主要用于制造避雷器閥片孔壓敏電阻器。 2100433B

碳化硅半導(dǎo)體材料造價(jià)信息

市場價(jià) 信息價(jià) 詢價(jià)
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價(jià)
（除稅）		 工程建議價(jià)
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)日期
碳化硅磚 230×115×65規(guī)格:長×寬×厚(mm):230×115×65;分型:普型;品種:碳磚; 查看價(jià)格 查看價(jià)格

華林

 t 13% 撫順市華林耐火材料廠
碳化硅粉 查看價(jià)格 查看價(jià)格

kg 13% 鞏義市恒立耐火材料廠佛山辦事處
碳化硅磚 分型:普型;厚度(mm):65;品種:碳磚;寬度(mm):115;規(guī)格:長×寬×厚(mm):230×115×65;長度(mm):230 查看價(jià)格 查看價(jià)格

華林

 t 13% 撫順市華林耐火材料廠通化銷售處
碳化硅磚 耐火溫度 1580～1770℃（℃） 查看價(jià)格 查看價(jià)格

淮林

 t 13% 大石橋淮林耐火材料有限公司
碳化硅磚 分型:標(biāo)型;厚度(mm):65;品種:碳磚;寬度(mm):115;規(guī)格:長×寬×厚(mm):230×115×65;長度(mm):230 查看價(jià)格 查看價(jià)格

新東

 塊 13% 長春市新東保溫耐火材料有限公司
碳化硅磚 分型:標(biāo)型;厚度(mm):65;品種:碳磚;寬度(mm):115;規(guī)格:長×寬×厚(mm):230×115×65;長度(mm):230 查看價(jià)格 查看價(jià)格

興科

 塊 13% 長春市興科耐火材料有限責(zé)任公司
碳化硅氣泡石 A-10108 Ф108×19 查看價(jià)格 查看價(jià)格

三強(qiáng)

 片 13% 三強(qiáng)水處理設(shè)備廠
碳化硅氣泡石 A-10151 Ф15×70 查看價(jià)格 查看價(jià)格

三強(qiáng)

 片 13% 三強(qiáng)水處理設(shè)備廠
材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
信息價(jià)		 含稅
信息價(jià)		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時(shí)間
自發(fā)電一體焊機(jī) 305A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺班 韶關(guān)市2010年8月信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺班 汕頭市2012年1季度信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺班 汕頭市2011年4季度信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺班 汕頭市2011年2季度信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺班 廣州市2011年1季度信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺班 汕頭市2011年1季度信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺班 汕頭市2010年1季度信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺班 廣州市2009年4季度信息價(jià)
材料名稱 規(guī)格/需求量 報(bào)價(jià)數(shù) 最新報(bào)價(jià)
（元）		 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)地區(qū) 最新報(bào)價(jià)時(shí)間
碳化硅 粒徑0.5-2mm|1000m3 3 查看價(jià)格 廣州造園匠石材有限公司 廣西  賀州市 2021-11-03
碳化硅粉 |8106kg 1 查看價(jià)格 鞏義市恒立耐火材料廠 廣東  佛山市 2015-05-08
碳化硅平六碳化硅磚 690×230×65|12件 1 查看價(jià)格 佛山市圣原耐火保溫材料有限公司 廣東   2019-05-30
碳化硅平四碳化硅磚 460×230×65|12件 1 查看價(jià)格 佛山市圣原耐火保溫材料有限公司 廣東   2019-05-30
半導(dǎo)體陶瓷 將面板旋轉(zhuǎn)到任一半導(dǎo)體上,旋轉(zhuǎn)按鈕縮小、放大,觀察陶瓷.|1項(xiàng) 1 查看價(jià)格 鴻瑞工美(深圳)實(shí)業(yè)有限公司 全國   2022-10-24
綠碳化硅砂輪 材質(zhì) 綠碳化硅 規(guī)格 250X25X32|9335片 4 查看價(jià)格 濟(jì)南泰益磨料磨具有限公司 山東  濟(jì)南市 2015-07-20
碳化硅氣泡石 A-1009 Ф30X50|8163片 1 查看價(jià)格 三強(qiáng)水處理設(shè)備廠 江西  宜春市 2015-12-30
碳化硅氣泡石 A-10301 Ф30x80|2062片 1 查看價(jià)格 三強(qiáng)水處理設(shè)備廠 江西  宜春市 2015-12-21

碳化硅半導(dǎo)體材料、ilic}n carbide semiconductors 5iC 屬W族化合物半導(dǎo)體。為共價(jià)鍵晶體，有閃鋅礦型和鉛鋅礦 型兩種結(jié)晶形式。密度.i . 2} I}m“二熔點(diǎn)283U}"-，本征電阻率 [L一0.7)i}wm},禁帶寬度2.99一42.br}'。電子遷移率 3(10---9(1D}m'-I( V w )，介電常數(shù)9.72一10.32。采用艾奇遜 [Acheso耐法合成。硅過量時(shí)為n型半導(dǎo)體，碳過量時(shí)為p }1 半導(dǎo)體。

碳化硅半導(dǎo)體材料常見問題

  • 半導(dǎo)體材料有哪些？

    常用的半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是由單一元素制成的半導(dǎo)體材料。主要有硅、鍺、硒等，以硅、鍺應(yīng)用最廣?；衔锇雽?dǎo)體分為二元系、三元系、多元系和有機(jī)化合物半導(dǎo)體。二元系化合物半導(dǎo)體...

