中文名 | 半導(dǎo)體超純水設(shè)備 | 外文名 | semiconductor |
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實(shí)????質(zhì) | 設(shè)備 | 運(yùn)????用 | 半導(dǎo)體 |
電去離子(EDI)系統(tǒng)主要是在直流電場(chǎng)的作用下,通過(guò)隔板的水中電介質(zhì)離子發(fā)生定向移動(dòng),利用交換膜對(duì)離子的選擇透過(guò)作用來(lái)對(duì)水質(zhì)進(jìn)行提純的一種科學(xué)的水處理技術(shù)。電滲析器的一對(duì)電極之間,通常由陰膜,陽(yáng)膜和隔板(甲、乙)多組交替排列,構(gòu)成濃室和淡室(即陽(yáng)離子可透過(guò)陽(yáng)膜,陰離子可透過(guò)陰膜).淡室水中陽(yáng)離子向負(fù)極遷移透過(guò)陽(yáng)膜,被濃室中的陰膜截留;水中陰離子向正極方向遷移陰膜,被濃室中的陽(yáng)膜截留,這樣通過(guò)淡室的水中離子數(shù)逐漸減少,成為淡水,而濃室的水中,由于濃室的陰陽(yáng)離子不斷涌進(jìn),電介質(zhì)離子濃度不斷升高,而成為濃水,從而達(dá)到淡化,提純,濃縮或精制的目的。
1、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)(≥18MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)。
2、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純化水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→0.2或0.5μm精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)(≥18MΩ.CM)(最新工藝)。
3、預(yù)處理→一級(jí)反滲透→加藥機(jī)(PH調(diào)節(jié))→中間水箱→第二級(jí)反滲透(正電荷反滲膜)→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)(≥17MΩ.CM)(最新工藝)。
4、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)(≥15MΩ.CM)(最新工藝)。
5、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→純水泵→粗混合床→精混合床→紫外線殺菌器→精密過(guò)濾器→用水點(diǎn) (≥15MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)。2100433B 解讀詞條背后的知識(shí) 萊特萊德超純水 萊特萊德為您提供超純水處理解決方案。
半導(dǎo)體超純水設(shè)備的堵塞問(wèn)題
半導(dǎo)體可是有著悠久的歷史,據(jù)小編了解在1833年半導(dǎo)體現(xiàn)象的首次發(fā)現(xiàn),英國(guó)科學(xué)家電子學(xué)之父法拉第最先發(fā)現(xiàn)硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同于一般金屬,一般情況下,金屬的電阻隨溫度升高而增加,但法拉第發(fā)現(xiàn)硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。在半導(dǎo)體生產(chǎn)中有一個(gè)很重要的介質(zhì)...
2020-11-170閱讀11電去離子(Electrodeionization)簡(jiǎn)稱EDI,是一種將離子交換技術(shù),離子交換膜技術(shù)和離子電遷移技術(shù)相結(jié)合的純水制造技術(shù)。屬高科技綠色環(huán)保技術(shù)。EDI凈水設(shè)備具有連續(xù)出水、無(wú)需酸堿再生和無(wú)人值守等優(yōu)點(diǎn),已在制備純水的系統(tǒng)中逐步代替混床作為精處理設(shè)備使用。這種先進(jìn)技術(shù)的環(huán)保特性好,操作使用簡(jiǎn)便,愈來(lái)愈多地被人們所認(rèn)可,也愈來(lái)愈多廣泛地在醫(yī)藥、電子、電力、化工等行業(yè)得到推廣。
半導(dǎo)體超純水設(shè)備的價(jià)格為何會(huì)有很大的差別?
在晶體管、集成電路生產(chǎn)中,純水主要用于清洗硅片,清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì),包括有機(jī)物和無(wú)機(jī)物,另有少量用于藥液配制,硅片氧化的水汽源,部分設(shè)備的冷卻水,配制電鍍液等。集成電路生產(chǎn)過(guò)程中的80%的...
科立潔公司的純水設(shè)備,是我國(guó)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。其特點(diǎn)為: ?、俨捎眠M(jìn)口優(yōu)質(zhì)名牌產(chǎn)品以保證系統(tǒng)運(yùn)行穩(wěn)定。 ?、谠O(shè)備、管材、閥門的材質(zhì)選擇應(yīng)確保水的純度。超純水箱采用PVDF內(nèi)襯、并設(shè)氮?dú)獗Wo(hù),管材閥門選用時(shí)首先...
