.1.2 信號(hào)及其頻譜

1.1.3 模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào)

1.2 放大電路的基本知識(shí)

1.2.1 模擬信號(hào)放大

1.2.2 放大電路模型

1.2.3 放大電路的主要性能指標(biāo)

小結(jié)

習(xí)題

2 半導(dǎo)體二極管及其基本電路

引言

2.1 半導(dǎo)體的基本知識(shí)

2.1.1 半導(dǎo)體材料

2.1.2 半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)

2.1.3 本征半導(dǎo)體、空穴及其導(dǎo)電作用

2.1.4 雜質(zhì)半導(dǎo)體

2.2 PN結(jié)的形成及特性

2.3 半導(dǎo)體二極管

2.3.1 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)

2.3.2 二極管的V-I，特性

2.3.3 二極管的參數(shù)

2.4 二極管基本電路及其分析方法

2.4.1 二極管正向V-I特性的建模

2.4.2 模型分析法應(yīng)用舉例

2.5 特殊二極管

2.5.1 齊納二極管

2.5.2 變?nèi)荻O管

2.5.3 光電子器件

2.5.3.1 光電二極管

2.5.3.2 發(fā)光二極管

2.5.3.3 激光二極管

小結(jié)

習(xí)題

PSICE例題及習(xí)題

3 半導(dǎo)體三極管及放大電路基礎(chǔ)

引言

3.1 半導(dǎo)體BJT

3.1.1 BJT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介

3.1.2 BJT的電流分配與放大作用

3.1.3 BJT的特性曲線

3.1.4 BJT的主要參數(shù)

3.2 共射極放大電路

3.3 圖解分析法

3.3.1 靜態(tài)工作情況分析

3.3.2 動(dòng)態(tài)工作情況分析

3.4 小信號(hào)模型分析法

3.4.1 BJT的小信號(hào)建模

3.4.2 用H參數(shù)小信號(hào)模型分析共射極基本放大電

3.5 放大電路的工作點(diǎn)穩(wěn)定問題

3.5.1 溫度對(duì)工作點(diǎn)的影響

3.5.2 射極偏置電路

3.6 共集電極電路和共基極電路

3.6.1 共集電極電路

3.6.2 共基極電路

3.7 放大電路的頻率響應(yīng)

3.7.1 單時(shí)間常數(shù)Rc電路的頻率響應(yīng)

3.7.2 單級(jí)放大電路的高頻響應(yīng)

3.7.3 單級(jí)放大電路的低頻響應(yīng)

3.7.4 多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)

3.8 單級(jí)放大電路的瞬態(tài)響應(yīng)

小結(jié)

習(xí)題

PSPICE例題及習(xí)題

4 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路

引言

4.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

4.1.1 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理

4.1.2 JFET的特性曲線及參數(shù)

4.2 砷化鎵金屬一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管

4.3 金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管

4.3.1 N溝道增強(qiáng)型MOSFET

4.3.2 N溝道耗盡型MOSFET

4.3.3 各種FET的特性比較及使用注意事項(xiàng)

4.4 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路

4.4.1 FET的直流偏置電路及靜態(tài)分析

4.4.2 FE'r放大電路的小信號(hào)模型分析法

4.5 各種放大器件電路性能比較

小結(jié)

習(xí)題

PSPICE例題及習(xí)題

5 功率放大電路

引言

5.1 功率放大電路的一般問題

5.2 乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路

5.2.1 電路組成

5.2.2 分析計(jì)算

5.2.3 功率BJT的選擇

5.3 甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路

5.3.1 甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱電路

5.3.2 甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱電路

5.4 集成功率放大器

5.5 功率器件

5.5.1 功率BJT

5.5.2 功率MOSFET

5.5.3 功率模塊

小結(jié)

習(xí)題

PSPICE例題及習(xí)題

6 集成電路運(yùn)算放大器

引言

6.1 集成電路運(yùn)算放大器中的電流源

6.2 差分式放大電路

6.2.1 基本差分式放大電路

6.2.2 FET差分式放大電路

6.2.3 差分式放大電路的傳輸特性

6.3 集成電路運(yùn)算放大器

6.3.1 簡(jiǎn)單的集成電路運(yùn)算放大器

6.3.2 通用型集成電路運(yùn)算放大器

6.4 集成電路運(yùn)算放大器的主要參數(shù)

6.5 專用型集成電路運(yùn)算放大器

6.6 放大電路中的噪聲與干擾

6.6.1 放大電路中的噪聲

6.6.2 放大電路中的干擾

6.6.3 低噪聲放大電路舉例

小結(jié)

