中文名 | 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜機(jī) | 產(chǎn)????地 | 日本 |
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學(xué)科領(lǐng)域 | 化學(xué) | 啟用日期 | 2019年12月6日 |
所屬類別 | 工藝試驗(yàn)儀器 |
主要用于制備SiO2、SiNx薄膜。
使用襯底尺寸200mm*200mm;襯底溫度最高為350℃,溫度均勻性正負(fù)5℃;可用于沉積SiO2,SiNx薄膜;薄膜均勻性正負(fù)5%;可接入6路工藝氣體;傳送腔室最終壓力小于10Pa;反應(yīng)腔室最終壓力小于2Pa。
等離子體聚合物在結(jié)構(gòu)上與普通的聚合物顯著不同,它能形成含有活性基團(tuán)的高度交聯(lián)的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),從而具有良好的均勻性及對(duì)基質(zhì)的附著性[1,2].有關(guān)采用等離子體聚合膜的TSM傳感器的報(bào)道不多[3,4],本室已...
等離子體又叫做“電漿”,是由部分電子被剝奪后的原子及原子被電離后產(chǎn)生的正負(fù)電子組成的離子化氣體狀物質(zhì) 在人工生成等離子體的方法中,氣體放電法比加熱的辦法更加簡便高效,如熒光燈、霓虹燈、電弧焊、電暈放電...
低溫等離子體:適合的應(yīng)用材料的表面清洗活化焊接,油漆,打印,密封,起泡,涂覆及硅化前表面活化處理。氣體裂解和高效滅菌加速化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)品特點(diǎn):突破低氣壓限制,可在大氣壓下引發(fā)等離子體;可對(duì)材料連續(xù)在線處理...
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評(píng)分: 4.5
介紹了采用90°螺旋管的過濾真空弧等離子體沉成膜系統(tǒng),對(duì)磁過濾管道的傳輸特性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究,實(shí)驗(yàn)觀察到,弧源聚焦磁場和過濾管道正偏壓越高,過濾管道的傳輸效率越高,但聚焦磁場高過一定閾值時(shí),會(huì)出現(xiàn)起弧不穩(wěn)現(xiàn)象,此閾值的大小同過濾管道磁場及偏壓的大小有關(guān),過濾管道正偏壓在40 ̄60V范圍內(nèi),管道磁場在7 ̄11mT時(shí)傳輸效率較高,偏壓越高達(dá)到最佳傳輸效率所需的過濾管道磁場越高。
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評(píng)分: 4.7
以制備兼具陽光控制和低輻射功能的鍍膜玻璃為目的,以硅烷與四氯化鈦為反應(yīng)前驅(qū)體,氮?dú)鉃楸Wo(hù)氣體和稀釋氣體,通過常壓化學(xué)氣相沉積法模擬玻璃浮法在線鍍膜工藝,在玻璃基板上成功制備了Ti5Si3薄膜,用X射線衍射、場發(fā)射掃描電子顯微鏡、四探針測阻儀和分光光度計(jì)對(duì)薄膜的相結(jié)構(gòu)、形貌、電學(xué)、光學(xué)性能進(jìn)行了表征。結(jié)果表明:薄膜為六方結(jié)構(gòu)的Ti5Si3晶相,晶相含量較高,晶粒尺寸為23nm,薄膜中的晶粒以200nm左右的多晶顆粒團(tuán)聚體形式存在。薄膜電阻率為122μΩ·cm,與Ti5Si3晶體的本征電阻率相當(dāng)。這種單層鍍膜玻璃的紅外反射率可高達(dá)92.1%,可見光區(qū)的透過率為25%,兼具陽光控制和低輻射功能。
低溫成膜,溫度對(duì)基片影響小,可制備厚膜,膜層成分均勻;等離子體對(duì)基片有清洗作用;該設(shè)備主要應(yīng)用等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù),用來制作SiO2、SiN4、非品Si等介電、半導(dǎo)體及金屬膜。
直徑450*H400mm,真空極限優(yōu)于6.7*10-5Pa,頻率13.56MHz.低溫成,溫度對(duì)基片影響小,可制備厚膜,膜層成分均勻,等離子體對(duì)基片有清洗作用。
薄膜材料。