在電子技術(shù)日新月異的形勢下,為了培養(yǎng)面向21世紀的電子技術(shù)人才,本書在第三版的基礎(chǔ)上,經(jīng)過教學改革與實踐,對其內(nèi)容作了較大的修改和更新,使之更符合電子信息時代的要求。在修訂過程中,依照1995年教育部(原國家教委)頒發(fā)的《高等工業(yè)學校電子技術(shù)基礎(chǔ)課程教學基本要求》,提出了如下的總思路:精選內(nèi)容,推陳出新;講清基本概念、基本電路的工作原理和基本分析方法。對其主要的技術(shù)指標,采用工程近似方法進行計算。至于更全面的分析或設(shè)計,則可借助PSPICEQ軟件來實現(xiàn),這將有利于讀者開拓思路。具體考慮如下:

1.加強電子系統(tǒng)與信號的概念,為學習模擬電路和數(shù)字電路提供了引導性的背景知識。

2.增加了部分新器件的內(nèi)容,如砷化鎵場效應(yīng)管(MSFET)、VMOS功率器件、BiCMOS門電路、在系統(tǒng)可編程邏輯器件,如CPLD、FPGA等,以適應(yīng)新技術(shù)發(fā)展的需要。

3.將三端有源器件(BJT、FET)的六種電路組態(tài)(共射、共集、共基和共源、共漏、共柵)歸結(jié)為三種通用的電路組態(tài),即反相電壓放大器、電壓跟隨器和電流跟隨器,這就有利于電子電路的分析與綜合,也為學習和使用BiFET和BiCMOS等一類新型集成電路器件奠定了基礎(chǔ)。

4.根據(jù)當前教學上的需要與設(shè)備條件的可能性,模擬部分增設(shè)了“電子電路的計算機輔助分析與設(shè)計”一章;數(shù)字部分增設(shè)了“數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計基礎(chǔ)”一章,為電子電路的仿真與設(shè)計自動化作了入門性的介紹。

5.為便于讀者深入理解教材內(nèi)容,加強了例題,其中部分電路具有實用性。同時也改編了具有啟發(fā)意義的復習思考題和習題,并附有少量的PSI:’ICE例題及習題供各院校師生靈活選用。2100433B

面向21世紀課程教材·電子技術(shù)基礎(chǔ):模擬部分造價信息

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插圖:

3.7.1一個放大電路的理想頻響是一條水平線,而實際放大電路的頻響一般只有在中頻區(qū)是平坦的,而在低頻區(qū)或高頻區(qū),其頻響則是衰減的,這是由哪些因素引起的?

3.7.2一放大電路的頻帶寬度是怎樣定義的?

3.7.3在射極偏置放大電路中,影響低頻響應(yīng)的主要因素是射極旁路電容,而影響高頻響應(yīng)的是密勒電容,為什么?試從物理概念上加以分析。

3.7.4在工程實踐中,改善放大電路低頻響應(yīng)的根本方法是采用直接耦合放大電路,而改善高頻響應(yīng)的較好的方法是采用共基極放大電路,為什么?

3.7.5對于一個參數(shù)已知的放大電路,其增益一帶寬積是一個常數(shù),以共射極放大電路為例,犧牲電壓增益,為什么能換取帶寬增加的好處?

3.7.6多級放大電路的頻帶寬度為什么比其中的任一單級電路的頻帶為窄?

對放大電路的研究,目前有兩種不同的方法,即穩(wěn)態(tài)分析法和瞬態(tài)分析法。

穩(wěn)態(tài)分析法也就是前兩節(jié)討論過的頻率響應(yīng)分析法。這種方法以正弦波為放大電路的基本信號,研究放大電路對不同頻率信號的幅值和相位的響應(yīng)(或叫做放大電路的頻域響應(yīng))。穩(wěn)態(tài)分析法的優(yōu)點是分析簡單,實際測試時并不需要很特殊的設(shè)備,它的缺點是用幅頻響應(yīng)和相頻響應(yīng)不能直觀地確定放大電路的波形失真,因此也難于用這種方法選擇使波形失真達到最小的電路參數(shù)。

瞬態(tài)分析法是以單位階躍信號為放大電路的輸入信號,研究放大電路的輸出波形隨時間變化的情況,稱為放大電路的階躍響應(yīng),又叫做放大電路的時域響應(yīng)。這里衡量波形失真常以上升時間和平頂降落的大小作為標志。

1 緒論

引言

1.1 電子系統(tǒng)與信號

1.1 電子系統(tǒng)

1.1.2 信號及其頻譜

1.1.3 模擬信號和數(shù)字信號

1.2 放大電路的基本知識

1.2.1 模擬信號放大

1.2.2 放大電路模型

1.2.3 放大電路的主要性能指標

小結(jié)