  • 半導(dǎo)體材料的特性？

    半導(dǎo)體材料的特性：半導(dǎo)體材料是室溫下導(dǎo)電性介于導(dǎo)電材料和絕緣材料之間的一類功能材料?？侩娮雍涂昭▋煞N載流子實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電，室溫時(shí)電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大；若摻入活性...

  • 半導(dǎo)體材料和光導(dǎo)纖維？

    半導(dǎo)體材料就是所謂的單晶硅。單晶硅就是晶體類型唯一的硅晶體。我們平時(shí)遇到的物體比如鐵塊，看上去方方正正的，但是微觀上它是多種晶體類型混在一起的。生活中的晶體一般都是多晶型的。而制作半導(dǎo)體器件用的硅應(yīng)為...

碳化硅半導(dǎo)體材料文獻(xiàn)

半導(dǎo)體材料7半導(dǎo)體照明工程材料 半導(dǎo)體材料7半導(dǎo)體照明工程材料

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半導(dǎo)體材料7半導(dǎo)體照明工程材料

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寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC研究進(jìn)展及其應(yīng)用 寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC研究進(jìn)展及其應(yīng)用

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評分： 4.4

　第 30 卷第 3 期 硅 酸 鹽 學(xué) 報(bào) Vol. 30 , No. 3 　2 0 0 2 年 6 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY J une , 2 00 2 綜合評述 　　　寬帶隙半導(dǎo)體材料 SiC研究進(jìn)展及其應(yīng)用 王玉霞,何海平,湯洪高 (中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)材料科學(xué)與工程系 , 合肥 　230026 ) 摘　要 :SiC 是第 3代寬帶隙半導(dǎo)體的核心材料之一 , 具有極為優(yōu)良的物理化學(xué)性能 , 應(yīng)用前景十分廣闊 . 本文綜合介紹 SiC的基本特性 , 材 料的生長技術(shù) (包括體單晶生長和薄膜外延生長技術(shù) ) , SiC基器件的研發(fā)現(xiàn)狀 , 應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景 . 同時(shí)還介紹了作者用脈沖激光淀積法 在 Si襯底上制備出單晶 4H - SiC薄膜的研究結(jié)果 . 關(guān)鍵詞 : 碳化硅 ; 體單晶生長 ; 薄膜 ; 器件 中圖分類號 : TN

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《國外電子與通信教材系列:碳化硅半導(dǎo)體材料與器件》是一本系統(tǒng)介紹碳化硅半導(dǎo)體材料及器件的專著，主要論述了SiC材料與器件中的相關(guān)基礎(chǔ)理論，內(nèi)容包括:SiC材料特性、SiC同質(zhì)外延和異質(zhì)外延、SiC歐姆接觸、肖特基勢壘二極管、大功率PiN整流器、SiC微波二極管、SiC晶閘管、SiC靜態(tài)感應(yīng)晶體管、SiC襯底材料生長、SiC深能級缺陷、SiC結(jié)型場效應(yīng)晶體管，以及SiCBJT等。書中涉及SiC材料制備、外延生長、測試表征、器件結(jié)構(gòu)與工作原理、器件設(shè)計(jì)與仿真、器件關(guān)鍵工藝、器件研制與性能測試，以及器件應(yīng)用等多個(gè)方面。在論述這些基礎(chǔ)理論的同時(shí)，重點(diǎn)總結(jié)了近年來SiC材料與器件的主要研究成果，以及今后的發(fā)展趨勢。