連續(xù)電除鹽(EDI)技術(shù)是一項(xiàng)日臻成熟的制取高純水的技術(shù)。十年來(lái)在國(guó)內(nèi)已經(jīng)逐步取代傳統(tǒng)的離子交換技術(shù),在電力、電子、太陽(yáng)能、化工、醫(yī)藥等水處理,純化水系統(tǒng)中大規(guī)模使用。據(jù)統(tǒng)計(jì)2011年中國(guó)EDI產(chǎn)品的...
無(wú)需酸堿再生:在混床中樹脂需要用化學(xué)藥品酸堿再生,而EDI則消除了這些有害物質(zhì)的處理和繁重的工作,保護(hù)了環(huán)境。
連續(xù)、簡(jiǎn)單的操作:在混床中由于每次再生和水質(zhì)量的變化,使操作過(guò)程變得復(fù)雜,而EDI的產(chǎn)水過(guò)程是穩(wěn)定的連續(xù)的,產(chǎn)水水質(zhì)是恒定的,沒(méi)有復(fù)雜的操作程序,操作大大簡(jiǎn)便化。
降低了安裝的要求:EDI系統(tǒng)與相當(dāng)處理水量的混床相比,有較不的體積,它采用積木式結(jié)構(gòu),可依據(jù)場(chǎng)地的高度和窨靈活地構(gòu)造。模塊化的設(shè)計(jì),使EDI在生產(chǎn)工作時(shí)能方便維護(hù)。
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化工行業(yè)超純水設(shè)備使用規(guī)范 一、化工超純水設(shè)備概述 化工超純水設(shè)備顧名思義主要用于化工行業(yè),設(shè)備組成主 要有石英砂過(guò)濾器、活性炭過(guò)濾器、精密過(guò)濾器、反滲透主機(jī)、 后處理裝置等。超純水設(shè)備采用先進(jìn)的反滲透膜,可以有效的 去除掉水中雜質(zhì)。 二、化工超純水設(shè)備工作原理 1、主要部分流入樹脂 /膜內(nèi)部,而另一部分沿模板外側(cè)流 動(dòng),以洗去透出膜外的離子。 2、樹脂截留水中的溶存離子。 3、被截留的離子在電極作用下,陰離子向正極方向運(yùn)動(dòng), 陽(yáng)離子向負(fù)極方向運(yùn)動(dòng)。 4、陽(yáng)離子透過(guò)陽(yáng)離子膜,排出樹脂 /膜之外。 5、陰離子透過(guò)陰離子膜,排出樹脂 /膜之外。 6、濃縮了的離子從廢水流路中排出。 7、無(wú)離子水從樹脂 /膜內(nèi)流出。 三、化工超純水設(shè)備工藝流程 1、原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟 水器→精密過(guò)濾器→一級(jí)反滲透設(shè)備→中間水箱→中間水泵→ 離子交換器→純化水箱→純水泵→紫外線殺菌器→
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1 word. 超純水設(shè)備制水工藝及詳細(xì)技術(shù)方案 超純水設(shè)備 適用范圍:本系統(tǒng)適用于樹膠業(yè)清洗和生產(chǎn)用純 水。 工程類別:水處理系統(tǒng)銷售、安裝、服務(wù)。 系統(tǒng)總進(jìn)水量: 5m3/hr 系統(tǒng)產(chǎn)水量: 2m3/hr@25℃ 系統(tǒng)回收率: 55~70% 產(chǎn)水水質(zhì):電導(dǎo)率≤ 0.2μs/cm@25℃ 運(yùn)行方式:自動(dòng)運(yùn)行 (并具備手動(dòng)操作功能 )。 原水水源:自來(lái)水 原水設(shè)計(jì)溫度: 25℃ 制水工藝:RO反滲透 +EDI連續(xù)電除鹽〔或 IX 樹脂離子交換〕 主要配置: 預(yù)處理系統(tǒng):原水箱、原水箱液位控制器、 原水進(jìn)水電磁閥、 原水泵、 PAM計(jì)量泵、多介質(zhì)過(guò)濾器、活性炭過(guò)濾器、阻垢劑計(jì) 量泵、管路、閥門。 1 word. RO反滲透系統(tǒng):高壓泵、反滲透膜、反滲透膜殼、膜架、 控制系統(tǒng)、進(jìn)水電磁閥、沖洗電磁閥、調(diào)壓閥、高壓開關(guān)、低壓 開關(guān)、精密過(guò)濾器。 儲(chǔ)存系統(tǒng):液位控制器、中間水箱。 ED
半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。
電阻率介于金屬和絕緣體[1]之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。
半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10E-5~10E7歐姆·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。
半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。
鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體(鎵鋁砷、鎵砷磷等)。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外,還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等。
半導(dǎo)體中的雜質(zhì)對(duì)電阻率的影響非常大。半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)時(shí),雜質(zhì)原子附近的周期勢(shì)場(chǎng)受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài),在禁帶中產(chǎn)加的雜質(zhì)能級(jí)。例如四價(jià)元素鍺或硅晶體中摻入五價(jià)元素磷、砷、銻等雜質(zhì)原子時(shí),雜質(zhì)原子作為晶格的一分子,其五個(gè)價(jià)電子中有四個(gè)與周圍的鍺(或硅)原子形成共價(jià)結(jié)合,多余的一個(gè)電子被束縛于雜質(zhì)原子附近,產(chǎn)生類氫能級(jí)。雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶上方靠近導(dǎo)帶底附近。雜質(zhì)能級(jí)上的電子很易激發(fā)到導(dǎo)帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的雜質(zhì)稱為施主,相應(yīng)能級(jí)稱為施主能級(jí)。施主能級(jí)上的電子躍遷到導(dǎo)帶所需能量比從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶所需能量小得多(圖2)。在鍺或硅晶體中摻入微量三價(jià)元素硼、鋁、鎵等雜質(zhì)原子時(shí),雜質(zhì)原子與周圍四個(gè)鍺(或硅)原子形成共價(jià)結(jié)合時(shí)尚缺少一個(gè)電子,因而存在一個(gè)空位,與此空位相應(yīng)的能量狀態(tài)就是雜質(zhì)能級(jí),通常位于禁帶下方靠近價(jià)帶處。價(jià)帶中的電子很易激發(fā)到雜質(zhì)能級(jí)上填補(bǔ)這個(gè)空位,使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子。價(jià)帶中由于缺少一個(gè)電子而形成一個(gè)空穴載流子(圖3)。這種能提供空穴的雜質(zhì)稱為受主雜質(zhì)。存在受主雜質(zhì)時(shí),在價(jià)帶中形成一個(gè)空穴載流子所需能量比本征半導(dǎo)體情形要小得多。半導(dǎo)體摻雜后其電阻率大大下降。加熱或光照產(chǎn)生的熱激發(fā)或光激發(fā)都會(huì)使自由載流子數(shù)增加而導(dǎo)致電阻率減小,半導(dǎo)體熱敏電阻和光敏電阻就是根據(jù)此原理制成的。對(duì)摻入施主雜質(zhì)的半導(dǎo)體,導(dǎo)電載流子主要是導(dǎo)帶中的電子,屬電子型導(dǎo)電,稱N型半導(dǎo)體。摻入受主雜質(zhì)的半導(dǎo)體屬空穴型導(dǎo)電,稱P型半導(dǎo)體。半導(dǎo)體在任何溫度下都能產(chǎn)生電子-空穴對(duì),故N型半導(dǎo)體中可存在少量導(dǎo)電空穴,P型半導(dǎo)體中可存在少量導(dǎo)電電子,它們均稱為少數(shù)載流子。在半導(dǎo)體器件的各種效應(yīng)中,少數(shù)載流子常扮演重要角色。
1、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過(guò)濾器→用水對(duì)象 (≥18MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)
2、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純化水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→0.2或0.5μm精密過(guò)濾器→用水對(duì)象(≥18MΩ.CM)(最新工藝)
3、預(yù)處理→一級(jí)反滲透→加藥機(jī)(PH調(diào)節(jié))→中間水箱→第二級(jí)反滲透(正電荷反滲膜)→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過(guò)濾器→用水對(duì)象(≥17MΩ.CM)(最新工藝)
4、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過(guò)濾器→用水對(duì)象(≥15MΩ.CM)(最新工藝)
5、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→純水泵→粗混合床→精混合床→紫外線殺菌器→精密過(guò)濾器→用水對(duì)象 (≥15MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)
半導(dǎo)體清洗超純水設(shè)備