直流測溫電橋內(nèi)容簡介

直流電橋主要有惠斯通電橋、開爾文電橋、高阻電橋和直流電流比較儀式電橋。

①惠斯通電橋：四臂皆為電阻器的經(jīng)典直流電橋。又稱單比電橋。1833年，S.H.克里斯蒂在研究導(dǎo)體性質(zhì)時首先提出這一橋路，以后由C.惠斯通加以完善。主要用于測量從約10歐到幾千歐的中值電阻。

②開爾文電橋：1862年英國的W.湯姆孫在研究利用單比電橋測量小電阻遇到困難時，發(fā)現(xiàn)引起測量產(chǎn)生較大誤差的原因是引線電阻和連接點處的接觸電阻。這些電阻值可能遠大于被測電阻值。因此,他提出了如圖1所示的橋路，被稱為湯姆孫電橋。后因他晉封為開爾文勛爵，故又稱開爾文電橋。圖中R3、R4分別是標準電阻與被測小電阻器,R1、R2是形成所需比值的兩橋臂。r是跨線電阻(包括R3、R4兩電阻器間的引線電阻、接觸電阻及內(nèi)部連線電阻)。為獲得準確的測量結(jié)果,消除r的影響，須將r按R1和R2的同樣比例分配給R3和R4,R姈和R娦就是為此目的而設(shè)置的。在電橋調(diào)平衡時,應(yīng)保持R姈、R娦的比值一直與R1R2的比值相等。由于這一特點，這種橋路又稱雙比電橋。所測電阻值可低到毫歐級或更小。根據(jù)雙比電橋原理又發(fā)展出史密斯電橋，三平衡電橋和四跨線電橋等，使得采用橋路測小電阻的理論與實踐臻于完善。

③高阻電橋：單比電橋測高阻值的限制因素主要是通過橋體絕緣的泄漏電流和線路靈敏度低。對前者，除提高橋體絕緣性能外，更有效的方法是采用屏蔽以減小泄漏電流的影響。為此出現(xiàn)了具有各種屏蔽方式的高阻電橋，其中與開爾文電橋電路對偶的比例電流屏蔽電橋電路（圖2）,是電橋理論在高阻測量方面的新應(yīng)用。高阻電橋所測電阻值由兆歐到吉歐或更高。

④直流電流比較儀式電橋：是經(jīng)典直流電橋的發(fā)展。它利用電流比例代替經(jīng)典電橋中的電阻比例。電流比例用繞于磁環(huán)上兩線圈的匝數(shù)比Ws/Wx來確定（圖3）。

當(dāng)兩線圈的安匝相互平衡時，磁環(huán)中無磁通。此時,Is/Ix=Wx/Ws,于是有Rx/Rs=Wx/Ws。改變Ws和Wx可對電橋平衡進行粗調(diào)。如安匝有差別,則磁環(huán)中存在直流磁通，經(jīng)檢出后，可帶動從動電源以改變Ws中的電流Is，直到磁環(huán)中的直流磁通為零而止。直流電流比較儀式電橋的測量誤差可低于百萬分之一，特別適用于測 1歐以下的小電阻。目前已制出可測量到兆歐的此類電橋，但結(jié)構(gòu)較復(fù)雜。

在雙臂電橋中，選擇相同的接線柱和導(dǎo)線，都比較容易，只要其影響相同，從理論上說對被測電阻的影響不存在的，但在實際測量中，這種影響是不可避免存在的，但從測量的手段而言，可以忽略不計的，因此，對其精度要求極高的電阻測量，可以說雙臂電橋能夠大大減小接線電阻和接觸電阻對測量結(jié)果的影響。因此，用直流雙臂電橋測量小電阻時，能得到較準確的測量結(jié)果。 功率越大的變壓器直流電阻相對越小。