習題

2 半導體二極管及其基本電路

引言

2.1 半導體的基本知識

2.1.1 半導體材料

2.1.2 半導體的共價鍵結(jié)構(gòu)

2.1.3 本征半導體、空穴及其導電作用

2.1.4 雜質(zhì)半導體

2.2 PN結(jié)的形成及特性

2.3 半導體二極管

2.3.1 半導體二極管的結(jié)構(gòu)

2.3.2 二極管的V-I,特性

2.3.3 二極管的參數(shù)

2.4 二極管基本電路及其分析方法

2.4.1 二極管正向V-I特性的建模

2.4.2 模型分析法應(yīng)用舉例

2.5 特殊二極管

2.5.1 齊納二極管

2.5.2 變?nèi)荻O管

2.5.3 光電子器件

2.5.3.1 光電二極管

2.5.3.2 發(fā)光二極管

2.5.3.3 激光二極管

小結(jié)

習題

PSICE例題及習題

3 半導體三極管及放大電路基礎(chǔ)

引言

3.1 半導體BJT

3.1.1 BJT的結(jié)構(gòu)簡介

3.1.2 BJT的電流分配與放大作用

3.1.3 BJT的特性曲線

3.1.4 BJT的主要參數(shù)

3.2 共射極放大電路

3.3 圖解分析法

3.3.1 靜態(tài)工作情況分析

3.3.2 動態(tài)工作情況分析

3.4 小信號模型分析法

3.4.1 BJT的小信號建模

3.4.2 用H參數(shù)小信號模型分析共射極基本放大電

3.5 放大電路的工作點穩(wěn)定問題

3.5.1 溫度對工作點的影響

3.5.2 射極偏置電路

3.6 共集電極電路和共基極電路

3.6.1 共集電極電路

3.6.2 共基極電路

3.7 放大電路的頻率響應(yīng)

3.7.1 單時間常數(shù)Rc電路的頻率響應(yīng)

3.7.2 單級放大電路的高頻響應(yīng)

3.7.3 單級放大電路的低頻響應(yīng)

3.7.4 多級放大電路的頻率響應(yīng)

3.8 單級放大電路的瞬態(tài)響應(yīng)

小結(jié)

習題

PSPICE例題及習題

4 場效應(yīng)管放大電路

引言

4.1 結(jié)型場效應(yīng)管

4.1.1 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理

4.1.2 JFET的特性曲線及參數(shù)

4.2 砷化鎵金屬一半導體場效應(yīng)管

4.3 金屬一氧化物一半導體場效應(yīng)管

4.3.1 N溝道增強型MOSFET

4.3.2 N溝道耗盡型MOSFET

4.3.3 各種FET的特性比較及使用注意事項

4.4 場效應(yīng)管放大電路

4.4.1 FET的直流偏置電路及靜態(tài)分析

4.4.2 FE'r放大電路的小信號模型分析法

4.5 各種放大器件電路性能比較

小結(jié)

習題

PSPICE例題及習題

5 功率放大電路

引言

5.1 功率放大電路的一般問題

5.2 乙類雙電源互補對稱功率放大電路

5.2.1 電路組成

5.2.2 分析計算

5.2.3 功率BJT的選擇

5.3 甲乙類互補對稱功率放大電路

5.3.1 甲乙類雙電源互補對稱電路

5.3.2 甲乙類單電源互補對稱電路

5.4 集成功率放大器

5.5 功率器件

5.5.1 功率BJT

5.5.2 功率MOSFET

5.5.3 功率模塊

小結(jié)

習題

PSPICE例題及習題

6 集成電路運算放大器

引言

6.1 集成電路運算放大器中的電流源

6.2 差分式放大電路

6.2.1 基本差分式放大電路

6.2.2 FET差分式放大電路

6.2.3 差分式放大電路的傳輸特性

6.3 集成電路運算放大器

6.3.1 簡單的集成電路運算放大器

6.3.2 通用型集成電路運算放大器

6.4 集成電路運算放大器的主要參數(shù)

6.5 專用型集成電路運算放大器

6.6 放大電路中的噪聲與干擾

6.6.1 放大電路中的噪聲

6.6.2 放大電路中的干擾

6.6.3 低噪聲放大電路舉例

小結(jié)

習題

PSPICE例題及習題

7 反饋放大電路

8 信號的運算與處理電路

9 信號產(chǎn)生電路

10 直流穩(wěn)壓電源

11 電子電路的計算機輔助分析語設(shè)計

附錄

參考文獻

索引

部分習題集答案

主編簡介

面向21世紀課程教材·電子技術(shù)基礎(chǔ):模擬部分序言常見問題

  • 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第四版

    我們就是用的第四版??!如下圖所示,我跟你是一個出版社的這有電子版http://pan.baidu.com/share/link?shareid=10591271&uk=3607530848如果...

