中文名 | 真空電弧離子注入機(jī) | 產(chǎn)????地 | 中國(guó) |
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學(xué)科領(lǐng)域 | 材料科學(xué) | 啟用日期 | 2013年3月15日 |
所屬類別 | 工藝試驗(yàn)儀器 > 電子工藝實(shí)驗(yàn)設(shè)備 > 電真空器件工藝實(shí)驗(yàn)設(shè)備 |
薄膜沉積。 2100433B
極限真空優(yōu)于5*10^-4Pa;真空室尺寸:Φ600mm球形;抽速:26分鐘達(dá)到1×10-3Pa;鈦靶和碳靶各2個(gè),均為Ф100mm;弧電源電流60~150A連續(xù)可調(diào);脈沖負(fù)偏壓0~1000V可調(diào),占空比10%--90%可調(diào);離子源平均引出電流/電壓:10.7mA/76KV;束斑直徑Ф150mm。
蟲子10000(站內(nèi)聯(lián)系TA)上海交大,金屬所都有,不知道是否對(duì)外addadd(站內(nèi)聯(lián)系TA)北京有沒有?一般的都是多大錠子的爐子martensite(站內(nèi)聯(lián)系TA)北京很多高校和研究所都有,比如有色...
淄博旭發(fā)工貿(mào)-----電弧噴涂機(jī)優(yōu)點(diǎn)淄博旭發(fā)工貿(mào)有限公司最新設(shè)計(jì)開發(fā)出一種新型的逆變式電弧噴涂機(jī),以克服當(dāng)前普通的變壓器抽頭式電弧噴涂設(shè)備性能差、適應(yīng)性不強(qiáng)的缺點(diǎn)。此系統(tǒng)由主電源、封閉式噴槍和送絲裝置...
國(guó)內(nèi)已投產(chǎn)的真空電弧爐最大容量是多少?
我?guī)湍悴榈搅藒~目前世界上真空電弧爐容量已達(dá)到50噸。而國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)生產(chǎn)的都在10噸以下!所以應(yīng)該是最大容量就是10噸吧~呵呵~祝你一切順利!
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半導(dǎo)體離子注入工藝 09電科 A柯鵬程 0915221019 離子注入法摻雜和擴(kuò)散法摻雜對(duì)比來說,它的加工溫度低、容易制作淺結(jié)、均勻的 大面積注入雜質(zhì)、易于自動(dòng)化等優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)前,離子注入法已成為超大規(guī)模集成電路 制造中不可缺少的摻雜工藝。離子注入是一種將帶點(diǎn)的且具有能量的粒子注入襯底 硅的過程。注入能量介于 1eV到 1MeV之間,注入深度平均可達(dá) 10nm~10um。相對(duì) 擴(kuò)散工藝,粒子注入的主要好處在于能更準(zhǔn)確地控制雜質(zhì)參雜、可重復(fù)性和較低的 工藝溫度。 1.離子注入原理 : 離子是原子或分子經(jīng)過離子化后形成的,即等離子體,它帶有一定量的電荷??赏?過電場(chǎng)對(duì)離子進(jìn)行加速,利用磁場(chǎng)使其運(yùn)動(dòng)方向改變,這樣就可以控制離子以一定 的能量進(jìn)入 wafer 內(nèi)部達(dá)到摻雜的目的。 離子注入到 wafer 中后,會(huì)與硅原子碰撞而損失能量, 能量耗盡離子就會(huì)停在 wafer 中某位置。離子通過與硅原子
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采用俄歇電子能譜儀分析Ta離子注入鋁青銅合金的Ta、Cu和Al元素分布,利用顯微硬度儀測(cè)量注入Ta離子鋁青銅的顯微硬度,用摩擦磨損試驗(yàn)機(jī)分析QAl9-4鋁青銅的摩擦系數(shù)和磨損質(zhì)量損失。結(jié)果表明:隨Ta離子注入劑量的增加,鋁青銅中的Ta原子濃度升高,離子注入深度超過100 nm,顯微硬度顯著增高,在距合金表面約60 nm深處硬度達(dá)到最大值;鋁青銅的摩擦系數(shù)顯著降低,單位時(shí)間內(nèi)磨損質(zhì)量損失顯著減小,因此明顯提高了鋁青銅的耐磨性能。
在真空電弧重熔過程中,金屬的熔化和凝固過程同時(shí)進(jìn)行,由子在水冷銅結(jié)晶器內(nèi)存在大的溫度梯度,在這種條件下凝固會(huì)形成粗大晶體。而在真空凝殼爐熔煉中,金屬的熔化和澆注完全分開進(jìn)行,由于金屬液面沒有電極的陽(yáng)極輝點(diǎn),熱場(chǎng)相對(duì)均勻,加之熔池發(fā)生攪動(dòng),促使鑄件凝固時(shí)長(zhǎng)大的晶體前沿形成過冷金屬液,在該處出現(xiàn)補(bǔ)充的結(jié)晶中心,從而可以獲得細(xì)晶組織,這是真空凝殼爐較真空電弧爐熔煉的又一優(yōu)點(diǎn)。真空凝殼爐熔煉的鑄件具有較高的機(jī)械性能。例如一般真空電弧爐熔煉的MT(Mo 0.5%Ti)合金的延伸率占為1%-2%,而用真空凝殼爐熔煉的同一合金的占為3%~5% 。
高速開關(guān)的電弧電壓決定了故障電流轉(zhuǎn)移的時(shí)間,研制的高速開關(guān)斷口采用的是17.5kV真空滅弧室。真空電弧有10kA 以下的擴(kuò)散型和10kA以上的集聚型兩種形態(tài)。混合型斷路器電弧電流一般只有幾千安,屬于擴(kuò)散型電弧。對(duì)擴(kuò)散型真空電弧電壓起主導(dǎo)作用的是陰極壓降,而陰極壓降主要由觸頭材料決定。觸頭材料的沸點(diǎn)溫度與熱導(dǎo)率的乘積越大,陰極壓降越高。因此為提高電弧電壓,縮短電流換流時(shí)間,可以選取高沸點(diǎn)和熱導(dǎo)率的觸頭材料。除此之外,也可通過外加磁場(chǎng)的方式提高電弧電壓,電弧電壓最高可達(dá)數(shù)千伏。
高速開關(guān)采用的是寶光真空滅弧室廠生產(chǎn)的17.5kV/1.250A 的真空滅弧室,觸頭開距為(9±1)mm,運(yùn)動(dòng)部分質(zhì)量為1.1kg。當(dāng)電流從4kA增大到10kA時(shí)銅鎢觸頭的真空電弧電壓基本在30V左右保持穩(wěn)定,當(dāng)電流下降時(shí)電弧電壓有所降低。
1950年美國(guó)發(fā)明了第一臺(tái)小型(4.5kg)真空電弧凝殼爐。后來各國(guó)又出現(xiàn)了電子束凝殼爐、等離子體凝殼爐等,但常用的是真空電弧凝殼爐,簡(jiǎn)稱真空凝殼爐 。