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第1章碳化硅材料特性1

1.1SiC材料基本特性1

1.2SiC材料的多型體2

1.3SiC能帶結(jié)構(gòu)和有效質(zhì)量2

1.4SiC材料的熱特性5

1.5摻雜和自由載流子電荷7

1.5.1淺施主和電子9

1.5.2淺受主和空穴13

1.6SiC材料摻雜物擴(kuò)散14

1.7SiC雜質(zhì)的導(dǎo)電性15

1.8SiC材料少數(shù)載流子壽命18

1.9SiC/SiO2界面特性20

參考文獻(xiàn)24

第2章碳化硅同質(zhì)及異質(zhì)外延32

2.1SiC外延生長技術(shù)32

2.2SiC同質(zhì)外延生長32

2.2.1蒸發(fā)生長技術(shù)33

2.2.2分子束外延34

2.2.3液相外延35

2.2.4CVD生長技術(shù)35

2.2.5外延層缺陷38

2.3SiC異質(zhì)外延生長44

2.4總結(jié)48

參考文獻(xiàn)48

第3章碳化硅歐姆接觸57

3.1金屬-半導(dǎo)體接觸58

3.2比接觸電阻60

3.3n型SiC歐姆接觸62

3.3.1Ti和Ta基歐姆接觸64

3.3.2Ni基歐姆接觸65

3.3.3硅化物接觸的界面形貌68

3.3.4鍵合技術(shù)69

3.4p型SiC歐姆接觸70

3.4.1Al/Ti接觸71

3.4.2Al/Ti接觸的替代物73

3.5SiC歐姆接觸的熱穩(wěn)定性75

3.6SiC歐姆接觸發(fā)展新趨勢77

3.7總結(jié)78

參考文獻(xiàn)80

第4章碳化硅肖特基二極管86

4.1碳化硅肖特基接觸86

4.1.1碳化硅肖特基接觸理論86

4.1.2不同金屬與SiC接觸的勢壘高度88

4.2高壓SiC SBD,JBS和MPS二極管95

4.2.1SiC SBD新技術(shù)96

4.2.2SiC SBD終端技術(shù)97

4.2.3SiC SBD反向漏電流98

4.2.4SiC SBD正向壓降102

4.3肖特基二極管在功率電路中的應(yīng)用104

4.3.1功率二極管的重要性與硅極限104

4.3.2功率電路中半導(dǎo)體器件的損耗105

4.3.3商業(yè)化SiC和Si二極管靜態(tài)性能比較106

4.3.4商業(yè)化SiC和Si二極管動態(tài)特性比較107

4.4SiC SBD的其他應(yīng)用110

4.4.1SiC SBD氣敏傳感器110

4.4.2SiC SBD微波應(yīng)用111

4.4.3SiC SBD紫外探測器111

4.5SiC SBD未來發(fā)展的挑戰(zhàn)113

4.5.1總結(jié)113

4.5.2SiC SBD發(fā)展趨勢和挑戰(zhàn)114

參考文獻(xiàn)115

第5章碳化硅功率PiN二極管126

5.1PiN二極管的設(shè)計(jì)及工作原理127

5.1.1高擊穿電壓外延層設(shè)計(jì)127

5.1.2SiC PiN二極管終端設(shè)計(jì)128

5.1.3載流子壽命與二極管開態(tài)壓降128

5.1.4 SiC PiN二極管載流子壽命測試130

5.1.5超高電流密度PiN二極管132

5.2PiN二極管實(shí)驗(yàn)134

5.2.1PiN二極管特性測量134

5.2.2PiN二極管的制造過程134

5.2.35kV PiN二極管135

5.2.49.0mm2，10kV 4HSiC PiN二極管139

5.3 SiC二極管成品率和可靠性141

5.3.1 SiC二極管成品率限制因素141

5.3.2 SiC PiN二極管正向電壓的退化141

5.4總結(jié)146

參考文獻(xiàn)146

第6章碳化硅微波應(yīng)用149

6.1SiC二極管微波應(yīng)用149

6.2SiC點(diǎn)接觸探測器150

6.3SiC變?nèi)荻O管151

6.4SiC肖特基混頻二極管153

6.5SiC PiN微波二極管157

6.6SiC IMPATT二極管160

6.7總結(jié)167

參考文獻(xiàn)168

第7章碳化硅晶閘管172

7.1引言172

7.2晶閘管的導(dǎo)通過程172

7.2.1低壓晶閘管的導(dǎo)通過程172

7.2.2高壓晶閘管的導(dǎo)通過程175

7.2.3晶閘管的光觸發(fā)導(dǎo)通182

7.3穩(wěn)態(tài)電流-電壓特性183

7.3.1低壓晶閘管穩(wěn)態(tài)電流-電壓特性183

7.3.2高壓晶閘管穩(wěn)態(tài)電流-電壓特性185

7.3.3SiC電子-空穴散射(EHS)189

7.4關(guān)斷特性191

7.4.1傳統(tǒng)的晶閘管關(guān)斷模式191

7.4.2場效應(yīng)管(FET)控制GTO關(guān)斷模式194

7.5頻率特性198

7.6臨界電荷200

7.6.1低壓晶閘管的臨界電荷201

7.6.2高壓晶閘管中的臨界電荷202

7.6.34HSiC基晶閘管的臨界電荷205

7.7結(jié)論208

參考文獻(xiàn)209

第8章碳化硅靜電感應(yīng)晶體管215

8.1靜電感應(yīng)晶體管發(fā)展歷史215

8.2靜電感應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)216

8.2.1SIT器件結(jié)構(gòu)布局圖217

