濕法刻蝕是一種刻蝕方法，是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術(shù)。

主要在較為平整的膜面上刻出絨面，從而增加光程，減少光的反射，刻蝕可用稀釋的鹽酸等。

簡單來說，就是中學(xué)化學(xué)課中化學(xué)溶液腐蝕的概念，它是一種純化學(xué)刻蝕，具有優(yōu)良的選擇性，刻蝕完當前薄膜就會停止，而不會損壞下面一層其他材料的薄膜。由于所有的半導(dǎo)體濕法刻蝕都具有各向同性，所以無論是氧化層還是金屬層的刻蝕，橫向刻蝕的寬度都接近于垂直刻蝕的深度。這樣一來，上層光刻膠的圖案與下層材料上被刻蝕出的圖案就會存在一定的偏差，也就無法高質(zhì)量地完成圖形轉(zhuǎn)移和復(fù)制的工作，因此隨著特征尺寸的減小，在圖形轉(zhuǎn)移過程中基本不再使用。

目前，濕法刻蝕一般被用于工藝流程前面的晶圓片準備、清洗等不涉及圖形的環(huán)節(jié)，而在圖形轉(zhuǎn)移中干法刻蝕已占據(jù)主導(dǎo)地位。2100433B

濕法刻蝕造價信息

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材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
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（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報價日期
濕法夾膠玻璃 品種:濕法夾膠玻璃 厚度:8+8 查看價格 查看價格

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SJY凈化器（濕法） 風(fēng)機型號7.5風(fēng)壓1051-1778 查看價格 查看價格

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SJY凈化器（濕法） 風(fēng)機型號6風(fēng)壓724-1139 查看價格 查看價格

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SJY凈化器（濕法） 風(fēng)機型號9風(fēng)壓1514-2585 查看價格 查看價格

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濕法夾膠玻璃 品種:濕法夾膠玻璃;厚度:6+6; 查看價格 查看價格

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材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
信息價		 含稅
信息價		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
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材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
（元）		 供應(yīng)商 報價地區(qū) 最新報價時間
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濕法刻蝕簡介常見問題

  • 刻蝕不銹鋼板多少錢一平

    一般按張來算，一張多少錢加工費。

  • 雕花玻璃用什么刻蝕有誰比較熟悉

    應(yīng)該是用的吧，能和玻璃的主要成分二氧化硅反應(yīng)。要能腐蝕玻璃的才行，B能與玻璃中的SiO2反應(yīng)。燒堿堿反應(yīng)很慢，而且光滑的表面還不能腐蝕。其他的不能反應(yīng)。希望我的回答對你有幫助

  • 濕法脫硫塔如何設(shè)計

    含硫量是600mg吧，氣量不大。好脫。塔徑由處理氣量和空塔氣速決定，泵由循環(huán)量決定。樓上的沒有做過脫硫吧。 你這個氣量我算了算（粗略，吸收壓力我不知道，按照常壓計算的）：塔徑2m綽綽有余；塔高16m；...

濕法刻蝕簡介文獻

干法刻蝕工藝總結(jié) 干法刻蝕工藝總結(jié)

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干法刻蝕工藝總結(jié) 離子束刻蝕機（ IBE-150A） 背景 : 利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子， 氬離子經(jīng)過陽極電場的加速對樣品表面 進行物理轟擊， 以達到刻蝕的作用。 把 Ar、Kr 或 Xe之類惰性氣體充入離子源放 電室并使其電離形成等離子體， 然后由柵極將離子呈束狀引出并加速， 具有一定 能量的離子束進入工作室， 射向固體表面撞擊固體表面原子， 使材料原子發(fā)生濺 射，達到刻蝕目的，屬純物理過程。 技術(shù)指標： 裝片：一片六英寸襯底、或 1片四英寸，向下兼容。 抽氣速度： 30min由 ATM 到 1.0×10-3Pa 極限真空度： 2×10-4Pa 離子能量： 300eV-400eV ICP 刻蝕機（ OXFORD ICP 180） 背景 : 通入反應(yīng)氣體使用電感耦合等離子體輝光放電將其分解， 產(chǎn)生的具有強化學(xué)活性 的等離子體在電場的加速作用下移動到樣品表面， 對樣品表面既進行化學(xué)

