非接觸測(cè)量法是指測(cè)量器具的傳感器與被測(cè)零件的表面不直接接觸的測(cè)量方法。例如:用投影儀和工具顯微鏡等測(cè)量零件都是無接觸測(cè)量法。
接觸開關(guān)接觸不良的原因有哪些?接觸開關(guān)接觸不良如何維修?
可能是插頭處的接觸不良,或者是電熱毯內(nèi)部短路了,也可能是開關(guān)處有故障,如果開關(guān)的燈是亮著的,就是插頭處的接觸不良或者是電熱毯內(nèi)部短路了,你可以再試試扭動(dòng)一下插頭,如果還是不行那就是短路了,或者是壞了。...
你好!一般說來,剛買的時(shí)候比較準(zhǔn),但是穩(wěn)定性差,使用時(shí)間一長,就不準(zhǔn)了。最好使用一段時(shí)間后到當(dāng)?shù)赜?jì)量機(jī)構(gòu)校準(zhǔn)一下。個(gè)人使用的體溫計(jì),計(jì)量機(jī)構(gòu)一般都給免費(fèi)檢測(cè)。
光電式轉(zhuǎn)速計(jì)是利用光電效應(yīng)原理制成的,即利用光電管或光電晶體管將光脈沖變成電脈沖。由光電管構(gòu)成的轉(zhuǎn)速計(jì)反射型和直射型兩種。非接觸式測(cè)量是指不接觸被測(cè)物體的前提下進(jìn)行精準(zhǔn)測(cè)量。其測(cè)量精度可以達(dá)到μm非接...
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隨著電子信息時(shí)代的到來,人們對(duì)防雷接地的認(rèn)識(shí)逐步加深,接地技術(shù)也隨之得到進(jìn)一步發(fā)展。本文著重對(duì)非接觸測(cè)量法的工作原理,測(cè)試方法等做了詳細(xì)的闡述。
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為了實(shí)現(xiàn)光學(xué)零件厚度的非接觸測(cè)量,設(shè)計(jì)了一種基于電光掃描的非接觸測(cè)量方法。采用電掃描技術(shù)控制光開關(guān),形成半徑依次減小的環(huán)狀光束,經(jīng)過錐透鏡后在光軸上形成連續(xù)移動(dòng)的光點(diǎn),當(dāng)光點(diǎn)瞄準(zhǔn)待測(cè)光學(xué)零件表面時(shí),反射能量出現(xiàn)峰值,即定位了待測(cè)零件的表面,進(jìn)而獲得光學(xué)零件的幾何厚度。建立了測(cè)量平板零件厚度和透鏡中心厚度的數(shù)學(xué)模型;從理論上探討了該方法的測(cè)量范圍和測(cè)量精度。結(jié)果表明:設(shè)定錐面鏡口徑為100mm,材料折射率為1.52,當(dāng)錐面鏡的錐角從1°變化到40°時(shí),測(cè)量動(dòng)態(tài)范圍可以從5507mm變化到26mm;當(dāng)測(cè)量范圍為26mm時(shí),測(cè)量精度可以達(dá)到2.5μm。該方法可基本滿足目前光學(xué)零件中心厚度的測(cè)量需求。
由于大容量電力電子器件的芯片封裝在模塊內(nèi)部,不易直接接觸、難以直接觀測(cè),對(duì)其進(jìn)行芯片溫度測(cè)量頗具挑戰(zhàn),成為近年來電力電子學(xué)科的研究熱點(diǎn)與難點(diǎn)課題?,F(xiàn)有的器件結(jié)溫檢測(cè)方法主要可歸納為物理接觸式測(cè)量法、光學(xué)非接觸測(cè)量法、熱阻抗模型預(yù)測(cè)法與熱敏感電參數(shù)提取法等4種技術(shù)手段。
