該繼電器是電子式電流動(dòng)作型漏電繼電器,主要由零序電流互感器、電子線路、試驗(yàn)回路及出口繼電器組成其工作原理如下: 穿入主線路的零序互感器,在主線路沒有漏電的情況下,矢量和等于零或...
很高興為你解答將漏電保護(hù)器安裝在線路中,一次線圈與電網(wǎng)的線路相連接,二次線圈與漏電保護(hù)器中的脫扣器連接。當(dāng)用電設(shè)備正常運(yùn)行時(shí),線路中電流呈平衡狀態(tài),互感器中電流矢量之和為零(電流是有方向的矢量,如按流...
不安全,如果不接地線,會(huì)有觸電的可能。 接地漏電保護(hù)裝置常用的有三種 A 一個(gè)是單相的,有兩個(gè)輸入,兩個(gè)輸出,兩個(gè)輸入端子中有一個(gè)接相線,再一個(gè)接N(也就是零線) B &nbs...
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為節(jié)約能源以及可持續(xù)能源發(fā)展,太陽能利用越來越受到重視。文章介紹了各國太陽能電池發(fā)展的近況,分析了太陽能電池的特性和輸出,與電網(wǎng)的連接和控制,太陽能電池板的漏電測(cè)量等。
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為節(jié)約能源以及可持續(xù)能源發(fā)展,太陽能利用越來越受到重視。文章介紹了各國太陽能電池發(fā)展的近況,分析了太陽能電池的特性和輸出,與電網(wǎng)的連接和控制,太陽能電池板的漏電測(cè)量等。
光電探測(cè)器位于光接收機(jī)的最前端,其參數(shù)直接影響著光接收機(jī)的整體性能。目前在標(biāo)準(zhǔn) CMOS 工藝中實(shí)現(xiàn)的探測(cè)器主要基于 pn 結(jié)和肖特基結(jié),常用結(jié)構(gòu)有 n /p-sub 二極管、n-well/p-sub 二極管、 p /n-well/p-sub 雙光電二極管、空間調(diào)制光探測(cè)器、 MSM 光電探測(cè)器及光電晶體管。最簡(jiǎn)單的光電探測(cè)器是反向偏置的 n /p-sub 二極管,如圖 1(a)所示[7]。由于 n 結(jié)淺,耗盡區(qū)窄,因而對(duì)光生載流子的收集效率低。為了提高響應(yīng)度,可以采用如圖 2(b)所示的n-well/p-sub 二極管[7,8]。與圖 2(a)相比, pn 結(jié)更深、耗盡區(qū)更寬,因而有利于光生載流子的收集。
上述 pn 結(jié)探測(cè)器雖然結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單, 但在襯底深處產(chǎn)生的光生載流子需擴(kuò)散到探測(cè)器電極,因而在脈沖響應(yīng)中引入拖尾,限制了探測(cè)器的響應(yīng)速度。為了消除拖尾效應(yīng),文獻(xiàn)[9,10]提出了利用 p /n-well/p-sub 結(jié)構(gòu)的雙光電二極管,如圖 3 所示。其中,叉指型 p 區(qū)與 n 阱形成工作二極管, n 阱與 p 襯底形成屏蔽二極管。當(dāng)探測(cè)器處于工作狀態(tài)時(shí),工作二極管和屏蔽二極管均處于反偏狀態(tài),因而在襯底深處產(chǎn)生的慢擴(kuò)散光生載流子被屏蔽二極管吸收,從而消除了襯底慢擴(kuò)散載流子對(duì)工作二極管響應(yīng)速度的限制。此外,該結(jié)構(gòu)還利用叉指型 p 區(qū)使工作二極管的耗盡區(qū)最大化,有利于光生載流子收集,進(jìn)一步提高了光電探測(cè)器的速度和響應(yīng)度。 2007 年, Yu C L 等人[11]采用 CSMC 0.6μ m CMOS 工藝,制備了面積為40μm× 40μm的雙光電二極管,測(cè)試結(jié)果表明, -3dB 帶寬可達(dá) 1.1GHz,然而,響應(yīng)度偏低,僅為0.04A/W。