  • 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)中的最大輸出電壓問題

    這是基本共射放大器的兩個條件,兩者是一致的,前者只是后者空載的特例。前者只是適用于空載,后者空載負載通吃。 后來一處的Rl該是負載電阻RL 空載就是RL→∞。 RL→∞時,Rc//RL=Rc,Ic*(...

  • 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第四版答案pdf百度云盤

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面向21世紀課程教材·電子技術(shù)基礎(chǔ):模擬部分內(nèi)容簡介

《電子技術(shù)基礎(chǔ):模擬部分(第4版)》由高等教育出版社出版。

面向21世紀課程教材·電子技術(shù)基礎(chǔ):模擬部分作者簡介

康華光 湖南衡山人,1925年8月出生。現(xiàn)為華中理工大學教授、博士生導師。長期從事電子技術(shù)教學與生物醫(yī)學工程研究。

康教授1951年畢業(yè)于武漢大學電機工程學系并留校任教。1953年院系調(diào)整到華中理工大學(原華中工學院)工作至今。現(xiàn)任中國電子學會生物醫(yī)學電子學分會委員。曾任國家教委高校工科電工課程教學指導委員會副主任兼電子技術(shù)課程教學指導小組組長。

由康華光主編的《電子技術(shù)基礎(chǔ)》(模擬、數(shù)字部分)第一、二、三版(高等教育出版社,1979、1982、1988年)曾先后于1988、1992、1996年榮獲國家級優(yōu)秀教材獎、國家級優(yōu)秀教材特等獎和國家科技進步二等獎。主持研究的“優(yōu)化電子技術(shù)基礎(chǔ)課程建設(shè)”項目,榮獲1989年國家級優(yōu)秀教學研究成果獎。

在科研方面,主要從事生物醫(yī)學信息的檢測與分析以及細胞電生理研究。建立了國內(nèi)第一個具有國際先進水平的細胞信使實驗室。主持了多項國家級科研課題,開展國內(nèi)、國際交流與合作,成績顯著。培養(yǎng)了博士、碩士生40余名,發(fā)表了近百篇學術(shù)論文和專著《膜片鉗技術(shù)及其應(yīng)用》。

面向21世紀課程教材·電子技術(shù)基礎(chǔ):模擬部分序言文獻

《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》習題答桉 《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》習題答桉

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大?。?span id="r558t74" class="single-tag-height">892KB

頁數(shù): 53頁

評分: 4.5

1 第 1章習題及答案 1.1.在圖題 1.1 所示的各電路圖中 E=5V, tu i sin10 V,二極管的正 向壓降可忽略不計,試分別畫出輸出電壓 ou 的波形。 E + - E + - + - + - iu ou R D + - + - iu ou RD E + - + - + - iu ou R D E + - + - + - iu ou RD (a) (b) (c) (d) 圖題 1.1 解:(a)圖:當 iu > E 時, ou = E,當 iu < E 時, io uu 。 (b)圖:當 iu < E 時, oi uu ;當 iu > E 時, Eu o 。 (c)圖:當 iu < E 時, Eu o ;當 iu > E 時, io uu 。 (d)圖:當 iu > E 時, io uu ;當 iu < E 時, Eu o 。 畫出 ou 波形如圖所示。 2 Vui

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面向21世紀的_電力電子技術(shù)_教學改革與實踐 面向21世紀的_電力電子技術(shù)_教學改革與實踐

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《電子技術(shù)基礎(chǔ)·模擬部分(第5版)》是面向21世紀課程教材之一。

《面向21世紀課程教材:園林建筑設(shè)計》可供風景園林(景觀學)專業(yè)教學之用,同時也可供建筑學及城市規(guī)劃專業(yè)師生及相關(guān)從業(yè)人員參考。全書主要內(nèi)容有:園林建筑設(shè)計總論;各類園林建筑設(shè)計的方法與技巧,包括入口建筑、休憩建筑、服務(wù)小建筑、餐飲建筑和展陳建筑等。全書收錄園林建筑實例60余例,共附圖和照片1000余幅,每個實例均有分析圖解及文字說明。

本書第三版曾榮全國第三屆高等學校優(yōu)秀教材國家教委一等獎。本書主要介紹了機械制圖基礎(chǔ)知識,與繪制和閱讀機械圖樣相關(guān)的機械制造基本知識,常見機械圖樣的繪制與閱讀,計算機輔助繪圖與三維建模基本知識等四部分。本書內(nèi)容豐富,講解通俗易懂,具有很強的可讀性。

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