物理接觸式測(cè)量法把熱敏電阻或熱電偶等測(cè)溫元件置于待測(cè)器件內(nèi)部,從而獲取其內(nèi)部溫度信息。熱敏電阻法需要外部電源激勵(lì),且瞬態(tài)響應(yīng)慢。利用熱敏電阻對(duì)電力電子器件進(jìn)行芯片溫度檢測(cè)需要對(duì)待測(cè)器件的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行改造。風(fēng)電變流器的1700V電壓等級(jí)的IGBT模塊采用了內(nèi)置熱敏電阻。該方法測(cè)量得到的溫度信息是IGBT模塊內(nèi)部基板的平均溫度,并非IGBT芯片的結(jié)溫,測(cè)量溫度與真實(shí)結(jié)溫之間誤差較大。
熱電偶的測(cè)溫原理是基于熱電效應(yīng),將兩種不同的導(dǎo)體或半導(dǎo)體通過導(dǎo)線連接成閉合回路,當(dāng)兩者的接觸點(diǎn)存在溫度差時(shí),整個(gè)回路將產(chǎn)生熱電勢(shì),即熱電效應(yīng)或塞貝克效應(yīng) 。
光學(xué)非接觸測(cè)量法主要基于冷光、拉曼效應(yīng)、折射指數(shù)、反射比、激光偏轉(zhuǎn)等光溫藕合效應(yīng)的表征參數(shù),通常借助待測(cè)器件溫度與紅外輻射之間的關(guān)系,包括紅外熱成像儀、光纖紅外顯微鏡、輻射線測(cè)定儀等。紅外熱成像儀已被用于大容量電力電子器件的結(jié)溫觀測(cè)。在測(cè)量前需要把待測(cè)器件的封裝打開,除去芯片表面的透明硅脂;然后將待測(cè)器件的芯片表面涂黑,以增加被測(cè)芯片的輻射系數(shù),從而提高溫度測(cè)量準(zhǔn)確度,但破壞了模塊封裝的完整性。通過非接觸式感應(yīng)加熱等方式對(duì)待測(cè)器件進(jìn)行溫度控制,模擬待測(cè)器件結(jié)溫在實(shí)際運(yùn)行工況中的波動(dòng)特征。通過紅外熱成像儀對(duì)芯片表面溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控來獲取待測(cè)器件的各點(diǎn)溫度圖譜和溫度梯度。然而現(xiàn)有商用紅外熱成像儀的最高采樣率僅為2000幀。遠(yuǎn)不能滿足動(dòng)態(tài)結(jié)溫的實(shí)時(shí)檢測(cè)要求。且光學(xué)非接觸測(cè)量法屬于破壞性測(cè)量方法,無法用于器件結(jié)溫的在線檢測(cè) 。
熱阻抗模型預(yù)測(cè)法則結(jié)合了待測(cè)器件、電路拓?fù)浜蜕嵯到y(tǒng)等綜合因素,基于待測(cè)器件的實(shí)時(shí)損耗及瞬態(tài)熱阻抗網(wǎng)絡(luò)模型,通過仿真計(jì)算或離線查表等方式反推芯片結(jié)溫及其變化趨勢(shì)。該方法被廣泛應(yīng)用于大容量變換裝備設(shè)計(jì)之初的散熱系統(tǒng)評(píng)估。在用于結(jié)溫實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)時(shí),需要輔助計(jì)算機(jī)工具,一般只能模擬器件正常運(yùn)行時(shí)的結(jié)溫變化,在意外故障發(fā)生時(shí)(如運(yùn)行工況異常導(dǎo)致?lián)p耗突變或散熱環(huán)節(jié)異常導(dǎo)致熱阻抗網(wǎng)絡(luò)突變)無法對(duì)待測(cè)功率器件的芯片結(jié)溫進(jìn)行提取。圖為含散熱條件的功率變流器熱阻網(wǎng)絡(luò)典型模型 。
大容量功率模塊本身由硅基等芯片、DBC(Direct Copper Bonding)襯底和銅基板等多種材料多層次組成的電力電子器件。通過對(duì)材料的幾何形狀與熱特性分析,即可通過實(shí)驗(yàn)測(cè)量或數(shù)學(xué)建模等方式把含有散熱系統(tǒng)的變流器熱阻網(wǎng)絡(luò)模型提取出來。然后根據(jù)變流器的運(yùn)行工況進(jìn)行分析,計(jì)算待測(cè)器件在該運(yùn)行工況下的功耗。最后即可根據(jù)外部基板溫度,結(jié)合熱阻網(wǎng)絡(luò)模型反推出待測(cè)器件的芯片結(jié)溫 。
