紫外探測(cè)器材料是對(duì)紫外光敏感的材料。主要采用氮化鎵系列、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料。
長(zhǎng)城是我國(guó)古代勞動(dòng)人民創(chuàng)造的奇跡。自秦朝開(kāi)始,修筑長(zhǎng)城一直是一項(xiàng)大工程。據(jù)記載,秦始皇使用了近百萬(wàn)勞動(dòng)力修筑長(zhǎng)城,占全國(guó)人口的1/20!當(dāng)時(shí)沒(méi)有任何機(jī)械,全部勞動(dòng)都得靠人力,而工作環(huán)境又是崇山峻嶺、峭...
對(duì)濃度的檢測(cè)要求不同 。
附圖,按煙感探測(cè)器,修改主材就可以
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紅外探測(cè)器材料
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研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN/n-GaN)結(jié)構(gòu)紫外探測(cè)器的漏電機(jī)理.實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),在位錯(cuò)密度幾乎相同的情況下,基于表面有較高密度的V形坑缺陷材料制備的器件表現(xiàn)出較高的反向漏電.進(jìn)一步的SEM測(cè)試發(fā)現(xiàn),這種V形坑穿透到有源區(qū)i-GaN、甚至n-GaN層.在制備p-AlGaN電極時(shí),許多金屬會(huì)落在V形坑中,從而與i-GaN形成了肖特基接觸,有些甚至直接和n-GaN形成歐姆接觸.正是由于并聯(lián)的肖特基接觸和歐姆接觸的存在導(dǎo)致了漏電的增加.
ICE越過(guò)賈科比尼一津納彗星時(shí),穿越了四個(gè)互不相同的區(qū)域。國(guó)際紫外探測(cè)器穿過(guò)第四個(gè)區(qū)域——該彗星的離子尾,離彗核約16,000公里(10,000英里)。國(guó)際紫外探測(cè)器觀測(cè)到,該區(qū)域是來(lái)自該彗星的一個(gè)較冷的電離氣體區(qū),它為一個(gè)磁場(chǎng)所圍繞??茖W(xué)家們相信,隨著太陽(yáng)風(fēng)中的磁場(chǎng)在彗星周圍集積起來(lái),便會(huì)形成一條磁尾,它包圍著該彗星的離子尾。
一、光電真空探測(cè)器,如光電倍增管、像增強(qiáng)器和EBCCD等;
二、光電導(dǎo)探測(cè)器,如GaN基和AlGaN基電光導(dǎo)探測(cè)器等;
三、光伏探測(cè)器,如Si,SiC,GaN P-N結(jié)和肖特基勢(shì)壘光伏探測(cè)器以及CCD。
紫外線探測(cè)器對(duì)紫外輻射具有高響應(yīng)。其中,日盲紫外探測(cè)器的光譜響應(yīng)區(qū)集中在中紫外(波長(zhǎng)小于290nm),而對(duì)紫外區(qū)以外的可見(jiàn)光及紅外輻射響應(yīng)較低;光盲紫外探測(cè)器長(zhǎng)波響應(yīng)限在紫外與可見(jiàn)光交界處。
半導(dǎo)體SiC的禁帶寬度為3.25eV,具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等優(yōu)點(diǎn),特別是該器件的反向漏電流低。SiC紫外探測(cè)器只對(duì)波長(zhǎng)400nm一下的輻射選擇性接收,其紫外輻射的接收與硅探測(cè)器相比,要大兩個(gè)數(shù)量級(jí),并且不需要表面加工處理,可保持長(zhǎng)期的穩(wěn)定性。另外,靈敏度和暗電流在使用溫度條件下幾乎不受溫度變化的影響,可在700K的高溫下使用 。
隨著體單晶及其同質(zhì)外延SiC材料性能的不斷提高,可在不同的沉積條件下用直流濺射法在玻璃底襯的SiC襯底上沉積ITO:TIO和Ni膜,并可由此制成SiC金屬-半導(dǎo)體-金屬紫外輻射探測(cè)器。