習(xí)題

PSPICE例題及習(xí)題

7 反饋放大電路

8 信號(hào)的運(yùn)算與處理電路

9 信號(hào)產(chǎn)生電路

10 直流穩(wěn)壓電源

11 電子電路的計(jì)算機(jī)輔助分析語設(shè)計(jì)

附錄

參考文獻(xiàn)

索引

部分習(xí)題集答案

主編簡(jiǎn)介

面向21世紀(jì)課程教材·電子技術(shù)基礎(chǔ)：模擬部分內(nèi)容簡(jiǎn)介

《電子技術(shù)基礎(chǔ):模擬部分(第4版)》由高等教育出版社出版。

面向21世紀(jì)課程教材·電子技術(shù)基礎(chǔ)：模擬部分作者簡(jiǎn)介

康華光 湖南衡山人，1925年8月出生?，F(xiàn)為華中理工大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師。長(zhǎng)期從事電子技術(shù)教學(xué)與生物醫(yī)學(xué)工程研究。

康教授1951年畢業(yè)于武漢大學(xué)電機(jī)工程學(xué)系并留校任教。1953年院系調(diào)整到華中理工大學(xué)（原華中工學(xué)院）工作至今?，F(xiàn)任中國(guó)電子學(xué)會(huì)生物醫(yī)學(xué)電子學(xué)分會(huì)委員。曾任國(guó)家教委高校工科電工課程教學(xué)指導(dǎo)委員會(huì)副主任兼電子技術(shù)課程教學(xué)指導(dǎo)小組組長(zhǎng)。

由康華光主編的《電子技術(shù)基礎(chǔ)》（模擬、數(shù)字部分）第一、二、三版（高等教育出版社，1979、1982、1988年）曾先后于1988、1992、1996年榮獲國(guó)家級(jí)優(yōu)秀教材獎(jiǎng)、國(guó)家級(jí)優(yōu)秀教材特等獎(jiǎng)和國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。主持研究的“優(yōu)化電子技術(shù)基礎(chǔ)課程建設(shè)”項(xiàng)目，榮獲1989年國(guó)家級(jí)優(yōu)秀教學(xué)研究成果獎(jiǎng)。

在科研方面，主要從事生物醫(yī)學(xué)信息的檢測(cè)與分析以及細(xì)胞電生理研究。建立了國(guó)內(nèi)第一個(gè)具有國(guó)際先進(jìn)水平的細(xì)胞信使實(shí)驗(yàn)室。主持了多項(xiàng)國(guó)家級(jí)科研課題，開展國(guó)內(nèi)、國(guó)際交流與合作，成績(jī)顯著。培養(yǎng)了博士、碩士生40余名，發(fā)表了近百篇學(xué)術(shù)論文和專著《膜片鉗技術(shù)及其應(yīng)用》。

插圖：

3．7．1一個(gè)放大電路的理想頻響是一條水平線，而實(shí)際放大電路的頻響一般只有在中頻區(qū)是平坦的，而在低頻區(qū)或高頻區(qū)，其頻響則是衰減的，這是由哪些因素引起的？

3．7．2一放大電路的頻帶寬度是怎樣定義的？

3．7．3在射極偏置放大電路中，影響低頻響應(yīng)的主要因素是射極旁路電容，而影響高頻響應(yīng)的是密勒電容，為什么？試從物理概念上加以分析。

3．7．4在工程實(shí)踐中，改善放大電路低頻響應(yīng)的根本方法是采用直接耦合放大電路，而改善高頻響應(yīng)的較好的方法是采用共基極放大電路，為什么？

3．7．5對(duì)于一個(gè)參數(shù)已知的放大電路，其增益一帶寬積是一個(gè)常數(shù)，以共射極放大電路為例，犧牲電壓增益，為什么能換取帶寬增加的好處？

3．7．6多級(jí)放大電路的頻帶寬度為什么比其中的任一單級(jí)電路的頻帶為窄？

對(duì)放大電路的研究，目前有兩種不同的方法，即穩(wěn)態(tài)分析法和瞬態(tài)分析法。

穩(wěn)態(tài)分析法也就是前兩節(jié)討論過的頻率響應(yīng)分析法。這種方法以正弦波為放大電路的基本信號(hào)，研究放大電路對(duì)不同頻率信號(hào)的幅值和相位的響應(yīng)（或叫做放大電路的頻域響應(yīng)）。穩(wěn)態(tài)分析法的優(yōu)點(diǎn)是分析簡(jiǎn)單，實(shí)際測(cè)試時(shí)并不需要很特殊的設(shè)備，它的缺點(diǎn)是用幅頻響應(yīng)和相頻響應(yīng)不能直觀地確定放大電路的波形失真，因此也難于用這種方法選擇使波形失真達(dá)到最小的電路參數(shù)。