8.2.2SiC SIT器件特性優(yōu)化219

8.2.3肖特基和離子注入SiC SIT220

8.2.4靜電感應(yīng)晶體管柵結(jié)構(gòu)221

8.2.5垂直型FET結(jié)構(gòu)222

8.2.6常開型和常關(guān)型SIT設(shè)計(jì)223

8.3靜電感應(yīng)晶體管IV特性223

8.3.1類五極管模式223

8.3.2類三極管模式224

8.3.3復(fù)合模式227

8.3.4雙極模式229

8.4靜電感應(yīng)晶體管的應(yīng)用230

8.4.1SiC靜電感應(yīng)晶體管高RF脈沖功率放大230

8.4.2SiC SIT高射頻連續(xù)波功率放大231

8.4.3SiC SIT功率轉(zhuǎn)換232

8.5總結(jié)234

參考文獻(xiàn)234

第9章SiC襯底生長240

9.1引言240

9.2SiC體材料生長240

9.2.1物理氣相傳輸240

9.2.2升華外延241

9.2.3液相外延242

9.2.4高溫化學(xué)氣相淀積242

9.3晶向243

9.4晶體直徑的增長243

9.5襯底缺陷244

9.5.1晶型穩(wěn)定性244

9.5.2微管245

9.5.3小角晶界248

9.5.4位錯(cuò)250

9.6SiC摻雜251

9.7用于微波器件的SiC襯底252

9.7.1淺能級252

9.7.2深能級253

9.7.3HPSI材料現(xiàn)狀254

9.8切片與拋光254

9.8.1切片255

9.8.2拋光255

9.9襯底成本256

9.10結(jié)論257

參考文獻(xiàn)257

第10章碳化硅中的深能級缺陷260

10.1引言260

10.2SiC中深能級的參數(shù)260

10.2.1SiC中的主要摻雜260

10.2.2SiC中其他類型的雜質(zhì)能級263

10.2.3碳化硅中的本征缺陷267

10.2.4SiC的輻照摻雜270

10.3雜質(zhì)對碳化硅外延層生長的影響273

10.3.1碳化硅異質(zhì)外延273

10.3.2SiC競位外延274

10.4碳化硅中的深能級及其復(fù)合過程275

10.4.16H和4HSiC pn結(jié)結(jié)構(gòu)中的深能級及輻照復(fù)合275

10.4.2深能級對6HSiC pn結(jié)結(jié)構(gòu)中少子擴(kuò)散長度和少子壽命的影響277

10.4.3SiC pn結(jié)結(jié)構(gòu)中的深能級以及擊穿電壓的負(fù)溫度系數(shù)278

10.5結(jié)論280

參考文獻(xiàn)282

第11章SiC結(jié)型場效應(yīng)晶體管295

11.1引言295

11.1.1歷史回顧295

11.1.2SiC JFET的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)296

11.1.3正向?qū)ㄟ€是正向截止299

11.2橫向SiCJEFT300

11.3垂直JFET(VJFET)301

11.3.1完全的VJFET301

11.3.2具有橫向溝道的VJFET303

11.3.3限流器306

11.4基于SiC VJFET的功率開關(guān)307

11.4.1共源共柵方法307

11.4.2單模VJFET308

11.4.3SiC VJFET的應(yīng)用309

11.4.4高溫工作309

參考文獻(xiàn)311

第12章SiC BJT313

12.1引言313

12.2品質(zhì)因數(shù)314

12.3雙極型功率晶體管315

12.3.1雙極型晶體管(BJT)316

12.3.2達(dá)林頓管326

12.4商業(yè)化面臨的挑戰(zhàn)329

參考文獻(xiàn)329

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半導(dǎo)體材料特性參數(shù)

半導(dǎo)體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性，稱為半導(dǎo)體材料的 特性參數(shù)。這些特性參數(shù)不僅能反映半導(dǎo)體材料與其他非半導(dǎo)體材料之間的差別，而且更重要的是能反映各種半導(dǎo)體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有:禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導(dǎo)體中參加導(dǎo)電的電子和空穴)、非平衡載流子壽命、位錯(cuò)密度。禁帶寬度由半導(dǎo)體的電子態(tài)、原子組態(tài)決定，反映組成這種材料的原子中價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導(dǎo)電能力。非平衡載流子壽命反映半導(dǎo)體材料在外界作用(如光或電場)下內(nèi)部的載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性。位錯(cuò)是晶體中最常見的一類晶體缺陷。位錯(cuò)密度可以用來衡量半導(dǎo)體單晶材料晶格完整性的程度。當(dāng)然，對于非晶態(tài)半導(dǎo)體是沒有這一反映晶格完整性的特性參數(shù)的。

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