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不銹鋼的刻蝕 不銹鋼的刻蝕

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1 不銹鋼刻蝕 【摘要】 本文依據(jù)工業(yè)生產(chǎn)原理 ，設(shè)計了新的能處理較大面積工件的化學(xué)刻蝕裝置，研究 了實驗室條件下對不銹鋼進行圖紋裝飾的方法和工藝。 通過上感光材料、感光、刻蝕、 上色等工藝實現(xiàn)了不銹鋼的圖案刻蝕，成功地制作出一批作品。 【關(guān)鍵詞】 圖紋裝飾，不銹鋼板，感光材料，刻蝕。 Etching on Stainless Steel Sheet Zhao Libing Chen Peixian Li Jiahang Long Jieming Wang Junxia Liu Chang Zhang Zhijun Liu Xiaofang Lu Yujing Xie Guangbin L ü Xueyi （Class 99, School of Chemistry and Chemical Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzh

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等離子刻蝕機濕法刻蝕相對于等離子刻蝕的缺點

1. 硅片水平運行，機片高(等離子刻蝕去PSG槽式浸泡甩干，硅片受沖擊小);

2. 下料吸筆易污染硅片(等離子刻蝕去PSG后甩干);

3. 傳動滾抽易變形(PVDF，PP材質(zhì)且水平放置易變形);

4. 成本高(化學(xué)品刻蝕代替等離子刻蝕成本增加)。

此外，有些等離子刻蝕機，如SCE等離子刻蝕機還具備"綠色"優(yōu)勢:無氟氯化碳和污水、操作和環(huán)境安全、排除有毒和腐蝕性的液體。SCE等離子刻蝕機支持以下四種平面等離子體處理模式:

直接模式--基片可以直接放置在電極托架或是底座托架上，以獲得最大的平面刻蝕效果。

定向模式--需要非等向性刻蝕(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。

下游模式--基片可以放置在不帶電托架上，以便取得微小的等離子體效果。

定制模式--當平面刻蝕配置不過理想時，特制的電極配置可以提供。

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刻蝕方法

刻蝕最簡單最常用分類是:干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見，它們的區(qū)別就在于濕法使用溶劑或溶液來進行刻蝕。

濕法刻蝕是一個純粹的化學(xué)反應(yīng)過程，是指利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。其特點是:

濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著廣泛應(yīng)用:磨片、拋光、清洗、腐蝕

優(yōu)點是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡單、成本低

缺點是:鉆刻嚴重、對圖形的控制性較差，不能用于小的特征尺寸;會產(chǎn)生大量的化學(xué)廢液

干法刻蝕種類很多，包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。其優(yōu)點是:各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復(fù)性好，細線條操作安全，易實現(xiàn)自動化，無化學(xué)廢液，處理過程未引入污染，潔凈度高。缺點是:成本高，設(shè)備復(fù)雜。干法刻蝕主要形式有純化學(xué)過程(如屏蔽式，下游式，桶式)，純物理過程(如離子銑)，物理化學(xué)過程，常用的有反應(yīng)離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。

干法刻蝕方式很多，一般有:濺射與離子束銑蝕， 等離子刻蝕(Plasma Etching)，高壓等離子刻蝕，高密度等離子體(HDP)刻蝕，反應(yīng)離子刻蝕(RIE)。另外，化學(xué)機械拋光CMP，剝離技術(shù)等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術(shù)。

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本設(shè)備能精確控制刻蝕速率、適用于對均勻性要求高的刻蝕和不易濕法刻蝕的薄膜： 1. 選擇比（刻蝕速率比）： SiOx/Mo5，SiOx/Al20，SiOx/ITO＞20，SiOx/SiNx＞1，SiNx/SiOx＞5，a-Si/光刻膠1， SiOx/光刻膠1， SiNx/光刻膠1； 2. ★ 刻蝕速率：SiO2 ＞80 nm/min，SiNx＞150 nm/min，a-Si＞150 nm/min，p-Si＞100 nm/min，ITO＞30 nm/min，光刻膠灰化速率＞300 nm/min； 3。

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