它將時(shí)間、長(zhǎng)度、質(zhì)量等力學(xué)量與電學(xué)量聯(lián)系起來(lái)（如庫(kù)倫定律）。真空介電常數(shù)在國(guó)際單位制下的值為：

ε0=8.85*10^-12 法拉/米2100433B

絕對(duì)介電常數(shù)造價(jià)信息

市場(chǎng)價(jià) 信息價(jià) 詢價(jià)
材料名稱 規(guī)格/型號(hào) 市場(chǎng)價(jià)
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（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)日期
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材料名稱 規(guī)格/型號(hào) 除稅
信息價(jià)		 含稅
信息價(jià)		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時(shí)間
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kW.h 陽(yáng)江市陽(yáng)西縣2022年9月信息價(jià)
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kW.h 陽(yáng)江市海陵島區(qū)2022年9月信息價(jià)
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kW·h 潮州市饒平縣2022年8月信息價(jià)
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kW.h 陽(yáng)江市海陵島區(qū)2022年7月信息價(jià)
材料名稱 規(guī)格/需求量 報(bào)價(jià)數(shù) 最新報(bào)價(jià)
（元）		 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)地區(qū) 最新報(bào)價(jià)時(shí)間
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絕對(duì)介電常數(shù)簡(jiǎn)介常見問題

  • 水的介電常數(shù)，什么是介電常數(shù)，介電常數(shù)大了怎么樣？？？？

    25℃時(shí)水介電常數(shù)78.36F/m介質(zhì)在外加電場(chǎng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電荷而削弱電場(chǎng)，原外加電場(chǎng)（真空中）與介質(zhì)中電場(chǎng)的比值即為相對(duì)介電常數(shù)(relative permittivity或dielectric c...

  • 介電常數(shù)的意義是什么？

    表征介質(zhì)在外電場(chǎng)作用下極化程度的物理量叫介電常數(shù)．（在交變電場(chǎng)作用下,介質(zhì)的介電常數(shù)是復(fù)數(shù),虛數(shù)部分反映了介質(zhì)的損耗）．實(shí)際上,介電常數(shù)并不是一個(gè)不變的數(shù),在不同的條件下,其介電常數(shù)也不相同．介電常數(shù)...

  • 石墨的介電常數(shù)是多少？

    介質(zhì)在外加電場(chǎng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電荷而削弱電場(chǎng)，原外加電場(chǎng)（真空中）與介質(zhì)中電場(chǎng)的比值即為相對(duì)介電常數(shù)(relative permittivity或dielectric constant)，又稱誘電率，與頻...

絕對(duì)介電常數(shù)簡(jiǎn)介文獻(xiàn)

鋇鑭鈦系列高介電常數(shù)陶瓷研究 鋇鑭鈦系列高介電常數(shù)陶瓷研究

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評(píng)分： 4.4

采用固相燒結(jié)法制備了BaO-La2O3-nTiO2(n=3,4,5和6,BLT)微波介質(zhì)陶瓷。研究了TiO2含量以及添加Bi2O3和SrTiO3對(duì)所制BLT陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)及介電性能的影響。結(jié)果表明:當(dāng)n=4時(shí),BLT陶瓷晶體結(jié)構(gòu)致密。當(dāng)n=5并添加Bi2O3和SrTiO3進(jìn)行改性,所制BLT陶瓷的相對(duì)介電常數(shù)εr從93增大到210,介質(zhì)損耗tanδ從2.5減小到1.2,電容溫度系數(shù)αc向負(fù)方向移動(dòng)。

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基于介電常數(shù)瀝青路面均勻性評(píng)價(jià) 基于介電常數(shù)瀝青路面均勻性評(píng)價(jià)

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評(píng)分： 4.4

現(xiàn)有瀝青路面均勻性評(píng)價(jià)方法由于工作量原因局限于小范圍檢測(cè)評(píng)價(jià),無(wú)法進(jìn)行長(zhǎng)距離大面積的評(píng)價(jià)。通過分析瀝青路面離析現(xiàn)象的存在位置與頻率,結(jié)合三維探地雷達(dá)與無(wú)核密度儀檢測(cè)工作效率,提出兩者最佳檢測(cè)區(qū)間長(zhǎng)度。根據(jù)三維探地雷達(dá)與無(wú)核密度儀檢測(cè)原理提出檢測(cè)控制因素。通過實(shí)地檢測(cè)獲得新建瀝青路面介電常數(shù)與空隙率數(shù)據(jù),采用多層前向反饋神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)構(gòu)建瀝青路面介電常數(shù)與空隙率的關(guān)系,確定瀝青路面介電常數(shù)離析閾值；進(jìn)而實(shí)現(xiàn)通過介電常數(shù)進(jìn)行長(zhǎng)距離大面積的瀝青路面均勻性評(píng)價(jià)工作。