瞬態(tài)分析法是以單位階躍信號(hào)為放大電路的輸入信號(hào)，研究放大電路的輸出波形隨時(shí)間變化的情況，稱為放大電路的階躍響應(yīng)，又叫做放大電路的時(shí)域響應(yīng)。這里衡量波形失真常以上升時(shí)間和平頂降落的大小作為標(biāo)志。

在電子技術(shù)日新月異的形勢(shì)下，為了培養(yǎng)面向21世紀(jì)的電子技術(shù)人才，本書在第三版的基礎(chǔ)上，經(jīng)過教學(xué)改革與實(shí)踐，對(duì)其內(nèi)容作了較大的修改和更新，使之更符合電子信息時(shí)代的要求。在修訂過程中，依照1995年教育部（原國(guó)家教委）頒發(fā)的《高等工業(yè)學(xué)校電子技術(shù)基礎(chǔ)課程教學(xué)基本要求》，提出了如下的總思路：精選內(nèi)容，推陳出新；講清基本概念、基本電路的工作原理和基本分析方法。對(duì)其主要的技術(shù)指標(biāo)，采用工程近似方法進(jìn)行計(jì)算。至于更全面的分析或設(shè)計(jì)，則可借助PSPICEQ軟件來實(shí)現(xiàn)，這將有利于讀者開拓思路。具體考慮如下：

1.加強(qiáng)電子系統(tǒng)與信號(hào)的概念，為學(xué)習(xí)模擬電路和數(shù)字電路提供了引導(dǎo)性的背景知識(shí)。

2.增加了部分新器件的內(nèi)容，如砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（MSFET）、VMOS功率器件、BiCMOS門電路、在系統(tǒng)可編程邏輯器件，如CPLD、FPGA等，以適應(yīng)新技術(shù)發(fā)展的需要。

3.將三端有源器件（BJT、FET）的六種電路組態(tài)（共射、共集、共基和共源、共漏、共柵）歸結(jié)為三種通用的電路組態(tài)，即反相電壓放大器、電壓跟隨器和電流跟隨器，這就有利于電子電路的分析與綜合，也為學(xué)習(xí)和使用BiFET和BiCMOS等一類新型集成電路器件奠定了基礎(chǔ)。

4.根據(jù)當(dāng)前教學(xué)上的需要與設(shè)備條件的可能性，模擬部分增設(shè)了“電子電路的計(jì)算機(jī)輔助分析與設(shè)計(jì)”一章；數(shù)字部分增設(shè)了“數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)”一章，為電子電路的仿真與設(shè)計(jì)自動(dòng)化作了入門性的介紹。

5.為便于讀者深入理解教材內(nèi)容，加強(qiáng)了例題，其中部分電路具有實(shí)用性。同時(shí)也改編了具有啟發(fā)意義的復(fù)習(xí)思考題和習(xí)題，并附有少量的PSI：’ICE例題及習(xí)題供各院校師生靈活選用。2100433B

《電子技術(shù)基礎(chǔ)·模擬部分(第5版)》是面向21世紀(jì)課程教材之一。

《面向21世紀(jì)課程教材:園林建筑設(shè)計(jì)》可供風(fēng)景園林（景觀學(xué)）專業(yè)教學(xué)之用，同時(shí)也可供建筑學(xué)及城市規(guī)劃專業(yè)師生及相關(guān)從業(yè)人員參考。全書主要內(nèi)容有：園林建筑設(shè)計(jì)總論；各類園林建筑設(shè)計(jì)的方法與技巧，包括入口建筑、休憩建筑、服務(wù)小建筑、餐飲建筑和展陳建筑等。全書收錄園林建筑實(shí)例60余例，共附圖和照片1000余幅，每個(gè)實(shí)例均有分析圖解及文字說明。

本書第三版曾榮全國(guó)第三屆高等學(xué)校優(yōu)秀教材國(guó)家教委一等獎(jiǎng)。本書主要介紹了機(jī)械制圖基礎(chǔ)知識(shí)，與繪制和閱讀機(jī)械圖樣相關(guān)的機(jī)械制造基本知識(shí)，常見機(jī)械圖樣的繪制與閱讀，計(jì)算機(jī)輔助繪圖與三維建?；局R(shí)等四部分。本書內(nèi)容豐富，講解通俗易懂，具有很強(qiáng)的可讀性。