熱阻抗模型預(yù)測(cè)法需要同時(shí)獲取待測(cè)功率器件的實(shí)時(shí)損耗以及熱阻抗網(wǎng)絡(luò)才可實(shí)現(xiàn)結(jié)溫的精確預(yù)測(cè),實(shí)時(shí)損耗模型和熱阻抗網(wǎng)絡(luò)模型的精確建模相當(dāng)困難。且在大容量電力電子系統(tǒng)長期運(yùn)行過程中,襯底板下的焊料層與導(dǎo)熱硅脂均會(huì)出現(xiàn)不同程度的老化。事先測(cè)定的熱阻網(wǎng)絡(luò)模型會(huì)由于老化原因發(fā)生較大偏移,從而帶來結(jié)溫預(yù)測(cè)的誤差。
由于半導(dǎo)體物理器件的內(nèi)部微觀物理參數(shù)與器件溫度具有一一對(duì)應(yīng)的映射關(guān)系。如載流子的壽命隨著結(jié)溫的升高而升高,而載流子的遷移率隨著溫度的升高而降低。因此這種半導(dǎo)體材料受溫度影響的特性將會(huì)使得待測(cè)功率器件的外部宏觀電氣特性呈現(xiàn)出溫度相關(guān)的變化趨勢(shì)。這種受器件內(nèi)部結(jié)溫影響的外部電氣特征參數(shù)稱之為熱敏感電參數(shù)(temperature sensitive electrical parameter TSEP)。當(dāng)芯片溫度隨著運(yùn)行工況變化時(shí),待測(cè)器件相應(yīng)的外部電氣參數(shù)也會(huì)隨之變化。通過對(duì)熱敏感電參數(shù)的測(cè)量,即可對(duì)芯片結(jié)溫進(jìn)行逆向預(yù)估。
熱敏感電參數(shù)提取法的核心思想是把待測(cè)器件自身作為溫度傳感部件,將其芯片溫度信息映射在外部的電氣變量上。利用熱敏感電參數(shù)提取法進(jìn)行結(jié)溫測(cè)量的步驟如下:首先進(jìn)行離線的校準(zhǔn)程序,通過離線方式獲得候選熱敏感電參數(shù)與已知結(jié)溫的映射規(guī)律,將該測(cè)定的結(jié)溫與電氣參數(shù)的對(duì)應(yīng)關(guān)系作為后續(xù)結(jié)溫測(cè)量程序的參考;其次是開展參數(shù)提取程序,在待測(cè)器件正常運(yùn)行時(shí),實(shí)時(shí)對(duì)熱敏感電參數(shù)進(jìn)行測(cè)量,利用事先校正程序中獲得的映射關(guān)系反推芯片溫度,該過程可通過曲線擬合后的查表法或神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)預(yù)測(cè)法等方式確定 。
以熱敏電阻為代表的物理接觸式測(cè)量法雖然成本低廉,且通過預(yù)埋手段可在不破壞封裝的前提下實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片附近的溫度進(jìn)行測(cè)量,然而該方法難以獲取芯片的真實(shí)結(jié)溫,測(cè)量誤差較大。光學(xué)非接觸測(cè)量法的成本非常高且需要打開待測(cè)器件的封裝結(jié)構(gòu),屬于破壞性測(cè)量方法,不適用于環(huán)境復(fù)雜的現(xiàn)場(chǎng)實(shí)際應(yīng)用。熱阻抗模型預(yù)測(cè)法所面臨的難點(diǎn)在于老化因素會(huì)影響熱阻網(wǎng)絡(luò)模型及待測(cè)器件的損耗模型難以精確實(shí)時(shí)計(jì)算,算法復(fù)雜且在線結(jié)溫預(yù)測(cè)能力較弱。熱敏感電參數(shù)提取法不僅能獲取待測(cè)器件內(nèi)部芯片的平均結(jié)溫,且其成本低、響應(yīng)快、易于在線檢測(cè),成為最具應(yīng)用潛力的結(jié)溫在線提取與一體化集成的新技術(shù)。