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介質(zhì)在外加電場(chǎng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電荷而削弱電場(chǎng)，原外加電場(chǎng)（真空中）與最終介質(zhì)中電場(chǎng)比值即為相對(duì)介電常數(shù)（relative permittivity 或 dielectric constant），又稱誘電率，與頻率相關(guān)。介電常數(shù)是相對(duì)介電常數(shù)與真空中絕對(duì)介電常數(shù)乘積。如果有高介電常數(shù)的材料放在電場(chǎng)中，電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)在電介質(zhì)內(nèi)有可觀的下降。理想導(dǎo)體的相對(duì)介電常數(shù)為無(wú)窮大。

根據(jù)物質(zhì)的介電常數(shù)可以判別高分子材料的極性大小。通常，相對(duì)介電常數(shù)大于3.6的物質(zhì)為極性物質(zhì)；相對(duì)介電常數(shù)在2.8~3.6范圍內(nèi)的物質(zhì)為弱極性物質(zhì)；相對(duì)介電常數(shù)小于2.8為非極性物質(zhì)。

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介電常數(shù)頻譜又稱介電譜。復(fù)介電常數(shù)隨電磁場(chǎng)頻率而變化的現(xiàn)象，一般分別做出實(shí)部ε′（ω）頻譜和虛部ε"（ω）頻譜。介電常數(shù)頻譜可以給出有關(guān)極化機(jī)制和晶格振動(dòng)等重要信息 。

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介電常數(shù)應(yīng)用

近十年來(lái)，半導(dǎo)體工業(yè)界對(duì)低介電常數(shù)材料的研究日益增多，材料的種類也五花八門。然而這些低介電常數(shù)材料能夠在集成電路生產(chǎn)工藝中應(yīng)用的速度卻遠(yuǎn)沒有人們想象的那么快。其主要原因是許多低介電常數(shù)材料并不能滿足集成電路工藝應(yīng)用的要求。圖2是不同時(shí)期半導(dǎo)體工業(yè)界預(yù)計(jì)低介電常數(shù)材料在集成電路工藝中應(yīng)用的前景預(yù)測(cè)。

早在1997年，人們就認(rèn)為在2003年，集成電路工藝中將使用的絕緣材料的介電常數(shù)（k值）將達(dá)到1.5。然而隨著時(shí)間的推移，這種樂觀的估計(jì)被不斷更新。到2003年，國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)規(guī)劃（ITRS 2003[7]）給出低介電常數(shù)材料在集成電路未來(lái)幾年的應(yīng)用，其介電常數(shù)范圍已經(jīng)變成2.7~3.1。

造成人們的預(yù)計(jì)與現(xiàn)實(shí)如此大差異的原因是，在集成電路工藝中，低介電常數(shù)材料必須滿足諸多條件，例如：足夠的機(jī)械強(qiáng)度（MECHANICAL strength）以支撐多層連線的架構(gòu)、高楊氏系數(shù)（Young's modulus）、高擊穿電壓（breakdown voltage＞4MV/cm）、低漏電（leakage current＜10^(-9) at 1MV/cm）、高熱穩(wěn)定性（thermal stability＞450oC）、良好的粘合強(qiáng)度（adhesion strength）、低吸水性（low moisture uptake）、低薄膜應(yīng)力（low film stress）、高平坦化能力（planarization）、低熱漲系數(shù)（coefficient of thermal expansion）以及與化學(xué)機(jī)械拋光工藝的兼容性（compatibility with CMP process）等等。能夠滿足上述特性的低介電常數(shù)材料并不容易獲得。例如，薄膜的介電常數(shù)與熱傳導(dǎo)系數(shù)往往就呈反比關(guān)系。因此，低介電常數(shù)材料本身的特性就直接影響到工藝集成的難易度。

在超大規(guī)模集成電路制造商中，TSMC、 Motorola、AMD以及NEC等許多公司為了開發(fā)90nm及其以下技術(shù)的研究，先后選用了應(yīng)用材料公司（Applied Materials）的 Black Diamond 作為低介電常數(shù)材料。該材料采用PE-CVD技術(shù)[8] ，與現(xiàn)有集成電路生產(chǎn)工藝完全融合，并且引入BLOk薄膜作為低介電常數(shù)材料與金屬間的隔離層，很好的解決了上述提及的諸多問題，是已經(jīng)用于集成電路商業(yè)化生產(chǎn)為數(shù)不多的低介電常數(shù)材料之一。

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