另一種緩解慢擴(kuò)散載流子效應(yīng)的結(jié)構(gòu)是空間調(diào)制光(Spatially-Modulated Light, SML)探測(cè)器 [12-14]。它由受光的瞬時(shí)二極管和屏蔽光的延遲二極管構(gòu)成,利用二者的光電流響應(yīng)差來消除襯底深處產(chǎn)生的慢擴(kuò)散載流子效應(yīng),從而提高光電探測(cè)器的物理帶寬和速度,其基本結(jié)構(gòu)如圖 3 所示。其中, n-well 與 p 襯底構(gòu)成瞬時(shí)二極管,而標(biāo)準(zhǔn) CMOS 工藝中的 M2 與n-well/p-sub 一起構(gòu)成延遲二極管。通過版圖布局的網(wǎng)格化設(shè)計(jì),可獲得的-3dB 帶寬最大可達(dá) 1.1GHz,比傳統(tǒng) n-well/p-sub 二極管的帶寬提高了兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
雖然基于 pn 結(jié)二極管的光電探測(cè)器取得了較高的帶寬,但帶寬的提高是以犧牲響應(yīng)度為代價(jià)的。在某些高靈敏度應(yīng)用場(chǎng)合下,探測(cè)器的響應(yīng)度可能更為重要。文獻(xiàn)[7]提出了一種基于標(biāo)準(zhǔn) CMOS 工藝的寄生光電晶體管作為光接收機(jī)的探測(cè)器,如圖 4 所示。當(dāng) p 型基區(qū)空置,深 n 阱集電區(qū)與 n 發(fā)射區(qū)正向偏置時(shí),在基區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的光生載流子被晶體管放大,因而可實(shí)現(xiàn)高靈敏度探測(cè)。 基于 65nm CMOS 工藝制備的 npn 光電晶體管的直流響應(yīng)度可達(dá)0.34A/W[7],不幸的是,帶寬僅為 0.15MHz。這是因?yàn)楣怆娋w管是 CMOS 工藝中的寄生器件,基區(qū)較厚且摻雜剖面未經(jīng)優(yōu)化造成的。
地漏具備四性:超強(qiáng)排水、超級(jí)防堵、超強(qiáng)防臭、超時(shí)防干
地漏,地漏,顧名思義就是要漏,目前地漏只漏的單一功能已經(jīng)跟不上時(shí)代了。
地漏不但要漏的快,最重要的重中之重還是要防堵塞,不然的話老得清理,就后患無窮了。
為什么全世界的馬桶全部利用水封原理來防臭?因?yàn)樗馐亲羁茖W(xué),最可靠,最有效的防臭方式。
現(xiàn)在市場(chǎng)上各種各樣地漏品種繁多,價(jià)格從3至5元到100多元不等,但能夠真正起到防臭效果的就不好找了,都說是防臭地漏,但具體防不防臭只能等到你用上之后才知道防臭不防臭。但已為時(shí)晚矣。
1、地漏是地面與排水管道系統(tǒng)連接的排水器具。
2、地漏的特殊之處:它排除的是地面水、水漬、固體物、纖維物多,毛發(fā),易沉積物等。
3、中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB50015-2003《建筑給水排水設(shè)計(jì)規(guī)范》節(jié)選 4.5.10 地漏的選擇應(yīng)符合下列要求:應(yīng)優(yōu)先采用水封防臭地漏,4.5.10 據(jù)調(diào)查,鐘罩式地漏,存在水封淺、扣碗易被扔掉之弊端,許多賓館、旅館、住宅等居住和公共建筑的衛(wèi)生間內(nèi),地漏變成了通氣孔,污水管道內(nèi)的有害氣體竄入室內(nèi),污染了室內(nèi)環(huán)境衛(wèi)生;自封地漏有磁鐵,彈簧等原理的看似新穎,但是效果一般,因衛(wèi)生間排水,水質(zhì)差所以不能有效防臭,存在機(jī)械開合原理容易壞,不推薦家庭使用!
4、排水建筑規(guī)范第18章地漏G2010-040
地漏的主要功能:
防臭氣、防堵塞、防蟑螂、防病毒、防返水、防干涸(主要指的是水封式地漏)
地漏的好壞主要從四個(gè)角度審核:排水速度、防臭效果、易清理性、無機(jī)械原理耐用程度。